【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光伏电池，尤其设计一种背接触太阳能电池及光伏组件。
技术介绍
1、现有的晶硅电池采用双面接触金属化设计，电池的正面或者反面需要采用具有纹理的陷光结构来增加入射光在电池中的传输路径，以提高对于太阳能光谱的利用。但现有的纹理表面对于随后的膜层钝化和浆料接触界面有一定影响，进而会影响电池性能。
技术实现思路
1、本申请提供了一种背接触太阳能电池及光伏组件，以解决现有太阳能电池的表面纹理结构对于随后的膜层钝化和浆料接触界面有一定影响，进而会影响电池性能的问题。
2、本申请实施例第一方面提供了一种背接触太阳能电池，包括半导体衬底，所述半导体衬底的后表面具有n型导电区域和p型导电区域；
3、所述n型导电区域设置有第一非金字塔状纹理结构，所述p型导电区域设置有第二非金字塔状纹理结构；
4、所述n型导电区域和所述p型导电区域之间具有分界线区域，所述n型导电区域和/或所述p型导电区域靠近所述分界线的位置设置有孔洞。
5、在一种可能的设计中，所述n型导电区域和/或所述p型导电区域距离所述分界线的位置5μm-15μm设置有孔洞。
6、在一种可能的设计中，所述n型导电区域和/或所述p型导电区域距离所述分界线的位置5μm-10μm设置有孔洞。
7、在一种可能的设计中，所述孔洞的直径为1μm-10μm。
8、在一种可能的设计中，所述孔洞的直径为1μm-5μm。
9、在一种可能的设计中，所述孔洞的深度为0.
10、在一种可能的设计中，所述第一非金字塔状纹理结构包括第一子结构和第二子结构，两个或多个所述第一子结构的至少部分堆叠设置，两个或多个所述第二子结构相互邻接非堆叠排布设置。
11、在一种可能的设计中，所述第二非金字塔状纹理结构包括第三子结构和第四子结构，两个或多个所述第三子结构的至少部分堆叠设置，两个或多个所述第四子结构相互邻接非堆叠排布设置。
12、在一种可能的设计中，所述第一非金字塔状纹理结构的顶部表面的一维尺寸小于所述第二非金字塔状纹理结构的顶部表面的一维尺寸。
13、在一种可能的设计中，所述第一非金字塔状纹理结构的顶部表面和所述第二非金字塔状纹理结构的顶部表面均为多边形平面。
14、在一种可能的设计中，所述多边形平面的形状包括菱形、方形、梯形、近似菱形、近似方形、近似梯形中的至少一种。
15、在一种可能的设计中，所述n型导电区域在所述半导体衬底的后表面上的分布占比为50％-85％，所述p型导电区域在所述半导体衬底的后表面上的分布占比为15％-50％。
16、在一种可能的设计中，所述背接触太阳能电池还包括：
17、隧穿氧化层，设置于所述半导体衬底的后表面的n型导电区域；
18、局域背场，设置于所述半导体衬底的后表面的p型导电区域；
19、多晶硅薄膜层，设置于所述隧穿氧化层背离所述半导体衬底的一侧；
20、共晶层，设置于所述局域背场上；
21、后表面钝化层，设置于所述多晶硅薄膜层背离所述隧穿氧化层的一侧以及所述p型导电区域；
22、第一电极，穿过所述后表面钝化层与所述局域背场形成欧姆接触；
23、第二电极，依次穿过所述后表面钝化层与所述多晶硅薄膜层形成欧姆接触。
24、在一种可能的设计中，所述背接触太阳能电池还包括设置于所述半导体衬底前表面上且在远离所述半导体衬底的方向上依次层叠设置的前表面钝化层和防反射层。
25、本申请实施例第二方面提供了一种光伏组件，所述光伏组件包括上述任一实施例中所述的背接触太阳能电池，所述背接触太阳能电池以整片或多分片的形式电连接成太阳能电池串。
26、本申请的有益效果：
27、本申请的背接触太阳能电池的半导体衬底的后表面具有n型导电区域和p型导电区域，n型导电区域设置有第一非金字塔状纹理结构，p型导电区域设置有第二非金字塔状纹理结构，在制备太阳能电池过程中，非金字塔状纹理结构有利于后期膜层在半导体衬底上的形成，进而可以获得更高的钝化质量。同时，非金字塔状纹理结构具有更好的与浆料之间的接触特征，使得丝网印刷金属浆料在形成电极时可以更好地填充其中，从而获得更优异的电极接触，进而获得更高的开路电压和填充因子，进而获得更高的电池转化效率。另外，在所述n型导电区域和/或所述p型导电区域靠近所述分界线的位置设置的孔洞有利于载流子的传输，进而有利于电池性能的提升，此外还可以提升900-1200波段的反射率1％-10％。
28、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本申请。
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1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底的后表面具有N型导电区域和P型导电区域；
2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述N型导电区域和/或所述P型导电区域距离所述分界线的位置5μm-15μm设置有孔洞。
3.根据权利要求2所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述N型导电区域和/或所述P型导电区域距离所述分界线的位置5μm-10μm设置有孔洞。
4.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述孔洞的直径为1μm-10μm。
5.根据权利要求4所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述孔洞的直径为1μm-5μm。
6.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述孔洞的深度为0.5μm-2μm。
7.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一非金字塔状纹理结构包括第一子结构和第二子结构；
8.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第二非金字塔状纹理结构包括第三子结构和第四子结构；
9.根据权利
10.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一非金字塔状纹理结构的顶部表面和所述第二非金字塔状纹理结构的顶部表面均为多边形平面。
11.根据权利要求10所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述多边形平面的形状包括菱形、方形、梯形、近似菱形、近似方形、近似梯形中的至少一种。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述N型导电区域在所述半导体衬底的后表面上的分布占比为50％-85％；
13.根据权利要求1～11中任一项所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述背接触太阳能电池还包括：
14.根据权利要求1～11中任一项所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述背接触太阳能电池还包括：
15.一种光伏组件，其特征在于，所述光伏组件包括权利要求1～14中任一项所述的背接触太阳能电池，所述背接触太阳能电池以整片或多分片的形式电连接成太阳能电池串。
...【技术特征摘要】
1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底的后表面具有n型导电区域和p型导电区域；
2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述n型导电区域和/或所述p型导电区域距离所述分界线的位置5μm-15μm设置有孔洞。
3.根据权利要求2所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述n型导电区域和/或所述p型导电区域距离所述分界线的位置5μm-10μm设置有孔洞。
4.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述孔洞的直径为1μm-10μm。
5.根据权利要求4所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述孔洞的直径为1μm-5μm。
6.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述孔洞的深度为0.5μm-2μm。
7.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一非金字塔状纹理结构包括第一子结构和第二子结构；
8.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第二非金字塔状纹理结构包括第三子结构和第四子结构；
9.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：李慧敏，徐孟雷，杨洁，张昕宇，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：
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