【技术实现步骤摘要】
：本专利技术涉及半导体集成电路芯片，尤其涉及一种涉及流动纳米晶片制备方法。
技术介绍
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技术介绍
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1、制程工艺的迭代更新导致soc芯片的性能和价格分化。晶体管数量的提升导致cpu、gpu、npu等ip核的升级。最新高端soc芯片制程为5nm，专用soc芯片如智能音频芯片的制程普遍在16nm-55nm之间。
2、制程会影响芯片面积，并因此直接影响芯片价格，通过增大芯片面积，一个芯片中可以放下更多的晶体管。理论上，芯片面积越小的soc成本越低，同等技术水平和制程下，晶体管/芯片面积的大小和性能输出直接相关。
3、时钟频率是指同步电路中时钟的基础频率，它是评定cpu性能的重要指标。一般来说主频数字值越大越好，高端和次高端soc芯片的时钟频率一般在以ghz计量，专用型soc芯片的时钟频率多以mhz计量(1ghz＝1000mhz)。
4、目前高端soc芯片多以一个超大核心加多个中核心、小核心架构设计，经过多年来迭代更新，基于arm的cpu核心不断升级，在制程工艺、主频、性能上大幅度提升。同时高端soc芯片尤其是移动端芯片一般会添加集成式或外挂式基带，以此实现移动接入、电话等传统移动终端功能。
技术实现思路
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技术实现思路
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1、本专利技术的目的在于提供一种涉及流动纳米晶片制备方法，以解决现有技术的不足。
2、本专利技术由如下技术方案实施：一种涉及流动纳米晶片制备方法，包括以下步骤：
3、采用电弧熔炼法制
4、重复熔融至少进行四次，然后将熔化的合金滴铸到尺寸为0.66×0.15×0.50mm和0.1×0.15×0.50mm的铜模具中，然后在1150℃下均匀化2h，然后进行水淬；
5、cnl结构是通过受控热机械处理生产的，该处理包括冷轧工艺以减少90％，随后在800℃下进行8℃的回火处理；
6、将冷轧试样在1150℃再结晶3min再回火制成800℃ 8小时。
7、进一步的，还包括：tem和stem观察是在jem-2100f显微镜上进行的，显微镜工作电压为200kv。
8、进一步的，所述tem配备了用于元素分析的eds和用于结构分析的saed，tem样品被机械减薄至～40μm，冲压成ф0.3mm圆片，然后在-30℃的温度下，在由5vol.％高氯酸和95vol.％酒精组成的溶液中通过双射流电抛光减薄℃，电势为24v。
9、进一步的，所述tem图像通过image-j软件进行分析。
10、进一步的，还包括使用fei-sem进行ebsd测量以表征晶粒结构和取向分布，牛津检测器在30kv和0.8na下运行，通过机械抛光至0.05μm，然后在-40℃下在hno3(25％)和c2h5oh(75％)的溶液中以20v的电压进行电抛光来制备样品。
11、进一步的，还包括通过具有cu-kα辐射的rigaku xrd仪器检查晶体结构，使用标准机械抛光程序对xrd样品进行抛光，θ-2θ扫描在20-100°范围内进行，扫描速度为4°/min，在88–92°范围内以0.02°/min的速度进行慢速扫描，以计算衍射峰处的晶格失配(δ)，该方程可描述为：δ＝>2(αl12–αfcc)/(αl12+>αfcc)，其中α指特定相的晶格常数。
12、进一步的，还包括通过水平规则评估fcc和l12薄片的体积分数。该方程可描述为：fl12＝>(cnominali–cfcci)/(cl12i–cfcci)。
13、进一步的，还包括晶片表征在cameca instruments leap 5000xr局部电极原子探针中进行。
14、进一步的，还包括晶片在电压模式下进行分析，样品温度为60k，脉冲重复率为220khz，脉冲分数为0.2，离子收集率为每个场蒸发脉冲0.5％的离子。
15、进一步的，还包括apt所需的针状样品是通过在fei scios聚焦离子束/扫描电子显微镜(fib/sem)中提取和环形铣削制造的。
16、本专利技术的优点：
17、1、本专利技术可以实现可移动，可聚集，自由变化传输，可以不同规则变化的方式，使晶片材料均匀堆积，实现多层堆积。
18、2、本专利技术利用金属延展性，将硅，砷，镓，锢，磷，氮，锶，锗混合后，制作新的半导体材料。
19、3、本专利技术根据材料的属性，延脆转移温度变化，实现材料变形。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种涉及流动纳米晶片制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种涉及流动纳米晶片制备方法，其特征在于，还包括：TEM和STEM观察是在JEM-2100F显微镜上进行的，显微镜工作电压为200kV。
3.根据权利要求2所述的一种涉及流动纳米晶片制备方法，其特征在于，所述TEM配备了用于元素分析的EDS和用于结构分析的SAED，TEM样品被机械减薄至～40μm，冲压成Ф0.3mm圆片，然后在-30℃的温度下，在由5vol.％高氯酸和95vol.％酒精组成的溶液中通过双射流电抛光减薄℃，电势为24V。
4.根据权利要求2所述的一种涉及流动纳米晶片制备方法，其特征在于，所述TEM图像通过Image-J软件进行分析。
5.根据权利要求1所述的一种涉及流动纳米晶片制备方法，其特征在于，还包括使用FEI-SEM进行EBSD测量以表征晶粒结构和取向分布，牛津检测器在30kV和0.8nA下运行，通过机械抛光至0.05μm，然后在-40℃下在HNO3(25％)和C2H5OH(75％)的溶液中以20V的电压进行电抛光来制备样品。
6.根据权利要求1所述的一种涉及流动纳米晶片制备方法，其特征在于，还包括通过具有Cu-Kα辐射的Rigaku XRD仪器检查晶体结构，使用标准机械抛光程序对XRD样品进行抛光，θ-2θ扫描在20-100°范围内进行，扫描速度为4°/min，在88–92°范围内以0.02°/min的速度进行慢速扫描，以计算衍射峰处的晶格失配(δ)，该方程可描述为：δ＝>2(αL12–αFCC)/(αL12+>αFCC)，其中α指特定相的晶格常数。
7.根据权利要求1所述的一种涉及流动纳米晶片制备方法，其特征在于，还包括通过水平规则评估FCC和L12薄片的体积分数。该方程可描述为：fL12＝>(cnominali–cFCCi)/(cL12i–cFCCi)。
8.根据权利要求1所述的一种涉及流动纳米晶片制备方法，其特征在于，还包括晶片表征在CAMECA Instruments LEAP 5000XR局部电极原子探针中进行。
9.根据权利要求1所述的一种涉及流动纳米晶片制备方法，其特征在于，还包括晶片在电压模式下进行分析，样品温度为60K，脉冲重复率为220kHz，脉冲分数为0.2，离子收集率为每个场蒸发脉冲0.5％的离子。
10.根据权利要求1所述的一种涉及流动纳米晶片制备方法，其特征在于，还包括APT所需的针状样品是通过在FEI Scios聚焦离子束/扫描电子显微镜(FIB/SEM)中提取和环形铣削制造的。
...【技术特征摘要】
1.一种涉及流动纳米晶片制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种涉及流动纳米晶片制备方法，其特征在于，还包括：tem和stem观察是在jem-2100f显微镜上进行的，显微镜工作电压为200kv。
3.根据权利要求2所述的一种涉及流动纳米晶片制备方法，其特征在于，所述tem配备了用于元素分析的eds和用于结构分析的saed，tem样品被机械减薄至～40μm，冲压成ф0.3mm圆片，然后在-30℃的温度下，在由5vol.％高氯酸和95vol.％酒精组成的溶液中通过双射流电抛光减薄℃，电势为24v。
4.根据权利要求2所述的一种涉及流动纳米晶片制备方法，其特征在于，所述tem图像通过image-j软件进行分析。
5.根据权利要求1所述的一种涉及流动纳米晶片制备方法，其特征在于，还包括使用fei-sem进行ebsd测量以表征晶粒结构和取向分布，牛津检测器在30kv和0.8na下运行，通过机械抛光至0.05μm，然后在-40℃下在hno3(25％)和c2h5oh(75％)的溶液中以20v的电压进行电抛光来制备样品。
6.根据权利要求1所述的一种涉及流动纳米晶片制备方法，其特征在于，还包括通过具有cu-kα辐射的rigaku xrd仪器检查晶体结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：王丽梅，遆好伟，
申请(专利权)人：深圳捷睿通科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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