前馈零点稳定性补偿的PMOS功率管LDO电路制造技术

前馈零点稳定性补偿的PMOS功率管LDO电路，涉及集成电路技术。本发明专利技术包括初级放大器（EA）、次级放大器（A）和PMOS功率管（MPOWER），还包括第四PMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第三NMOS管、第一NMOS管、第四NMOS管、第二NMOS管、第五NMOS管。采用本发明专利技术，作为补偿的LDO可以不需要电容的寄生ESR电阻实现稳定，LDO从空载到重载（1A）跳变时，过冲电压小于50mV。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子技术，特别涉及集成电路技术。

技术介绍

1、现有功率管为pmos的ldo中，ldo的稳定性较难实现。稳定性补偿涉及到轻载，重载输出极点从极低频率变化至高频的过程。输出极点频率的变化给ldo稳定性补偿带来了很大的挑战，采用普通的电路结构，一般都需要输出电容的寄生esr电阻带来一个零点补偿ldo内部各种频率的极点。寄生esr电阻会增大瞬态过冲，在快速瞬态响应的ldo中会带来性能的下降，并且存在寄生esr电阻的钽电容有不稳定的特点。

2、为了实现ldo的稳定，很多ldo都要求输出电容需要有寄生的esr电阻，通过esr电阻与输出电容串联来得到一个零点，此零点能够应用于ldo中内部极点的补偿。但是对于大功率快速瞬态响应ldo，寄生esr电阻会严重增大瞬态过冲，造成性能下降，并且存在寄生esr电阻的钽电容有不稳定的特点，会给应用方带来风险，很多应用方已经不再选择钽电容作为输出电容。

3、图1是一种现有技术的ldo电路图，采用pmos功率管作为输出极，要由误差放大器ea1和pmos输出极提供增益。图中的单位增益放大器用来降低pm本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.前馈零点稳定性补偿的PMOS功率管LDO电路，包括初级放大器（EA）、次级放大器（A）和PMOS功率管（MPOWER），PMOS功率管（MPOWER）的漏极作为LDO输出端（VOUT）通过串联的第一电阻（R1）和第二电阻（R2）接地，第一电阻（R1）和第二电阻（R2）的串联连接点连接到初级放大器的负性输入端，

2.如权利要求1所述的前馈零点稳定性补偿的PMOS功率管LDO电路，其特征在于，第一PMOS管（MP1）和第二PMOS管（MP2）的宽长比相同，第一NMOS管（MN1）和第二NMOS管（MN2）的宽长比相同。

【技术特征摘要】

1.前馈零点稳定性补偿的pmos功率管ldo电路，包括初级放大器（ea）、次级放大器（a）和pmos功率管（mpower），pmos功率管（mpower）的漏极作为ldo输出端（vout）通过串联的第一电阻（r1）和第二电阻（r2）接地，第一电阻（r1）和第二电阻（r...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈智颖，高学磊，
申请(专利权)人：晟芯腾跃北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：