【技术实现步骤摘要】
本公开涉及用于宽带隙器件的测试系统。具体而言，本公开涉及通过控制用于测试宽带隙器件的系统中的信号发生器和电源来进行动态垂直信号校准的系统和方法。
技术介绍
1、电力电子设备中使用的半导体材料正在从硅基器件过渡到宽带隙(wbg)半导体，诸如碳化硅(sic)和氮化镓(gan)。这种材料的变化是由于wbg半导体在尺寸、速度和电功率方面比其基于硅的前辈更优越的性能。这些增加的性能特性正使wbg半导体的采用不断增加，尤其是对于汽车和工业应用。
2、通常使用双脉冲测试(dpt)方法来执行以下操作：测量和验证金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)或绝缘栅双极型晶体管(igbt)器件的开关参数。在这种方法中，在电感箝位电路中，两个脉冲在分离的时间应用在器件的栅极上。完全验证sic和gan基wbg使用静态和动态测量二者。优选地，该测试在设计周期的早期执行，并因此可以帮助减少上市时间。
3、wbg器件中使用的较高操作频率和较高功率的组合降低了测量的可靠性。例如，通常很难区分所测量的响应是器件的特性还是测量测试设置的寄生特性。此外，现有的测试解决方案使用手动方法来控制远程测试仪器，这既耗时又容易出错。更具体地，在传统的wbg测试中，用户手动调整仪器的测量标度，直到期望的测试范围在输出显示器上可见。通常，这种测试是通过在测量设备上运行专有脚本来执行的，并且可能包括管理跨越几个不同设备的多个测试。另一个问题是，由于wbg器件的性质，为设置仪器而执行的预测试可能会导致wbg器件的性能与它们在实际测试期间的不同。因此，在某些情况
4、根据本公开的实施例解决了传统测试系统的这些问题。
技术实现思路
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种用于测量宽带隙被测设备(DUT)的特性的系统，包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中应用激励包括使用测量仪器来驱动测试夹具的波形发生器。
3.根据权利要求2的系统，其中波形发生器产生至少两个信号，并且包括至少两个信号之间的预选延迟。
4.根据权利要求1所述的系统，还包括使用测量仪器来控制测试夹具的低侧电源电压供应和高侧电源电压供应。
5.根据权利要求1所述的系统，其中测量响应包括测量一个或多个宽带隙DUT的漏极到源极电压、一个或多个宽带隙DUT的栅极到源极电压或一个或多个宽带隙DUT的漏极电流。
6.根据权利要求1所述的系统，其中迭代地执行自动调整一个或多个显示器的垂直标度。
7.根据权利要求6所述的系统，其中迭代地调整垂直标度包括重复地进行以下操作：
8.根据权利要求6所述的系统，其中迭代地调整垂直标度包括重复地进行以下操作：
9.根据权利要求1所述的系统，其中测试夹具包括用于设置一个或多个宽带隙DUT的温度的温度控制部，并且其中测量仪器被配置为操作温度控制部。
<...【技术特征摘要】
1.一种用于测量宽带隙被测设备(dut)的特性的系统，包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中应用激励包括使用测量仪器来驱动测试夹具的波形发生器。
3.根据权利要求2的系统，其中波形发生器产生至少两个信号，并且包括至少两个信号之间的预选延迟。
4.根据权利要求1所述的系统，还包括使用测量仪器来控制测试夹具的低侧电源电压供应和高侧电源电压供应。
5.根据权利要求1所述的系统，其中测量响应包括测量一个或多个宽带隙dut的漏极到源极电压、一个或多个宽带隙dut的栅极到源极电压或一个或多个宽带隙dut的漏极电流。
6.根据权利要求1所述的系统，其中迭代地执行自动调整一个或多个显示器的垂直标度。
7.根据权利要求6所述的系统，其中迭代地调整垂直标度包括重复地进行以下操作：
8.根据权利要求6所述的系统，其中迭代地调整垂直标度包括重复地进行以下操作：
9.根据权利要求1所述的系统，其中测试夹具包括用于设置一个或多个宽带隙dut的温度的温度控制部，并且其中测量仪器被配置为操作温度控制部。
10.一种用于在耦合到包括一个或多...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·布，K·N·H·斯里，S·K·克，Y·M·派，
申请(专利权)人：特克特朗尼克公司，
类型：发明
国别省市：
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