一种砷化镓多晶的位错腐蚀液及其位错腐蚀方法技术

本发明专利技术涉及半导体材料技术领域，具体是一种砷化镓多晶的位错腐蚀液及其位错腐蚀方法。本发明专利技术提供的位错腐蚀液包括：浓硝酸、氢氟酸和水；所述浓硝酸的质量浓度为50wt％～68wt％；所述氢氟酸的质量浓度为28wt％～40wt％；所述浓硝酸、氢氟酸和水的体积比为(1～3)：(1～5)：(2～10)。本发明专利技术的位错腐蚀液对砷化镓多晶进行加热腐蚀，腐蚀后的砷化镓多晶的形貌较好，能够直接从显微镜中观察到砷化镓多晶的位错结构，解决由于砷化镓多晶晶片表面粗糙不能直接进行腐蚀的问题和测量砷化镓晶体中的EPD密度的问题，避免了不合格砷化镓晶体流向下道工序，降低了加工不合格品造成的成本浪费，提高了单晶的成晶率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体材料，具体是一种砷化镓多晶的位错腐蚀液及其位错腐蚀方法。

技术介绍

1、随着gaas器件的发展，砷化镓材料的性能正受到广泛关注，半导体材料行业中，要做出合格的砷化镓晶圆，必须对砷化镓晶棒两端取片进行hall测试得出电阻率、电子迁移率、载流子浓度数据，主要是位错密度测试，最后根据检测得出的数据判断是否满足客户需求。

2、目前人们测定晶体的位错密度有两种方法：1、化学机械抛光片腐蚀；2、化学抛光液抛光腐蚀。由于砷化镓多晶取的晶片表面比较粗糙，不能通过直接用取的片放入镍锅内烧的这种方式用显微镜观察晶体的晶胞方向以及位错密度。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种砷化镓多晶的位错腐蚀液及其位错腐蚀方法，本专利技术提供的位错腐蚀液能够腐蚀砷化镓多晶，并能够直接从显微镜中观察到砷化镓多晶的位错结构，解决由于砷化镓多晶晶片表面粗糙不能直接进行腐蚀的问题和测量砷化镓晶体中的epd密度的问题。

2、本专利技术提供了一种砷化镓多晶的位错腐蚀液，其包括浓硝本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种砷化镓多晶的位错腐蚀液，其特征在于，其包括：浓硝酸、氢氟酸和水；

2.根据权利要求1所述的位错腐蚀液，其特征在于，所述位错腐蚀液包括质量浓度为68wt％的浓硝酸、质量浓度为40wt％的氢氟酸和水。

3.根据权利要求2所述的位错腐蚀液，其特征在于，所述浓硝酸、氢氟酸和水的体积比为1：1：2或者3：5：10。

4.一种砷化镓多晶的位错腐蚀方法，其特征在于，包括：用位错腐蚀液对砷化镓多晶进行腐蚀；

5.根据权利要求4所述的位错腐蚀方法，其特征在于，所述位错腐蚀液包括质量浓度为68wt％的浓硝酸、质量浓度为40wt％的氢氟酸和水。

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【技术特征摘要】

1.一种砷化镓多晶的位错腐蚀液，其特征在于，其包括：浓硝酸、氢氟酸和水；

2.根据权利要求1所述的位错腐蚀液，其特征在于，所述位错腐蚀液包括质量浓度为68wt％的浓硝酸、质量浓度为40wt％的氢氟酸和水。

3.根据权利要求2所述的位错腐蚀液，其特征在于，所述浓硝酸、氢氟酸和水的体积比为1：1：2或者3：5：10。

4.一种砷化镓多晶的位错腐蚀方法，其特征在于，包括：用位错腐蚀液对砷化镓多晶进行腐蚀；

5.根据权利要求4所述的位错腐蚀方法，其特征在于，所述位错腐蚀液包括质量浓度为68wt％的浓硝酸、质量浓度为40wt％的氢氟酸和水。

6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：张浩，易明辉，张汪阳，
申请(专利权)人：广东先导微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：