【技术实现步骤摘要】
本申请涉及异质结电池，尤其涉及一种异质结电池。
技术介绍
1、太阳能是一种可再生的清洁能源，对于人类的可持续发展具有重要的意义。太阳能电池可以将太阳能转化为电能，转化效率、制造成本是决定工业化应用和能源替代的关键因素。目前，硅基太阳能电池占据市场95％以上。随着硅基电池的技术迭代，转化效率持续提升的同时，制造成本越来越高。
2、在异质结电池制备的过程中，通常采用具有绒面结构的硅片作为衬底。但采用具有绒面结构的衬底时，绒面硅片需要具有强度以及稳定性，这就使得硅片需要具有一定的厚度，导致异质结电池的制造成本较高。而且绒面结构的衬底不利于薄膜沉积，在绒面结构上沉积薄膜的保型性差，影响电池性能。
技术实现思路
1、本申请提供了一种异质结电池，以解决异质结电池成本高，电池性能差的问题。
2、本申请提供了一种异质结电池，包括n型硅片衬底，n型硅片衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；第一钝化层，沉积在第一表面；第二钝化层，沉积在第二表面；n型掺杂层，沉积在第一钝化层上；p型掺杂层，沉积在第二钝化层上；第一透明导电层，沉积在n型掺杂层上；第二透明导电层，沉积在p型掺杂层上；金属电极，设置在第一透明导电层和第二透明导电层上；其中，第一透明导电层背离n型掺杂层的一侧设有第一绒面结构，第一绒面结构包括多个第一凹陷；第二透明导电层背离p型掺杂层的一侧设有第二绒面结构，第二绒面结构包括多个第二凹陷。
3、可选的，第一凹陷为采用盐酸水溶液hcl/h2o腐蚀第一透明导电层形
4、可选的，多个第一凹陷为弹孔状凹陷，在第一透明导电层表面的直径分布在[0.4μm，0.8μm]区间内；多个第二凹陷为弹孔状凹陷，在第二透明导电层表面的直径分布在[0.4μm，0.8μm]区间内。
5、可选的，第一透明导电层为采用物理气相沉积方式在n型掺杂层上形成的，第一透明导电层为掺铝氧化锌azo或掺镓氧化锌gzo；第二透明导电层为采用物理气相沉积方式在p型掺杂层上形成的，第二透明导电层为掺铝氧化锌azo或掺镓氧化锌gzo。
6、可选的，第一透明导电层和/或第二透明导电层的厚度为1-1.5μm。
7、可选的，n型硅片衬底的厚度为80-150μm，电阻率为1-2ω·cm；第一钝化层为采用等离子体化学气相沉积方式在第一表面形成的，第一钝化层的厚度为3-5nm；第二钝化层为采用等离子体化学气相沉积方式在第二表面形成的，第二钝化层的厚度为3-5nm。
8、可选的，n型掺杂层为采用等离子体化学气相沉积方式在第一钝化层上形成的，n型掺杂层的厚度为5-15nm；p型掺杂层为采用等离子体化学气相沉积方式在第二钝化层上形成的，p型掺杂层的厚度为10-15nm。
9、可选的，第一透明导电层和/或第二透明导电层的电阻率为5～9*10-4ω·cm，载流子浓度为2.5～6.5*1020cm-3。
10、本申请提供的异质结电池，包括n型硅片衬底，n型硅片衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，依次沉积在第一表面的第一钝化层、n型掺杂层、第一透明导电层和金属电极，以及依次沉积在第二表面的第二钝化层、p型掺杂层、第二透明导电层和金属电极。其中，第一透明导电层具有第一绒面结构，第一绒面结构包括多个第一凹陷。第二透明导电层具有第二绒面结构，第二绒面结构包括多个第二凹陷。本申请提供的异质结电池，并未采用具有绒面结构的硅片衬底，而是在第一透明导电层和第二透明导电层上设置绒面结构。一方面，可以有效降低n型硅片衬底的厚度，适宜制备薄片结构的异质结电池，还能有效节约生产成本。另一方面，并未在n型硅片衬底上制绒，第一钝化层和第二钝化层是直接沉积在n型硅片衬底的第一表面和第二表面上，有利于第一钝化层和第二钝化层的保型性，保证异质结电池的性能。
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1.一种异质结电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的异质结电池，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种异质结电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的异质结电池，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，
【专利技术属性】
技术研发人员：来霸，倪志春，连维飞，
申请(专利权)人：江苏爱康能源研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：
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