【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，尤其涉及一种阵列基板和显示面板。
技术介绍
1、有机发光二极管显示(oled)器件具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示器件。现有oled器件的像素驱动电路一般包括开关薄膜晶体管(switch tft)、驱动薄膜晶体管(driver tft)以及存储电容(cst)；开关薄膜晶体管由扫描信号控制，用于控制数据信号的输入，驱动薄膜晶体管用于控制通过oled的电流，存储电容一般用于存储灰阶电压以决定驱动薄膜晶体管的驱动电流。
2、对于顶发射的oled器件，由于像素电极的不透光性，会遮挡像素缺陷。为了对阵列(array)制程工艺的缺陷进行检查和修补，通常需要在源漏极层完成后进行电性全数检查并对缺陷进行修补。目前业内常用的检测方式包括短路棒(shorting bar)非接触式检测方案，shorting bar方案主要通过侦测像素表面的电压信号来判定像素是否存在功能缺陷。然而，shorting bar方案对侦测对象的面积有一定限制，使得检出能力有限。
技术实现思路
1、本申请提供一种阵列基板和显示面板，以缓解现有shorting bar方案对侦测对象的面积有一定限制，检出能力有限的技术问题。
2、为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
3、本申请实施例提供一种阵列基板，其包括衬底以及阵列排布在所述衬底上的多
4、所述第一晶体管的漏极连接于所述第二晶体管的栅极，所述第一晶体管的所述漏极还连接于所述存储电容的第一极板；
5、所述第二晶体管的漏极连接于所述存储电容的第二极板，所述第二极板与所述第一极板相对设置，且所述第二极板位于所述第一极板远离所述衬底的一侧。
6、在本申请实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括沿第一方向延伸的第一扫描线以及沿第二方向延伸的数据线和第一电源线，所述第一晶体管的源极连接于所述数据线，所述第一晶体管的栅极连接于所述第一扫描线，所述第二晶体管的源极连接于所述第一电源线。
7、在本申请实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括：
8、第一金属层，设置在所述衬底的一侧，所述第一金属层包括所述第一极板以及所述第一电源线；
9、缓冲层，覆盖在所述第一金属层远离所述衬底的一侧；
10、半导体层，设置在所述缓冲层远离所述第一金属层的一侧，所述半导体层包括所述第一晶体管的第一有源部、所述第二晶体管的第二有源部以及所述第二极板；
11、栅极绝缘层，覆盖在所述半导体层以及所述缓冲层上；
12、第二金属层，设置在所述栅极绝缘层远离所述半导体层的一侧，所述第二金属层包括所述第一晶体管的栅极、所述第二晶体管的栅极以及所述第一扫描线；
13、其中，所述第一极板连接于所述第二晶体管的栅极与所述第一晶体管的漏极之间。
14、在本申请实施例提供的阵列基板中，所述第一金属层还包括数据线，所述第二金属层还包括所述第一晶体管的源极和漏极、所述第二晶体管的源极和漏极，所述第一晶体管的源极连接于所述数据线和所述第一有源部的一侧，所述第一晶体管的漏极连接于所述第一有源部的另一侧和所述第一极板；所述第二晶体管的源极连接于所述第一电源线和所述第二有源部的一端，所述第二晶体管的漏极连接于所述第二有源部的另一端和所述第二极板。
15、在本申请实施例提供的阵列基板中，所述第二金属层还包括第一转接线，所述第一转接线沿所述第一方向延伸，所述第一转接线连接于所述第一电源线与所述第二晶体管的源极。
16、在本申请实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括沿所述第二方向延伸的侦测信号线；所述子像素还包括第三晶体管，所述第三晶体管的源极连接于所述侦测信号线所述第三晶体管的漏极连接于所述第二晶体管的漏极和所述第二极板。
17、在本申请实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括沿所述第一方向延伸的第二扫描线；所述第一金属层还包括所述侦测信号线，所述第二金属层还包括所述第二扫描线、所述第三晶体管的源极和漏极，所述半导体层还包括第三有源部，所述第三晶体管的源极连接于所述侦测信号线和所述第三有源部的一端，所述第三晶体管的漏极连接于所述第三有源部的另一端和所述第二极板。
18、在本申请实施例提供的阵列基板中，所述第二金属层还包括第二转接线，所述第二转接线沿所述第一方向延伸，所述第二转接线连接于所述侦测信号线与所述第三晶体管的源极。
19、在本申请实施例提供的阵列基板中，在所述第一方向上，每相邻的三个所述子像素共用一条所述第一电源线和所述侦测信号线。
20、本申请实施例还提供一种显示面板，其包括前述实施例其中之一的阵列基板。
21、本申请的有益效果为：本申请提供的阵列基板和显示面板中，所述阵列基板包括衬底以及阵列排布在所述衬底上的多个子像素，每个所述子像素至少包括第一晶体管、第二晶体管以及存储电容；所述第一晶体管的漏极连接于所述第二晶体管的栅极，所述第一晶体管的所述漏极还连接于所述存储电容的第一极板；所述第二晶体管的漏极连接于所述存储电容的第二极板，所述第二极板与所述第一极板相对设置，且所述第二极板位于所述第一极板远离所述衬底的一侧；本申请通过将第二晶体管的漏极连接到存储电容的第二极板上，如此在通过侦测第二极板检出阵列基板的缺陷时，能够检出更多的缺陷，提升检出能力，减少后制程亮点与暗点的发生，解决了现有shorting bar方案对侦测对象的面积有一定限制，检出能力有限的问题。
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1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底以及阵列排布在所述衬底上的多个子像素，每个所述子像素至少包括第一晶体管、第二晶体管以及存储电容；
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括沿第一方向延伸的第一扫描线以及沿第二方向延伸的数据线和第一电源线，所述第一晶体管的源极连接于所述数据线，所述第一晶体管的栅极连接于所述第一扫描线，所述第二晶体管的源极连接于所述第一电源线。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层还包括数据线，所述第二金属层还包括所述第一晶体管的源极和漏极、所述第二晶体管的源极和漏极，所述第一晶体管的源极连接于所述数据线和所述第一有源部的一侧，所述第一晶体管的漏极连接于所述第一有源部的另一侧和所述第一极板；所述第二晶体管的源极连接于所述第一电源线和所述第二有源部的一端，所述第二晶体管的漏极连接于所述第二有源部的另一端和所述第二极板。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属层还包括第一转接线，所述第
6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括沿所述第二方向延伸的侦测信号线；所述子像素还包括第三晶体管，所述第三晶体管的源极连接于所述侦测信号线所述第三晶体管的漏极连接于所述第二晶体管的漏极和所述第二极板。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括沿所述第一方向延伸的第二扫描线；所述第一金属层还包括所述侦测信号线，所述第二金属层还包括所述第二扫描线、所述第三晶体管的源极和漏极，所述半导体层还包括第三有源部，所述第三晶体管的源极连接于所述侦测信号线和所述第三有源部的一端，所述第三晶体管的漏极连接于所述第三有源部的另一端和所述第二极板。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属层还包括第二转接线，所述第二转接线沿所述第一方向延伸，所述第二转接线连接于所述侦测信号线与所述第三晶体管的源极。
9.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，在所述第一方向上，每相邻的三个所述子像素共用一条所述第一电源线和所述侦测信号线。
10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至9中任一项所述的阵列基板。
...【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底以及阵列排布在所述衬底上的多个子像素，每个所述子像素至少包括第一晶体管、第二晶体管以及存储电容；
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括沿第一方向延伸的第一扫描线以及沿第二方向延伸的数据线和第一电源线，所述第一晶体管的源极连接于所述数据线，所述第一晶体管的栅极连接于所述第一扫描线，所述第二晶体管的源极连接于所述第一电源线。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层还包括数据线，所述第二金属层还包括所述第一晶体管的源极和漏极、所述第二晶体管的源极和漏极，所述第一晶体管的源极连接于所述数据线和所述第一有源部的一侧，所述第一晶体管的漏极连接于所述第一有源部的另一侧和所述第一极板；所述第二晶体管的源极连接于所述第一电源线和所述第二有源部的一端，所述第二晶体管的漏极连接于所述第二有源部的另一端和所述第二极板。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属层还包括第一转接线，所述第一转接线沿所述第一方向延伸，所述第一转接线连接于所述第一电...
【专利技术属性】
技术研发人员：何伟，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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