【技术实现步骤摘要】
本申请涉及封装，特别是涉及一种玻璃封装基板的制作方法及玻璃封装基板、封装体。
技术介绍
1、封装是将集成电路裸片(die)放在起到承载作用的基板上，然后将基板及集成电路裸片固定包装成一个整体，形成封装体，管脚从封装体引出。封装体起到芯片保护、电气互连、散热等功能。玻璃作为一种新兴的封装载板材料，具有低介电常数，低介电损耗，低成本等优势，得到众多芯片设计及封装厂家的广泛关注。
技术实现思路
1、本申请实施例的目的在于提供一种玻璃封装基板的制作方法及玻璃封装基板、封装体，以改善玻璃封装基板的翘曲。具体技术方案如下：
2、本申请第一方面的实施例提供一种玻璃封装基板的制作方法，包括以下步骤：
3、提供玻璃芯板，玻璃芯板包括第一表面以及与其相对的第二表面；
4、在玻璃芯板上形成导电通孔；
5、在玻璃芯板的第一表面和第二表面上同时形成第一导电层；
6、在两个第一导电层的背离玻璃芯板的一侧同时形成至少一膜层结构，每一膜层结构包括abf层和第二导电层，第二导电层位于abf层的背离玻璃芯板的一侧；
7、在两个第二导电层上形成阻焊层和第三导电层。
8、在本申请的一些实施例中，在玻璃芯板上形成导电通孔的步骤，包括：
9、在玻璃芯板上形成通孔；
10、在通孔内填充导电结构。
11、在本申请的一些实施例中，在玻璃芯板上形成通孔的步骤，包括：
12、在玻璃芯板上通过激光改性再刻蚀
13、或者，在玻璃芯板上，通过在第一表面和第二表面中的一者上进行刻蚀，在第一表面和第二表面的另一者上进行减薄，形成通孔；
14、又或者，在玻璃芯板上，通过在第一表面和第二表面上进行减薄，然后在第一表面和第二表面进行刻蚀，形成通孔。
15、在本申请的一些实施例中，在通孔内填充导电结构的步骤，包括：
16、在通孔内填满导电材料；
17、或者，在通孔的孔壁上形成第四导电层，在通孔的中心填充绝缘材料。
18、在本申请的一些实施例中，所述第四导电层的厚度在5um以上。
19、在本申请的一些实施例中，在玻璃芯板的第一表面和第二表面上同时形成第一导电层的步骤，包括：
20、在第一表面和第二表面上同时形成第一子导电层；
21、在两个第一子导电层的背离玻璃芯板的一侧同时形成第二子导电层，完成第一表面和第二表面上的第一导电层的初加工；
22、对初加工形成的两个第一导电层同时进行图案化处理。
23、在本申请的一些实施例中，在玻璃芯板的第一表面和第二表面上同时形成第一导电层的步骤，包括：
24、在第一表面和第二表面上同时形成第一子导电层；
25、在两个第一子导电层的背离玻璃芯板的一侧同时贴干膜，通过曝光、显影同时对两个干膜进行图案化处理，露出第一子导电层；
26、在露出的第一子导电层上同时形成第二子导电层；
27、去除干膜，完成两个第一导电层的初加工；
28、在初加工形成的两个第一导电层上同时进行刻蚀，完成两个第一导电层的图案化处理。
29、在本申请的一些实施例中，在两个第一导电层的背离玻璃芯板的一侧同时形成至少一膜层结构的步骤，包括：
30、在两个第一导电层的背离玻璃芯板的一侧同时形成abf层；
31、在两个abf层的背离玻璃芯板的一侧同时形成第二导电层。
32、在本申请的一些实施例中，在两个第一导电层的背离玻璃芯板的一侧同时形成abf层的步骤，包括：
33、在两个第一导电层的背离玻璃芯板的一侧同时压合形成abf层；
34、进行两个abf层的固化；
35、在两个abf层上开孔。
36、在本申请的一些实施例中，在两个abf层的背离玻璃芯板的一侧同时形成第二导电层的步骤，包括：
37、在两个abf层的背离玻璃芯板的一侧同时形成第三子导电层；
38、在两个第三子导电层的背离玻璃芯板的一侧同时贴干膜，通过曝光、显影同时对两个干膜进行图案化处理，露出第三子导电层；
39、在露出的第三子导电层上同时形成第四子导电层；
40、去除干膜，完成两个第二导电层的初加工；
41、在初加工形成的两个第二导电层上同时进行刻蚀，完成两个第二导电层的图案化处理。
42、在本申请的一些实施例中，在两个abf层的背离玻璃芯板的一侧同时形成第二导电层的步骤，包括：
43、在两个abf层的背离玻璃芯板的一侧同时形成第三子导电层；
44、在两个第三子导电层的背离玻璃芯板的一侧同时形成第四子导电层，完成两个abf层的背离玻璃芯板的一侧的第二导电层的初加工；
45、对初加工形成的两个第二导电层同时进行图案化处理。
46、在本申请的一些实施例中，在两个第二导电层上形成阻焊层和第三导电层的步骤，包括：
47、在两个第二导电层通过贴膜或旋涂的方式形成阻焊层，
48、在阻焊层上，通过曝光、显影将连接焊盘的第二导电层露出；
49、在露出的第二导电层上形成第三导电层。
50、本申请第二方面的实施例提供一种玻璃封装基板，包括通过根据第一方面中任一项所述的制作方法制作而成的玻璃封装基板。
51、在本申请的一些实施例中，所述导电通孔包括形成于所述玻璃芯板上的通孔，以及填充于所述通孔内的导电结构，所述通孔采用圆柱形通孔、漏斗形通孔或沙漏形通孔。
52、在本申请的一些实施例中，所述导电结构包括导电体，所述导电体与所述通孔的形状相适配。
53、在本申请的一些实施例中，所述导电结构包括第四导电层和绝缘体，所述第四导电层设置在所述通孔的孔壁上，所述绝缘体设置在所述通孔的中心。
54、在本申请的一些实施例中，所述第四导电层的厚度在5um以上。
55、本申请第三方面的实施例提供一种封装体，包括根据第二方面中任一项所述的玻璃封装基板、裸芯片和焊球，所述裸芯片和焊球布置在所述玻璃封装基板的同侧或异侧，所述裸芯片的数量为一个或多个，所述多个裸芯片布置在所述玻璃封装基板的同侧或异侧。
56、本申请实施例有益效果：
57、本申请实施例提供的玻璃封装基板的制作方法中，膜层结构包括abf层和第二导电层， abf层的固化温度低，固化温度在200℃以内，可降低整个玻璃封装基板的制程温度，进而可降低第一导电层和第二导电层在玻璃芯板上产生的应力，改善玻璃封装基板的翘曲；另一方面，由于abf层材料本身的特点，其可直接压合成膜于玻璃芯板上，因此可在玻璃芯板的两侧同时加工abf层，进而可在玻璃芯板的两侧同时第二导电层；在玻璃芯板的第一表面和第二表面上同时加工第一导电层，两个第一导电层在玻璃芯板的第一表面和第二本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种玻璃封装基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的玻璃封装基板的制作方法，其特征在于，在玻璃芯板上形成导电通孔的步骤，包括：
3.根据权利要求2所述的玻璃封装基板的制作方法，其特征在于，在玻璃芯板上形成通孔的步骤，包括：
4.根据权利要求2所述的玻璃封装基板的制作方法，其特征在于，在通孔内填充导电结构的步骤，包括：
5.根据权利要求4所述的玻璃封装基板的制作方法，其特征在于，所述第四导电层的厚度在5um以上。
6.根据权利要求1所述的玻璃封装基板的制作方法，其特征在于，在玻璃芯板的第一表面和第二表面上同时形成第一导电层的步骤，包括：
7.根据权利要求1所述的玻璃封装基板的制作方法，其特征在于，在玻璃芯板的第一表面和第二表面上同时形成第一导电层的步骤，包括：
8.根据权利要求1所述的玻璃封装基板的制作方法，其特征在于，在两个第一导电层的背离玻璃芯板的一侧同时形成至少一膜层结构的步骤，包括：
9.根据权利要求8所述的玻璃封装基板的制作方法，其特征在于，在两
10.根据权利要求8所述的玻璃封装基板的制作方法，其特征在于，在两个ABF层的背离玻璃芯板的一侧同时形成第二导电层的步骤，包括：
11.根据权利要求8所述的玻璃封装基板的制作方法，其特征在于，在两个ABF层的背离玻璃芯板的一侧同时形成第二导电层的步骤，包括：
12.根据权利要求1所述的玻璃封装基板的制作方法，其特征在于，在两个第二导电层上形成阻焊层和第三导电层的步骤，包括：
13.一种玻璃封装基板，其特征在于，包括通过根据权利要求1至12任一项所述的制作方法制作而成的玻璃封装基板。
14.根据权利要求13所述的玻璃封装基板，其特征在于，所述导电通孔包括形成于所述玻璃芯板上的通孔，以及填充于所述通孔内的导电结构，所述通孔采用圆柱形通孔、漏斗形通孔或沙漏形通孔。
15.根据权利要求14所述的玻璃封装基板，其特征在于，所述导电结构包括导电体，所述导电体与所述通孔的形状相适配。
16.根据权利要求14所述的玻璃封装基板，其特征在于，所述导电结构包括第四导电层和绝缘体，所述第四导电层设置在所述通孔的孔壁上，所述绝缘体设置在所述通孔的中心。
17.根据权利要求16所述的玻璃封装基板，其特征在于，所述第四导电层的厚度在5um以上。
18.一种封装体，其特征在于，包括根据权利要求13至17任一项所述的玻璃封装基板、裸芯片和焊球，所述裸芯片和焊球布置在所述玻璃封装基板的同侧或异侧，所述裸芯片的数量为一个或多个，所述多个裸芯片布置在所述玻璃封装基板的同侧或异侧。
...【技术特征摘要】
1.一种玻璃封装基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的玻璃封装基板的制作方法，其特征在于，在玻璃芯板上形成导电通孔的步骤，包括：
3.根据权利要求2所述的玻璃封装基板的制作方法，其特征在于，在玻璃芯板上形成通孔的步骤，包括：
4.根据权利要求2所述的玻璃封装基板的制作方法，其特征在于，在通孔内填充导电结构的步骤，包括：
5.根据权利要求4所述的玻璃封装基板的制作方法，其特征在于，所述第四导电层的厚度在5um以上。
6.根据权利要求1所述的玻璃封装基板的制作方法，其特征在于，在玻璃芯板的第一表面和第二表面上同时形成第一导电层的步骤，包括：
7.根据权利要求1所述的玻璃封装基板的制作方法，其特征在于，在玻璃芯板的第一表面和第二表面上同时形成第一导电层的步骤，包括：
8.根据权利要求1所述的玻璃封装基板的制作方法，其特征在于，在两个第一导电层的背离玻璃芯板的一侧同时形成至少一膜层结构的步骤，包括：
9.根据权利要求8所述的玻璃封装基板的制作方法，其特征在于，在两个第一导电层的背离玻璃芯板的一侧同时形成abf层的步骤，包括：
10.根据权利要求8所述的玻璃封装基板的制作方法，其特征在于，在两个abf层的背离玻璃芯板的一侧同时形成第二导电层的步骤，包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：曹雪，吴艺凡，冯昱霖，李月，肖月磊，安齐昌，常文博，李慧颖，李必奇，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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