【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电力电子技术，特别是涉及一种屏蔽式绝缘壳体及具有其的电子装置。
技术介绍
1、固态变换器(solid state transformer，sst)以其效率高和模块化的优势，是未来数据中心和充电桩供电的发展方向。其中，sst系统可由多个功率模块级联组成。并且，整个sst系统的中压绝缘需求可分成三类：相间绝缘和壳体cell间绝缘；高低压模块电路间绝缘和高频变压器原副边间绝缘；辅助供电的中压(medium voltage，mv)侧和市电安全特低电压(selv，safety extra low voltage)侧间绝缘。
2、传统的方案是对这三处分别进行绝缘处理。例如，相间绝缘和壳体cell间绝缘主要用绝缘板或屏蔽式绝缘壳体进行隔离，高频变压器原副边间绝缘一般采用对高压线圈进行绝缘灌封的办法进行隔离，而辅助电源采用高压硅胶线和空气复合绝缘的形式。这种绝缘分别设计的方案会造成系统中零部件数的增多，增加系统的复杂度。
3、目前还有一些方案是将这三处共用一个屏蔽式绝缘壳体进行绝缘隔离，以简化系统复杂度，以及有利于减小装置体积和模块轻量化设计。例如，现有方案有采用一体式直筒型绝缘壳体或可组装的嵌网绝缘壳体进行绝缘隔离，但这些绝缘壳体多有不便之处，比如，模块舱内安装操作空间受限、需要复杂的定位工装、壳体组件数量多、以及结构复杂等。而且，现有的绝缘壳体的气隙是位于高低压屏蔽层之外，且高低压屏蔽层距离较近，高压屏蔽层边缘附近的空气中电场应力集中，电场最高可达3.7kv/mm，由此也导致现有的绝缘壳体的耐局放水
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种屏蔽式绝缘壳体及电子装置，可以有效解决现有技术的至少一缺陷。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供一种屏蔽式绝缘壳体，其包括：壳体本体，其形成有第一腔体，所述壳体本体上形成有靠近所述第一腔体的内侧屏蔽层和远离所述第一腔体的外侧屏蔽层；第一结构，形成于所述第一腔体上，组装形成的所述第一结构至少包含由所述第一腔体的内侧向外侧依次设置的一第一屏蔽层、一第一绝缘层、一第一气隙层、一第二绝缘层和一第二屏蔽层；所述第一结构上还形成有组装间隙，该组装间隙与该第一气隙层配合形成所述第一结构上从所述内侧屏蔽层延伸至所述外侧屏蔽层的爬电通道。
3、在本专利技术的一实施例中，所述壳体本体包括一第一壳体和一第二壳体，所述第一壳体包括一第一板状结构和分别位于所述第一板状结构相对的两侧并沿第一方向延伸的至少两个第一凸台，所述第二壳体包括一第二板状结构和分别位于所述第二板状结构相对的两侧并沿所述第一方向延伸的至少两个第二凸台，所述第一壳体与所述第二壳体通过所述至少两个第一凸台和所述至少两个第二凸台配合连接形成所述第一腔体，所述第一腔体的上壁由所述第一板状结构形成并包含两层上壁屏蔽层和位于所述两层上壁屏蔽层之间的上壁绝缘层，所述第一腔体的下壁由所述第二板状结构形成并包含两层下壁屏蔽层和位于所述两层下壁屏蔽层之间的下壁绝缘层，所述第一腔体的两个侧壁位于所述上壁和所述下壁之间并分别由对应配合连接的所述第一凸台和所述第二凸台形成，每一个所述侧壁由内向外包含一第一侧壁屏蔽层、一第一侧壁绝缘层、一第一侧壁气隙层、一第二侧壁绝缘层和一第二侧壁屏蔽层，并分别对应形成所述第一结构的所述第一屏蔽层、所述第一绝缘层、所述第一气隙层、所述第二绝缘层和所述第二屏蔽层；其中，所述两层上壁屏蔽层中位于内侧的内侧上壁屏蔽层、所述两层下壁屏蔽层中位于内侧的内侧下壁屏蔽层、以及所述第一侧壁屏蔽层对应形成所述内侧屏蔽层；其中，所述两层上壁屏蔽层中位于外侧的外侧上壁屏蔽层、所述两层下壁屏蔽层中位于外侧的外侧下壁屏蔽层、以及所述第二侧壁屏蔽层对应形成所述外侧屏蔽层。
4、在本专利技术的一实施例中，所述至少两个第一凸台和所述至少两个第二凸台配合连接处形成至少一凸台界面平齐结构；其中，所述第一壳体的所述两侧中的每一侧或一侧包含两个第一凸台，所述第二壳体的所述两侧中的每一侧或一侧包含两个第二凸台，每一侧或一侧上的所述两个第一凸台和所述两个第二凸台拼接形成两个凸台界面，所述两个凸台界面位于同一高度并位于所述第一侧壁气隙层的顶面和底面之间。
5、在本专利技术的一实施例中，所述两个凸台界面是居中地位于所述第一侧壁气隙层的所述顶面和所述底面的正中间平面上。
6、在本专利技术的一实施例中，所述至少两个第一凸台和所述至少两个第二凸台配合连接处形成至少一凸台界面错位结构；其中，
7、所述第一壳体的所述两侧中的每一侧或一侧包含一个第一凸台，所述第二壳体的所述两侧中的每一侧或一侧包含一个第二凸台，所述第一凸台的端部与所述第二壳体的所述第二板状结构拼接形成第一凸台界面，所述第二凸台的端部与所述第一壳体的所述第一板状结构拼接形成第二凸台界面，所述第一凸台界面和所述第二凸台界面不在同一高度；或者，
8、所述第一壳体的所述两侧中的每一侧或一侧包含一个第一凸台，所述第二壳体的所述两侧中的每一侧或一侧包含两个第二凸台，所述两个第二凸台中一者的端部与所述第一凸台的端部拼接形成第一凸台界面，所述两个第二凸台中另一者的端部与所述第一壳体的所述第一板状结构拼接形成第二凸台界面，所述第一凸台界面和所述第二凸台界面不在同一高度；或者，
9、所述第一壳体的所述两侧中的每一侧或一侧包含两个第一凸台，所述第二壳体的所述两侧中的每一侧或一侧包含一个第二凸台，所述两个第一凸台中一者的端部与所述第二凸台的端部拼接形成第一凸台界面，所述两个第一凸台中另一者的端部与所述第二壳体的所述第二板状结构拼接形成第二凸台界面，所述第一凸台界面和所述第二凸台界面不在同一高度；或者，
10、所述第一壳体的所述两侧中的每一侧或一侧包含两个第一凸台，所述第二壳体的所述两侧中的每一侧或一侧包含两个第二凸台，所述两个第一凸台的端部与所述两个第二凸台的端部对应拼接并分别形成两个凸台界面，所述两个凸台界面不在同一高度。
11、在本专利技术的一实施例中，所述至少两个第一凸台和所述至少两个第二凸台配合连接处形成至少一凸台包覆结构；其中，
12、所述第一壳体的所述两侧中的每一侧或一侧包含两个第一凸台，所述第二壳体的所述两侧中的每一侧或一侧包含两个第二凸台，所述两个第一凸台中位于内侧的内侧第一凸台的端部与所述两个第二凸台中位于内侧的内侧第二凸台的端部拼接，所述两个第二凸台中位于外侧的外侧第二凸台的端部与所述第一壳体的所述第一板状结构拼接，所述两个第一凸台中位于外侧的外侧第一凸台包覆于所述第二壳体的所述外侧第二凸台之外；或者，
13、所述第一壳体的所述两侧中的每一侧或一侧包含两个第一凸台，所述第二壳体的所述两侧中的每一侧或一侧包含一个第二凸台，所述第二凸台的端部与所述第一壳体的所述第一板状结构拼接，所述两个第一凸台中位于内侧的内侧第一凸台的端部与所述第二壳体的所述第二板状结构拼接，所述两个第一凸台中位于外侧的外侧第一凸台包覆于所述第二壳体的所述第二凸台之外；或者，...
【技术保护点】
1.一种屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，所述壳体本体包括一第一壳体和一第二壳体，
3.根据权利要求2所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，所述至少两个第一凸台和所述至少两个第二凸台配合连接处形成至少一凸台界面平齐结构；
4.根据权利要求3所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，所述两个凸台界面是居中地位于所述第一侧壁气隙层的所述顶面和所述底面的正中间平面上。
5.根据权利要求2所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，所述至少两个第一凸台和所述至少两个第二凸台配合连接处形成至少一凸台界面错位结构；其中，
6.根据权利要求2所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，所述至少两个第一凸台和所述至少两个第二凸台配合连接处形成至少一凸台包覆结构；其中，
7.根据权利要求2所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，所述第一腔体的每一个所述侧壁均包含至少一个所述第一凸台和至少一个所述第二凸台，其中所述第一凸台和所述第二凸台中位于最内侧的凸台为最内侧凸台；其中，
8.根据权利要求7所述的屏
9.根据权利要求2所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，其中，
10.根据权利要求2所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，所述第二壳体的所述第二板状结构的至少部分板状结构的上侧和/或下侧形成凹陷部分用以设置一变压器的初级磁芯和次级磁芯，且对应于所述凹陷部分的所述两层下壁屏蔽层为半导电层。
11.根据权利要求2所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，在所述第一腔体的所述下壁的下侧还设置有至少两个第三凸台，所述至少两个第三凸台和所述第一腔体的下壁形成第二腔体；
12.根据权利要求11所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，还包括高压屏蔽层和低压屏蔽层，
13.根据权利要求2所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，
14.根据权利要求2所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，
15.根据权利要求2所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，所述第一侧壁气隙层的顶面为所述第一壳体的一部分，所述第一侧壁气隙层的底面为所述第二壳体的一部分。
16.根据权利要求2所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，
17.根据权利要求16所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，
18.根据权利要求17所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，
19.根据权利要求11所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，在所述第一腔体的所述下壁的下侧还设置有至少一个第三中间凸台，将所述第二腔体分隔成至少两个第二子腔体。
20.根据权利要求1所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，
21.根据权利要求20所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，
22.根据权利要求20所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，
23.根据权利要求20所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，
24.根据权利要求20或21或22或23所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，
25.根据权利要求24所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，
26.根据权利要求20所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，
27.根据权利要求20所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，
28.一种电子装置，其特征在于，包括：
29.根据权利要求28所述的电子装置，其特征在于，所述电子装置还包括：
30.根据权利要求28所述的电子装置，其特征在于，所述电子装置还包括：
31.根据权利要求29所述的电子装置，其特征在于，
32.根据权利要求28所述的电子装置，其特征在于，包括多个所述高压模块，多个所述高压模块级联，并电性连接至单相电。
33.根据权利要求28所述的电子装置，其特征在于，第一组中的两个所述高压模块电性连接三相电的A相，第二组中的两个所述高压模块电性连接所述三相电的B相，第三组中的两个所述高压模块电性连接所述三相电的C相。
34.根据权利要求33所述的电子装置，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，所述壳体本体包括一第一壳体和一第二壳体，
3.根据权利要求2所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，所述至少两个第一凸台和所述至少两个第二凸台配合连接处形成至少一凸台界面平齐结构；
4.根据权利要求3所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，所述两个凸台界面是居中地位于所述第一侧壁气隙层的所述顶面和所述底面的正中间平面上。
5.根据权利要求2所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，所述至少两个第一凸台和所述至少两个第二凸台配合连接处形成至少一凸台界面错位结构；其中，
6.根据权利要求2所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，所述至少两个第一凸台和所述至少两个第二凸台配合连接处形成至少一凸台包覆结构；其中，
7.根据权利要求2所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，所述第一腔体的每一个所述侧壁均包含至少一个所述第一凸台和至少一个所述第二凸台，其中所述第一凸台和所述第二凸台中位于最内侧的凸台为最内侧凸台；其中，
8.根据权利要求7所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，其中，
9.根据权利要求2所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，其中，
10.根据权利要求2所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，所述第二壳体的所述第二板状结构的至少部分板状结构的上侧和/或下侧形成凹陷部分用以设置一变压器的初级磁芯和次级磁芯，且对应于所述凹陷部分的所述两层下壁屏蔽层为半导电层。
11.根据权利要求2所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，在所述第一腔体的所述下壁的下侧还设置有至少两个第三凸台，所述至少两个第三凸台和所述第一腔体的下壁形成第二腔体；
12.根据权利要求11所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，还包括高压屏蔽层和低压屏蔽层，
13.根据权利要求2所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，
14.根据权利要求2所述的屏蔽式绝缘壳体，其特征在于，
15.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：马朋，谢毅聪，张伟强，刘国利，蓝琳，
申请(专利权)人：台达电子企业管理上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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