【技术实现步骤摘要】
本公开是关于一种半导体元件及其制备方法。特别是关于一种具有气隙的半导体元件及其制备方法。
技术介绍
1、半导体元件对于许多现代应用来说是必需的。随着电子技术的进步，半导体元件的尺寸变得越来越小，同时提供更多的功能并包括更多的集成电路。由于半导体元件的小型化规模，提供不同功能的各种类型和尺寸的半导体元件被整合并封装到单一模组中。此外，实行许多制造操作以将各种类型的半导体元件整合在一起。
2、然而，半导体元件的制造和整合涉及许多复杂的步骤和操作。半导体元件中的整合变得越来越复杂。半导体元件在制造和整合上复杂性的增加可能引起缺陷。因此，需要持续改善半导体元件的制造制程，才能解决这些问题。
3、上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不形成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应做为本案的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一实施例提供一种半导体元件。该半导体元件包括设置于一半导体基板之上的一底部障壁层、设置于该底部障壁层之上的一导电接触、设置于导电接触之上的顶部障壁层、隔离层、第一衬层及第二衬层。该底部障壁层、该导电接触、和该顶部障壁层形成一i-形结构。该隔离层与该i-形结构相邻设置并延伸至该半导体基板中。一气隙被该隔离层包围。第一衬层将隔离层与顶部障壁层、导电接触、底部隔离层和半导体基板隔开。第二衬层覆盖第一衬层和隔离层。
2、本公开的另一实施例提供一种半导体元件。该半导体元件包括设置于
3、本公开的又一实施例提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括：形成一底部障壁材料于一半导体基板之上；形成一导电材料于该底部障壁材料之上；形成一顶部障壁材料于该导电材料之上；蚀刻该顶部障壁材料、该导电材料、该底部障壁材料、和该半导体基板以形成一开口，其中该顶部障壁材料、该导电材料、和该底部障壁材料的剩余部分形成一i-形结构；沉积一隔离层于该开口中，从而形成一气隙于该隔离层中；在形成该开口之前形成一抗反射材料于该顶部障壁材料之上，其中在形成该开口的期间蚀刻该抗反射材料。
4、本专利技术的实施例提供一种半导体元件及其制备方法。在一些实施例中，半导体元件包括一底部障壁层、设置于底部障壁层之上的一导电接触、以及设置于导电接触之上的一顶部障壁层。在一些实施例中，半导体元件也包括与导电接触相邻设置的一隔离层。底部障壁层、导电接触、和顶部障壁层共同形成具有i-形的结构，其有助于在沉积隔离层的期间形成一气隙于隔离层中。因此，可降低导电接触和相邻导电部件之间的寄生电容。其结果，可改善整体的元件性能。
5、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。形成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可做为修改或设计其它结构或制程而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。
【技术保护点】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该隔离层包括钒。
3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一衬层直接接触该底部障壁层的一顶表面和该顶部障壁层的一底表面。
4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一衬层的一材料与该第二衬层的一材料相同。
5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该底部障壁层具有一中线，该中线和该底部障壁层的一顶表面之间的一距离实质上等于该中线和该底部障壁层的一底表面之间的一距离，以及
6.如权利要求1所述的半导体元件，其中该顶部障壁层具有一中线，该中线和该顶部障壁层的一顶表面之间的一距离实质上等于该中线和该顶部障壁层的一底表面之间的一距离，以及
7.一种半导体元件，包括：
8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该隔离层包括一含钒氧化层。
9.如权利要求7所述的半导体元件，其中该隔离层的一顶表面为凹陷的。
10.如权利要求7所述的半导体元件，其中该底部障壁层的该宽度实质上等于该顶部障壁层的该宽度。
11.如权利要求
12.如权利要求7所述的半导体元件，更包括：
13.如权利要求12所述的半导体元件，更包括：
14.一种半导体元件的制备方法，包括：
15.如权利要求14所述的半导体元件的制备方法，其中该隔离层包括钒，且该隔离层的沉积技术包括一原子层沉积制程。
16.如权利要求14所述的半导体元件的制备方法，其中该底部障壁层的剩余部分具有一第一宽度，该导电接触的剩余部分具有一第二宽度，且该顶部障壁层的剩余部分具有一第三宽度；以及
17.如权利要求14所述的半导体元件的制备方法，其中形成该开口包括使用氯基蚀刻剂的干蚀刻制程。
18.如权利要求14所述的半导体元件的制备方法，其中该开口的较低部分具有一第四宽度，该开口的中间部分具有一第五宽度，且该开口的较高部分具有一第六宽度，以及
19.如权利要求14所述的半导体元件的制备方法，更包括：
20.如权利要求19所述的半导体元件的制备方法，更包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该隔离层包括钒。
3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一衬层直接接触该底部障壁层的一顶表面和该顶部障壁层的一底表面。
4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一衬层的一材料与该第二衬层的一材料相同。
5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该底部障壁层具有一中线，该中线和该底部障壁层的一顶表面之间的一距离实质上等于该中线和该底部障壁层的一底表面之间的一距离，以及
6.如权利要求1所述的半导体元件，其中该顶部障壁层具有一中线，该中线和该顶部障壁层的一顶表面之间的一距离实质上等于该中线和该顶部障壁层的一底表面之间的一距离，以及
7.一种半导体元件，包括：
8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该隔离层包括一含钒氧化层。
9.如权利要求7所述的半导体元件，其中该隔离层的一顶表面为凹陷的。
10.如权利要求7所述的半导体元件，其中该底部障壁层的该宽度实质上等于该顶部障壁层的该宽度。
11.如权利要求7所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄则尧，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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