【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，更具体地说，本申请涉及一种半导体器件。
技术介绍
1、电感-电容锁相环(inductance-capacitance phase-locked loop，lc-pll)电路用于无线和有线通信系统以及其他应用和环境。压控振荡器(voltage-controlledoscillator，voc)中电感-电容谐振电路(lc tank)的集成电感器对整个电路的性能起着关键作用，特别是对相位噪声有显著影响。
2、由于电感耦合效应，lc-pll电路中不同电感器之间的隔离不足可能会降低硅晶粒(silicon die)中振荡器的相位噪声抑制性能。因此，本
中需要降低硅晶粒上电感器之间的电感耦合。
技术实现思路
1、本申请的目的之一是提供一种用于降低电感噪声耦合的改进型集成电感器以及使用该电感器的设备。
2、本申请的一个方面公开了一种半导体器件，包括：衬底；第一端子和第二端子；导体，设置在所述衬底上且位于所述第一端子和所述第二端子之间，以构成电感器；其中，所述电感器的形状被设置成形成沿第一方向并排布置的第一回路和第二回路；在所述第一回路和所述第二回路之间存在所述导体与自身的交叉处；所述第一回路定义第一封闭区域，所述第二回路定义第二封闭区域；以及至少一个接地棒，横穿所述第一回路或所述第二回路。
3、一些实施例中，所述电感器至少部分地被接地环包围。接地环可以进一步保护电感器，并且接地环可以便于与接地棒进行电性连接。
4、一些实施例中
5、一些实施例中，所述至少一个接地棒与所述接地环电连接。从而将接地环上的感应电流引入到接地棒，以使感应电流在流经接地棒时产生的电磁场或感应磁场与电感器自身的感应磁场至少部分地抵消，从而减轻电感耦合效应。
6、一些实施例中，所述至少一个接地棒穿过所述第一回路或所述第二回路的中心。从而达到更多的将感应电流在流经接地棒时产生的电磁场或感应磁场与电感器自身的感应磁场进行抵消，进一步减轻电感耦合效应。
7、一些实施例中，所述至少一个接地棒沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向正交。从而可以将感应电流在流经接地棒时产生的电磁场或感应磁场与电感器自身的感应磁场进行抵消。
8、一些实施例中，所述至少一个接地棒以最小设计规则制造。从而减少接地棒的设置对电感器工作可能存在的负面影响。
9、一些实施例中，所述至少一个接地棒的线宽小于或等于所述第一回路或所述第二回路的线圈尺寸。从而减少接地棒的设置对电感器工作可能存在的负面影响。
10、一些实施例中，所述至少一个接地棒不与所述导体电连接。从而减少接地棒的设置对电感器工作可能存在的负面影响。
11、一些实施例中，所述第一封闭区域小于所述第二封闭区域。以提供不同设计选择，提高设计灵活性和设计弹性。
12、本申请的另一个方面公开了一种半导体器件，包括：衬底；第一端子和第二端子；导体，设置在所述衬底上且位于所述第一端子和所述第二端子之间，以构成电感器；其中，所述电感器的形状被设置成形成沿第一方向并排布置的第一回路和第二回路；在所述第一回路和所述第二回路之间存在所述导体与自身的交叉处；所述第一回路定义第一封闭区域，所述第二回路定义第二封闭区域；第一接地棒，横穿所述第一回路；以及第二接地棒，横穿所述第二回路。
13、一些实施例中，所述电感器至少部分地被接地环包围。接地环可以进一步保护电感器，并且接地环可以便于与接地棒进行电性连接。
14、一些实施例中，所述接地环构造在位于所述衬底之上的顶层金属层处。从而便于接地环的制造和形成。
15、一些实施例中，所述第一接地棒和所述第二接地棒与所述接地环电连接。从而将接地环上的感应电流引入到接地棒，以使感应电流在流经接地棒时产生的电磁场或感应磁场与电感器自身的感应磁场至少部分地抵消，从而减轻电感耦合效应。
16、一些实施例中，所述第一接地棒穿过所述第一回路的中心，所述第二接地棒穿过所述第二回路的中心。从而达到更多的将感应电流在流经接地棒时产生的电磁场或感应磁场与电感器自身的感应磁场进行抵消，进一步减轻电感耦合效应。
17、一些实施例中，所述第一接地棒和所述第二接地棒沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向正交。从而可以将感应电流在流经接地棒时产生的电磁场或感应磁场与电感器自身的感应磁场进行抵消。
18、一些实施例中，所述第一接地棒和所述第二接地棒以最小设计规则制造。从而减少接地棒的设置对电感器工作可能存在的负面影响。
19、一些实施例中，所述第一接地棒和所述第二接地棒不与所述导体电连接。从而减少接地棒的设置对电感器工作可能存在的负面影响。
20、一些实施例中，所述半导体器件进一步包括：第三接地棒，插接在所述第一接地棒和所述第二接地棒之间。从而进一步将感应电流在流经接地棒时产生的电磁场或感应磁场与电感器自身的感应磁场进行抵消，进一步减轻电感耦合效应。
21、一些实施例中，所述第三接地棒与所述交叉处重叠。从而进一步将感应电流在流经接地棒时产生的电磁场或感应磁场与电感器自身的感应磁场进行抵消，进一步减轻电感耦合效应。
22、本专利技术的半导体器件由于包括：衬底；第一端子和第二端子；导体，设置在所述衬底上且位于所述第一端子和所述第二端子之间，以构成电感器；其中，所述电感器的形状被设置成形成沿第一方向并排布置的第一回路和第二回路；在所述第一回路和所述第二回路之间存在所述导体与自身的交叉处；所述第一回路定义第一封闭区域，所述第二回路定义第二封闭区域；以及至少一个接地棒，横穿所述第一回路或所述第二回路。本专利技术中接地棒穿过第一回路或第二回路，因此可以通过流经接地棒时产生的电磁场或感应磁场与电感器自身的感应磁场进行抵消，从而减轻电感耦合效应。
23、本专利技术的上述和其它目的对于本领域普通技术人员来说，在阅读了以下对各附图和附图中所示的优选实施例的详细描述后，将变得显而易见。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述电感器至少部分地被接地环包围。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述接地环构造在位于所述衬底之上的顶层金属层处。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述至少一个接地棒与所述接地环电连接。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述至少一个接地棒穿过所述第一回路或所述第二回路的中心。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述至少一个接地棒沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向正交。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述至少一个接地棒以最小设计规则制造。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述至少一个接地棒的线宽小于或等于所述第一回路或所述第二回路的线圈尺寸。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述至少一个接地棒不与所述导体电连接。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第
11.一种半导体器件，其特征在于，包括：
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述电感器至少部分地被接地环包围。
13.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述接地环构造在位于所述衬底之上的顶层金属层处。
14.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述第一接地棒和所述第二接地棒与所述接地环电连接。
15.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述第一接地棒穿过所述第一回路的中心，所述第二接地棒穿过所述第二回路的中心。
16.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述第一接地棒和所述第二接地棒沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向正交。
17.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述第一接地棒和所述第二接地棒以最小设计规则制造。
18.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述第一接地棒和所述第二接地棒不与所述导体电连接。
19.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括：
20.根据权利要求19所述的半导体器件，其特征在于，所述第三接地棒与所述交叉处重叠。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述电感器至少部分地被接地环包围。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述接地环构造在位于所述衬底之上的顶层金属层处。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述至少一个接地棒与所述接地环电连接。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述至少一个接地棒穿过所述第一回路或所述第二回路的中心。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述至少一个接地棒沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向正交。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述至少一个接地棒以最小设计规则制造。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述至少一个接地棒的线宽小于或等于所述第一回路或所述第二回路的线圈尺寸。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述至少一个接地棒不与所述导体电连接。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一封闭区域小于所述第二封闭区域。
11.一种半...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪欣妤，孙瑞伯，林圣谋，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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