【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及量子点显示，特别涉及一种量子点发光器件、制备方法及显示装置。
技术介绍
1、量子点(quantum dot)是准零维的纳米材料，由少量的原子构成。量子点三个维度的尺寸都在100纳米以下，其内部电子在各个方向上的运动都受到限制，具有显著的量子限域效应。
2、通过控制量子点的形状、结构和尺寸，就可以方便地调节其能隙宽度、激子束缚能的大小以及激子的能量蓝移等电子状态，随着量子点尺寸逐渐减小，量子点的光吸收谱出现蓝移现象。量子点的尺寸越小，量子点的光吸收谱蓝移现象也越显著，即，量子尺寸效应。
3、随着量子点粒径的减小，大部分原子位于量子点的表面，量导致表面原子的配位不足，不饱和键和悬键增多使这些表面原子具有高的活性、极不稳定，很容易与其他原子结合，即，量子点的表面效应。
4、量子点的发射光谱可以通过改变量子点的尺寸大小来控制。通过改变量子点的尺寸和它的化学组成可以使其发射光谱覆盖整个可见光区。因此，量子点显示器件具有“色域高、色度纯、色彩久”的特性。
5、但量子点发光层在制作时需要加入配体，保护表面。当量子点制作成器件后，在高温加热退火后，量子点之间会存在微小空隙，导致载流子传输淬灭，影响器件效率。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的是提供一种量子点发光器件、制备方法及显示装置，旨在解决现有技术中量子点发光器件高温加热退火后载流子传输效率降低的技术问题。
2、本专利技术提出一种量子点发光器件，包括：
4、电子传输层，所述电子传输层设置于所述量子点发光层上，所述电子传输层采用第一材料制成，当所述第一材料加热到第一温度时，所述第一材料由固相转化为液相，所述第一温度不高于所述量子点发光器件的退火温度。
5、在本专利技术的部分实施例中，所述第一材料为二溴苯或二茂铁中的任意一种。
6、在本专利技术的部分实施例中，所述第一材料为二溴苯时，所述第一温度为87.3℃-90℃；
7、所述第一材料为二茂铁时，所述第一温度为172℃-174℃。
8、在本专利技术的部分实施例中，所述量子点发光器件还包括：
9、电子注入层，所述电子注入层位于所述电子传输层背离所述量子点发光层的一侧，所述电子注入层与所述电子传输层层叠设置；
10、阴极层，所述阴极层位于所述电子注入层背离所述电子传输层的一侧，所述阴极层与所述电子注入层层叠设置；
11、空穴传输层，所述空穴传输层位于所述量子点发光层背离所述电子传输层的一侧，所述量子点发光层与所述空穴传输层；
12、空穴注入层，所述空穴注入层位于所述空穴传输层背离所述量子点发光层的一侧，所述空穴注入层与所述空穴传输层层叠设置；
13、阳极层，所述阳极层位于所述空穴注入层背离所述空穴传输层的一侧，所述阳极层与所述空穴注入层层叠设置。
14、在本专利技术的部分实施例中，所述电子注入层采用所述第一材料制成。
15、本专利技术的部分实施例还提供了一种量子点发光器件的制备方法，包括：
16、将第一材料喷墨打印到所述量子点发光层上以形成电子传输层，所述电子传输层由固相转化为液相的相变温度为第一温度；
17、对所述量子点发光器件进行加热退火，其中，所述量子点发光器件的退火温度不小于所述第一温度，以使所述电子传输层发生相变，所述第一材料纵向渗透到所述量子点发光层中，对所述量子点发光层的内部空隙进行填充。
18、在本专利技术的部分实施例中，在所述制备量子点发光层之前，所述方法还包括：
19、制备阳极层；
20、在所述阳极层上制备空穴注入层；
21、在所述空穴注入层上制备空穴传输层；
22、所述制备量子点发光层，包括：
23、在所述空穴传输层上制备所述量子点发光层。
24、在本专利技术的部分实施例中，在所述将第一材料喷墨打印到所述量子点发光层上以形成电子传输层之后，以及在所述对所述量子点发光器件进行加热退火之前，所述方法包括：
25、在所述电子传输层上制备电子注入层；
26、在所述电子注入层上制备阴极层；
27、所述对所述量子点发光器件进行加热退火，包括：
28、在所述阴极层制备完成后，对所述量子点发光器件进行加热退火。
29、本专利技术的部分实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的量子点发光器件。
30、在本专利技术的部分实施例中，所述显示装置还包括：
31、基板；
32、薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层成型于所述基板上，所述量子点发光器件设置于所述薄膜晶体管层上。
33、本专利技术提供的一种量子点发光器件、制备方法及显示装置，本专利技术通过将电子传输层采用在第一温度下会由固相转化为液相的第一材料制成，在量子点发光层进行加热到第一温度或退火时电子传输层由固相转化为液相，从而使液相的第一材料纵向渗透到量子点发光层中，对因退火而使量子点发光层产生的空隙进行填充修饰，同时渗透到量子点发光层表面的第一材料还可对量子点发光层进行膜层钝化，保证了量子点发光器件载流子传输效率的同时，还增加了电荷提取效率，钝化晶界处的缺陷并抑制离子迁移，提高量子点发光器件的稳定性。
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1.一种量子点发光器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述第一材料为二溴苯或二茂铁中的任意一种。
3.根据权利要求2所述的量子点发光器件，其特征在于，所述第一材料为二溴苯时，所述第一温度为87.3℃-90℃；
4.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件还包括：
5.根据权利要求4所述的量子点发光器件，其特征在于，所述电子注入层采用所述第一材料制成。
6.一种量子点发光器件的制备方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的量子点发光器件的制备方法，其特征在于，在所述制备量子点发光层之前，所述方法还包括：
8.根据权利要求7所述的量子点发光器件，其特征在于，在所述将第一材料喷墨打印到所述量子点发光层上以形成电子传输层之后，以及在所述对所述量子点发光器件进行加热退火之前，所述量子点发光器件的制备方法还包括：
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-5任意一项所述的量子点发光器件。
10.根据权利要求
...【技术特征摘要】
1.一种量子点发光器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述第一材料为二溴苯或二茂铁中的任意一种。
3.根据权利要求2所述的量子点发光器件，其特征在于，所述第一材料为二溴苯时，所述第一温度为87.3℃-90℃；
4.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件还包括：
5.根据权利要求4所述的量子点发光器件，其特征在于，所述电子注入层采用所述第一材料制成。
6.一种量子点发光器件的制备方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪国杰，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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