【技术实现步骤摘要】
本申请总体上涉及电子技术，更具体地，涉及用于制造电子器件的方法。
技术介绍
1、随着封装设计变得更加集成且需要更高的密度，使用表面贴装技术(smt)工艺安装在基底上的半导体裸片或封装和其它电子器件之间的间距变得越来越紧密。到目前为止，大批量制造的是允许相邻电子器件之间有60μm宽度间隙的电子器件。然而，由于机器精度和原材料公差的限制，电子器件之间50μm以下的间隙可能没有解决方案，这可能会导致电子器件之间大量的短路问题或桥接缺陷。
2、因此，存在具有改进绝缘的电子器件的需要。
技术实现思路
1、本申请的目的是提供一种具有改进绝缘的电子器件的制造方法。
2、根据本申请的一个方面，一种五面绝缘电子器件包括具有长方体形状的待处理电子器件，其中待处理电子器件具有底面和五个非底面，其中所述待处理电子器件能够在该底面处被安装到基底上并与基底连接；设置在待处理电子器件的底面的导电结构；以及绝缘层，其设置于待处理电子器件的五个非底面。
3、根据本申请的另一方面，一种电子封装包括：基底；五面绝缘电子器件，其中每一个五面绝缘电子器件包括：具有长方体形状的待处理电子器件，其中待处理电子器件具有底面和五个非底面，其中所述待处理电子器件能够在该底面处被安装到基底上并与基底连接；设置在待处理电子器件的底面的导电结构；以及绝缘层，其设置于待处理电子器件的五个非底面。
4、根据本申请的又一实施例，一种电子器件的制造方法包括：提供待处理电子器件，其中，所述待处理电子器
5、应当理解，前面的一般性描述和下面的详细描述都只是示例性和说明性的，而不是对本专利技术的限制。此外，并入并构成本说明书一部分的附图示出了本专利技术的实施例并且与说明书一起用于解释本专利技术的原理。
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1.一种五面绝缘电子器件，其特征在于，所述五面绝缘电子器件包括：
2.根据权利要求1所述的五面绝缘电子器件，其特征在于，所述绝缘层的厚度等于或大于10μm。
3.根据权利要求1所述的五面绝缘电子器件，其特征在于，所述待处理电子器件是无源电子器件。
4.根据权利要求1所述的五面绝缘电子器件，其特征在于，所述绝缘层使用喷涂或浸渍工艺形成。
5.一种电子封装，其特征在于，所述电子封装包括：
6.根据权利要求5所述的电子封装，其特征在于，所述电子封装还包括：
7.根据权利要求5所述的电子封装，其特征在于，所述电子封装还包括：
8.根据权利要求5所述的电子封装，其特征在于，所述电子封装还包括：
9.根据权利要求5所述的电子封装，其特征在于，所述绝缘层的厚度等于或大于10μm。
10.根据权利要求5所述的电子封装，其特征在于，所述待处理电子器件是无源电子器件。
11.一种制造电子器件的方法，其特征在于，所述方法包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于
13.根据权利要求11或12所述的方法，其特征在于，形成绝缘层包括：
14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述支撑面覆盖所述待处理电子器件的底面上的所有导电结构。
15.根据权利要求11或12所述的方法，其特征在于，形成绝缘层包括：
...【技术特征摘要】
1.一种五面绝缘电子器件，其特征在于，所述五面绝缘电子器件包括：
2.根据权利要求1所述的五面绝缘电子器件，其特征在于，所述绝缘层的厚度等于或大于10μm。
3.根据权利要求1所述的五面绝缘电子器件，其特征在于，所述待处理电子器件是无源电子器件。
4.根据权利要求1所述的五面绝缘电子器件，其特征在于，所述绝缘层使用喷涂或浸渍工艺形成。
5.一种电子封装，其特征在于，所述电子封装包括：
6.根据权利要求5所述的电子封装，其特征在于，所述电子封装还包括：
7.根据权利要求5所述的电子封装，其特征在于，所述电子封装还包括：
8.根据权利要求5所述的电子封装，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：具教王，郑珉熙，
申请(专利权)人：星科金朋私人有限公司，
类型：发明
国别省市：
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