【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
1、显示面板栅极驱动技术(gate driver on array，goa)和列扫描驱动技术(demux)作为一种主流显示技术，在高品质显示器件中实现低成本和实现边框(border)缩减中具有明显的优势。众所周知，goa和demux区域需要采用大电流驱动，因此如果采用常规的器件结构，需要把薄膜晶体管(thin film transistor，tft)尺寸变大来增大电流，tft的尺寸在一定程度上限制了goa电路大小及边框的大小，且常规器件的工序复杂繁多。
技术实现思路
1、本申请提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，可以节省光罩制程，进而可以节省工序。
2、本申请提供一种显示面板，包括显示区和非显示区，所述非显示区围绕所述显示区设置，还包括：
3、衬底；
4、第一薄膜晶体管，位于所述非显示区，所述第一薄膜晶体管包括第一漏极层，所述第一漏极层位于所述衬底的一侧面；
5、第二薄膜晶体管，位于所述显示区，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极层，所述第二栅极层位于所述衬底的一侧面；
6、其中，所述第一漏极层与所述第二栅极层同层设置。
7、在一些实施方式中，所述第一薄膜晶体管还包括第一源极层，所述第一源极层位于所述第一漏极层和所述衬底之间；
8、所述第二薄膜晶体管还包括遮光层，所述遮光层位于所述第二栅极层和所述衬底之间；
9、其
10、在一些实施方式中，所述第一薄膜晶体管还包括第一层间绝缘层，所述第一层间绝缘层位于所述第一源极层与所述第一漏极层之间；
11、所述第二薄膜晶体管还包括第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层位于所述第二栅极层与所述遮光层之间；
12、其中，所述第一层间绝缘层与所述第二栅极绝缘层同层设置。
13、在一些实施方式中，所述第一薄膜晶体管还包括第一栅极层，所述第一栅极层位于所述第一漏极层背离所述衬底的一侧面；
14、所述第二薄膜晶体管还包括第二源极层和第二漏极层；
15、其中，所述第二源极层和所述第二漏极层与所述第一栅极层同层设置。
16、在一些实施方式中，所述第一薄膜晶体管还包括第一有源层，所述第一有源层覆盖所述第一漏极层；
17、所述第一有源层包括相互连接的第一沟道区和第一非沟道区；所述第一沟道区的延伸方向与所述第一非沟道区的延伸方向具有角度θ1，满足：95°≤θ1≤115°。
18、在一些实施方式中，所述第一有源层还包括第二非沟道区；所述第一沟道区的一端与所述第一非沟道区连接；所述第一沟道区的另一端与所述第二非沟道区连接；
19、所述第一栅极层包括依次连接的第一段、第二段和第三段；所述第二段与所述第一沟道区相对设置，所述第一沟道区与所述第二段之间具有距离l，满足：50nm≤l≤200nm。
20、相应的，本申请还提供一种显示面板的制备方法，包括：
21、提供一衬底；
22、在所述衬底的一侧面形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管位于非显示区，所述第二薄膜晶体管位于显示区；
23、所述第一薄膜晶体管包括第一漏极层，所述第一漏极层位于所述衬底的一侧面；
24、所述第二薄膜晶体管包括第二栅极层，所述第二栅极层位于所述衬底的一侧面；
25、其中，所述第一漏极层与所述第二栅极层同层设置。
26、在一些实施方式中，在所述衬底的一侧面形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管包括：
27、在所述衬底的一侧面形成第一金属层；
28、对所述第一金属层图案化处理形成第一源极层和遮光层。
29、在一些实施方式中，在对所述第一金属层图案化处理形成第一源极层和遮光层之后，还包括：
30、形成覆盖所述衬底、所述第一源极层和所述遮光层的缓冲层；
31、对所述缓冲层图案化处理形成暴露出所述第一源极层的第一过孔；
32、在所述缓冲层背离所述衬底的一侧面形成第一介质层；
33、对所述第一介质层图案化处理形成第一层间绝缘层和第二栅极绝缘层。
34、在一些实施方式中，在对所述第一介质层图案化处理形成第一层间绝缘层和第二栅极绝缘层之后，还包括：
35、形成覆盖所述衬底、所述第一层间绝缘层和所述第二栅极绝缘层的第二金属层；
36、对所述第二金属层图案化处理形成第一漏极层和第二栅极层。
37、在一些实施方式中，在对所述第二金属层图案化处理形成第一漏极层和第二栅极层之后，还包括：
38、形成覆盖所述第一漏极层和所述第一过孔的第一有源层，所述第一有源层包括相互连接的第一沟道区和第一非沟道区；所述第一沟道区的延伸方向与所述第一非沟道区的延伸方向具有角度θ1，满足：95°≤θ1≤115°。
39、在一些实施方式中，在形成覆盖所述第一漏极层和所述第一过孔的第一有源层之后，还包括：
40、形成覆盖所述第一有源层和第二栅极层的第一栅极绝缘层；
41、对所述第一栅极绝缘层图案化处理形成容纳槽、第二过孔、第三过孔和第四过孔；
42、在所述第一栅极绝缘层、所述容纳槽、所述第二过孔、所述第三过孔和所述第四过孔形成第三金属层；
43、对所述第三金属层图案化处理，在所述容纳槽内形成第一栅极层，在所述第二过孔和所述第四过孔内形成第二源极层，在所述第三过孔内形成第二漏极层。
44、相应的，本申请还提供一种显示装置，包括如前所述的显示面板；或者，采用如前所述的显示面板的制备方法制备得到的显示面板。
45、本申请提供的一种显示装置，通过将遮光层和第一源极层在同一制程中形成，第二栅极绝缘层与第一层间绝缘层在同一制程中形成，第二栅极层和第一漏极层在同一制程中形成，第二源极层、第二漏极层以及第一栅极层在同一制程中形成，相较于传统的显示面板可以节省光罩制程，可以节省工序；此外，由于位于非显示区的第一薄膜晶体管具有垂直沟道结构，提升了第一薄膜晶体管的载流子迁移率，进而减小了显示面板的尺寸，实现了显示装置的窄边框设置。
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1.一种显示面板，包括显示区(AA)和非显示区(NA)，所述非显示区(NA)围绕所述显示区(AA)设置，其特征在于，还包括：
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(20)还包括第一源极层(21)，所述第一源极层(21)位于所述第一漏极层(23)和所述衬底(10)之间；
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(20)还包括第一层间绝缘层(22)，所述第一层间绝缘层(22)位于所述第一源极层(21)与所述第一漏极层(23)之间；
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(20)还包括第一栅极层(25)，所述第一栅极层(25)位于所述第一漏极层(23)背离所述衬底(10)的一侧面；
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(20)还包括第一有源层(24)，所述第一有源层(24)覆盖所述第一漏极层(23)；
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一有源层(24)还包括第二非沟道区(243)；所述第一沟道区(241)
7.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述衬底(10)的一侧面形成第一薄膜晶体管(20)和第二薄膜晶体管(30)包括：
9.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在对所述第一金属层(101)图案化处理形成第一源极层(21)和遮光层(31)之后，还包括：
10.根据权利要求9所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在对所述第一介质层(102)图案化处理形成第一层间绝缘层(22)和第二栅极绝缘层(33)之后，还包括：
11.根据权利要求10所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在对所述第二金属层(103)图案化处理形成第一漏极层(23)和第二栅极层(34)之后，还包括：
12.根据权利要求10所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在形成覆盖所述第一漏极层(23)和所述第一过孔(41)的第一有源层(24)之后，还包括：
13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-6中任意一项所述的显示面板；或者，采用如权利要求7-12中任意一项所述的显示面板的制备方法制备得到的显示面板。
...【技术特征摘要】
1.一种显示面板，包括显示区(aa)和非显示区(na)，所述非显示区(na)围绕所述显示区(aa)设置，其特征在于，还包括：
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(20)还包括第一源极层(21)，所述第一源极层(21)位于所述第一漏极层(23)和所述衬底(10)之间；
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(20)还包括第一层间绝缘层(22)，所述第一层间绝缘层(22)位于所述第一源极层(21)与所述第一漏极层(23)之间；
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(20)还包括第一栅极层(25)，所述第一栅极层(25)位于所述第一漏极层(23)背离所述衬底(10)的一侧面；
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(20)还包括第一有源层(24)，所述第一有源层(24)覆盖所述第一漏极层(23)；
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一有源层(24)还包括第二非沟道区(243)；所述第一沟道区(241)的一端与所述第一非沟道区(242)连接；所述第一沟道区(241)的另一端与所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗传宝，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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