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本发明涉及半导体材料技术领域，具体是一种砷化镓多晶的位错腐蚀液及其位错腐蚀方法。本发明提供的位错腐蚀液包括：浓硝酸、氢氟酸和水；所述浓硝酸的质量浓度为50wt％～68wt％；所述氢氟酸的质量浓度为28wt％～40wt％；所述浓硝酸、氢氟酸和...
该专利属于广东先导微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东先导微电子科技有限公司授权不得商用。

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