【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体，具体涉及一种半导体器件的制作方法及半导体器件。
技术介绍
1、在半导体集成电路制造技术中，随着半导体技术的发展，半导体集成电路的集成度的不断提高，半导体器件尺寸不断减小，关键尺寸变得越来越小，这就对光刻工艺带来更高的要求和挑战。为了能得到精确的图形，需要保证在限定的焦距范围下进行光刻曝光，这样最大限度地减少离焦(defocus)发生的概率。
2、半导体器件尺寸不断减小的同时，晶圆上膜层的数量越来越多，膜层总的厚度越来越大，晶圆的应力以及外缘的复杂膜层结构，导致晶圆外缘的平整度较差。
3、晶圆外缘的平整度不能保证，在曝光制程中，晶圆外缘不能在限定的焦距下进行光刻曝光，将导致曝光不完全，进而影响晶圆外缘的良率。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种半导体器件的制作方法及半导体器件，以改善晶圆外缘的平整度，提高晶圆外缘的良率。
2、为了达到上述目的，本申请提供了一种半导体器件的制作方法，包括：
3、至少在晶圆的背面形成垫高层，所述晶圆的背面包括第一中心平面区和环绕所述第一中心平面区的第一弧面过渡区，所述第一弧面过渡区连接所述第一中心平面区和所述晶圆外圆，所述垫高层覆盖区域大于所述第一弧面过渡区；
4、在所述垫高层远离所述晶圆一侧形成阻挡结构，所述阻挡结构至少覆盖所述第一弧面过渡区，在所述晶圆的背面一侧的所述阻挡结构具有第一内孔，所述第一内孔的内径为d1；
5、去除所述第一内孔内的部分所述垫高层
6、可选的，形成所述阻挡结构的方法包括：
7、在所述垫高层远离所述晶圆一侧形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述第一中心平面区和所述第一弧面过渡区，或所述阻挡层覆盖区域大于所述第一弧面过渡区，在所述晶圆的背面一侧的所述阻挡层具第三内孔，所述第三内孔的内径为d2，d2＜d1；
8、去除所述晶圆的背面的部分所述阻挡层，形成所述阻挡结构。
9、可选的，所述半导体器件的制作方法包括：
10、在所述晶圆上形成多个功能层，所述多个功能层至少部分位于所述晶圆的正面，所述多个功能层至少包括所述垫高层和所述阻挡层，所述垫高层和所述阻挡层还覆盖所述晶圆的正面。
11、可选的，所述半导体器件的制作方法还包括：
12、在曝光至少一所述功能层形成目标图案后，至少去除所述晶圆的背面的所述阻挡结构和所述垫高结构。
13、可选的，所述晶圆的正面包括第二中心平面区和环绕所述第二中心平面区的第二弧面过渡区，所述第二弧面过渡区连接所述第二中心平面区和所述晶圆外圆，所述阻挡结构和所述垫高结构均至少覆盖所述第一弧面过渡区、所述第二中心平面区和所述第二弧面过渡区，所述半导体器件的制作方法还包括：
14、去除所述晶圆的背面的所述阻挡结构和所述垫高结构，以及所述第二弧面过渡区的至少部分所述阻挡结构和所述垫高结构。
15、可选的，去除部分所述阻挡结构和所述垫高结构的方法包括：
16、采用边缘刻蚀去除所述第一弧面过渡区和所述第二弧面过渡区的至少部分所述阻挡结构和所述垫高结构；
17、采用背面刻蚀去除所述晶圆的背面的剩余所述阻挡结构和所述垫高结构。
18、可选的，去除所述第一弧面过渡区和所述第二弧面过渡区的部分所述阻挡结构和所述垫高结构采用干法刻蚀，去除所述晶圆的背面的剩余所述阻挡结构和所述垫高结构采用湿法刻蚀。
19、可选的，所述第一中心平面区的直径为d1，d2＜d1＜d1。
20、可选的，所述垫高层和所述阻挡层均为无机结构层，所述垫高层的材质包括氮化硅，所述垫高层采用扩散工艺形成；和/或
21、所述阻挡层的材质包括二氧化硅，所述阻挡层采用化学气相沉积工艺形成。
22、可选的，所述垫高结构和所述阻挡结构均采用湿法刻蚀形成，刻蚀所述阻挡层时，通过控制所述湿法刻蚀的时间控制所述阻挡结构的第一内孔的内径d1。
23、本申请还提供一种半导体器件，所述半导体器件采用所述的半导体器件的制作方法制作而成。
24、本申请公开的半导体器件的制作方法及半导体器件具有以下有益效果：
25、本实施例中半导体器件的制作方法包括：至少在晶圆的背面形成垫高层，垫高层覆盖区域大于第一弧面过渡区，在垫高层远离晶圆一侧形成阻挡结构，阻挡结构至少覆盖第一弧面过渡区，在晶圆的背面一侧的阻挡结构具有第一内孔，第一内孔的内径为d1，在阻挡结构的遮挡下去除第一内孔内的部分垫高层，形成垫高结构。阻挡结构和垫高结构可将晶圆外缘垫起，减小第二弧面过渡区的曲率，提高晶圆外缘的平整度，减小或消除晶圆外缘超过焦深极限的区域，改善了曝光不完全问题，提高晶圆外缘的良率。
26、本申请的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本申请的实践而习得。
27、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
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1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成所述阻挡结构的方法包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件的制作方法包括：
4.根据权利要求1～3任意一项所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件的制作方法还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述晶圆的正面包括第二中心平面区和环绕所述第二中心平面区的第二弧面过渡区，所述第二弧面过渡区连接所述第二中心平面区和所述晶圆外圆，所述阻挡结构和所述垫高结构均至少覆盖所述第一弧面过渡区、所述第二中心平面区和所述第二弧面过渡区，所述半导体器件的制作方法还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，去除部分所述阻挡结构和所述垫高结构的方法包括：
7.根据权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，去除所述第一弧面过渡区和所述第二弧面过渡区的部分所述阻挡结构和所述垫高结构采用干法刻蚀，去除所述晶圆的背面的
8.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一中心平面区的直径为D1，d2＜d1＜D1。
9.根据权利要求8所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述垫高层和所述阻挡层均为无机结构层，所述垫高层的材质包括氮化硅，所述垫高层采用扩散工艺形成；和/或
10.根据权利要求9所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述垫高结构和所述阻挡结构均采用湿法刻蚀形成，刻蚀所述阻挡层时，通过控制所述湿法刻蚀的时间控制所述阻挡结构的第一内孔的内径d1。
11.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件采用如权利要求1～10任意一项所述的半导体器件的制作方法制作而成。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成所述阻挡结构的方法包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件的制作方法包括：
4.根据权利要求1～3任意一项所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件的制作方法还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述晶圆的正面包括第二中心平面区和环绕所述第二中心平面区的第二弧面过渡区，所述第二弧面过渡区连接所述第二中心平面区和所述晶圆外圆，所述阻挡结构和所述垫高结构均至少覆盖所述第一弧面过渡区、所述第二中心平面区和所述第二弧面过渡区，所述半导体器件的制作方法还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，去除部分所述阻挡结构和所述垫高结构的方法包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：胡玉栋，
申请(专利权)人：深圳市昇维旭技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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