【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单晶炉，具体来说涉及一种单晶炉连续拉晶多次加料装置。
技术介绍
1、单晶炉拉晶是将硅块通过送料装置投入到单晶炉底部的料箱内，然后进行高温搅拌，使硅块在料箱内进行融化，再进行拉晶工艺。
2、根据公开(公告)号：cn109267146a，公开(公告)日：2019-01-25，公开的一种单晶炉加料装置，包括加料框体、支撑板和上支架，所述的加料框体通过升降机构安装在支撑板的下方，所述的支撑板通过平移机构连接在上支架的底部，所述的加料框体的内部空间分为上下两层，其中上层为粉碎层，下层存储层，所述的粉碎层内设置有两块导向座，所述的两块导向座安装在加料框体的两侧内壁上，所述的两块导向座的内壁呈弧形，所述的两块导向座之间设置有粉碎轮，所述的存储层内安装有存料座，所述的存料座的上表面开设有向中心处倾斜的凹槽。
3、在包括上述专利和现有技术中可知，单晶炉在使用中，投料时单晶炉内与空气相接触，会导致单晶炉内产生氧化物，氧化物是定期清理，同时单晶炉内高温空气与外部的恒温空气接触后会产生会水凝珠，水凝珠会加快单晶炉内氧化物的产生。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种单晶炉连续拉晶多次加料装置，实现了在下料的同时避免单晶炉与空气相接触。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种单晶炉连续拉晶多次加料装置，包括拉晶炉，其包括设置于进料口上的供料斗，所述供料斗的下料口内对称设置有弧形缓冲囊；
3、还包括由所述弧形缓冲囊内延伸至外
4、所述第一卡接块和第二卡接块相邻一侧分别设置有：
5、位于端部的斜面引导部；
6、卡接槽；
7、在内部预定气压作用下两个所述弧形缓冲囊挤压形成一接触面，且在该状态，所述第一卡接块和第二卡接块通过斜面引导部滑动配合使两个卡接槽扣合。
8、作为优选的，所述卡接槽相邻端部一内侧面为斜面，两个所述卡接槽结合下使接触面形成旋钮，并且第一卡接块和第二卡接块位于所述弧形缓冲囊中上位置。
9、作为优选的，还包括分别与所述第一卡接块和第二卡接块相连接的拉簧，且在拉簧默认状态下，使两个卡接槽处于卡接。
10、作为优选的，所述弧形缓冲囊包括一缺口，所述第一卡接块和第二卡接块为水平滑动设置，且当卡接槽处于释放状态下，所述缺口被第一卡接块/第二卡接块上设置的密封块封堵，以使所述弧形缓冲囊内部保持预定量气压。
11、作为优选的，还包括设置于供料斗下料口内的入料斗，所述弧形缓冲囊通过气道与所述入料斗内设置的气囊块相连通，以使气囊块内圈壁贴合以封闭。
12、作为优选的，所述供料斗内设置有与气道接通的侧腔道，所述侧腔道内有活塞板，且所述活塞板能够被所述密封块顶推活动；
13、所述弧形缓冲囊安装于侧腔道的端口上。
14、作为优选的，所述供料斗的内壁对称转动设置有缓冲杆；
15、所述缓冲杆上转动设置有控制气道启闭的第二杆件，
16、还包括复位件，其默认状态下使所述缓冲杆向上偏，所述气道与气囊块上的气孔错开。
17、作为优选的，所述供料斗的内壁对称转动设置有第四杆件，所述缓冲杆与所述第四杆件之间转动设置有第三杆件；
18、还包括弹性储气囊，其与弧形缓冲囊之间设置有第一阀口；
19、所述第四杆件与所述弹性储气囊活动连接。
20、作为优选的，还包括一端设置有波轮的挡板，所述波轮转动设置于气道内，所述挡板翻转用于封闭入料斗。
21、作为优选的，所述挡板内设置有曲型气囊，且当所述挡板处于水平状态下，两个所述曲型气囊充气且端部抵触上移呈倒“v”型结构。
22、在上述技术方案中，本专利技术提供的一种单晶炉连续拉晶多次加料装置，具备以下有益效果：通过滑杆在弧形缓冲槽内的滑动从而带动第一卡接块和第二卡接块移动，相对滑动时通过斜面引导部实现了在扣合时可以进行上下错位，并将两个卡接槽卡接，卡接后使两个弧形缓冲囊对接从而形成接触面，将拉晶炉和供料斗的连接处进行密封，避免了空气跟随硅块进入在拉晶炉内。
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1.一种单晶炉连续拉晶多次加料装置，包括拉晶炉(13)，其包括设置于进料口上的供料斗，其特征在于，所述供料斗的下料口内对称设置有弧形缓冲囊(42)；
2.根据权利要求1所述的一种单晶炉连续拉晶多次加料装置，其特征在于，所述卡接槽(433)相邻端部一内侧面为斜面(4331)，两个所述卡接槽(433)结合下使接触面形成旋钮，并且第一卡接块(431)和第二卡接块(432)位于所述弧形缓冲囊(42)中上位置。
3.根据权利要求1所述的一种单晶炉连续拉晶多次加料装置，其特征在于，还包括分别与所述第一卡接块(431)和第二卡接块(432)相连接的拉簧(4401)，且在拉簧(4401)默认状态下，使两个卡接槽(433)处于卡接。
4.根据权利要求3所述的一种单晶炉连续拉晶多次加料装置，其特征在于，所述弧形缓冲囊(42)包括一缺口(451)，所述第一卡接块(431)和第二卡接块(432)为水平滑动设置，且当卡接槽(433)处于释放状态下，所述缺口(451)被第一卡接块(431)/第二卡接块(432)上设置的密封块(444)封堵，以使所述弧形缓冲囊(42)内部保
5.根据权利要求4所述的一种单晶炉连续拉晶多次加料装置，其特征在于，还包括设置于供料斗下料口内的入料斗(21)，所述弧形缓冲囊(42)通过气道(48)与所述入料斗(21)内设置的气囊块(210)相连通，以使气囊块(210)内圈壁贴合以封闭。
6.根据权利要求5所述的一种单晶炉连续拉晶多次加料装置，其特征在于，所述供料斗内设置有与气道(48)接通的侧腔道(46)，所述侧腔道内有活塞板(45)，且所述活塞板(45)能够被所述密封块(444)顶推活动；
7.根据权利要求5所述的一种单晶炉连续拉晶多次加料装置，包括供料斗，其特征在于，所述供料斗的内壁对称转动设置有缓冲杆(31)；
8.根据权利要求7所述的一种单晶炉连续拉晶多次加料装置，其特征在于，所述供料斗的内壁对称转动设置有第四杆件(35)，所述缓冲杆(31)与所述第四杆件(35)之间转动设置有第三杆件(34)；
9.根据权利要求5所述的一种单晶炉连续拉晶多次加料装置，其特征在于，还包括一端设置有波轮(23)的挡板(25)，所述波轮(23)转动设置于气道(48)内，所述挡板(25)翻转用于封闭入料斗(21)。
10.根据权利要求9所述的一种单晶炉连续拉晶多次加料装置，其特征在于，所述挡板(25)内设置有曲型气囊(26)，且当所述挡板(25)处于水平状态下，两个所述曲型气囊(26)充气且端部抵触上移呈倒“V”型结构。
...【技术特征摘要】
1.一种单晶炉连续拉晶多次加料装置，包括拉晶炉(13)，其包括设置于进料口上的供料斗，其特征在于，所述供料斗的下料口内对称设置有弧形缓冲囊(42)；
2.根据权利要求1所述的一种单晶炉连续拉晶多次加料装置，其特征在于，所述卡接槽(433)相邻端部一内侧面为斜面(4331)，两个所述卡接槽(433)结合下使接触面形成旋钮，并且第一卡接块(431)和第二卡接块(432)位于所述弧形缓冲囊(42)中上位置。
3.根据权利要求1所述的一种单晶炉连续拉晶多次加料装置，其特征在于，还包括分别与所述第一卡接块(431)和第二卡接块(432)相连接的拉簧(4401)，且在拉簧(4401)默认状态下，使两个卡接槽(433)处于卡接。
4.根据权利要求3所述的一种单晶炉连续拉晶多次加料装置，其特征在于，所述弧形缓冲囊(42)包括一缺口(451)，所述第一卡接块(431)和第二卡接块(432)为水平滑动设置，且当卡接槽(433)处于释放状态下，所述缺口(451)被第一卡接块(431)/第二卡接块(432)上设置的密封块(444)封堵，以使所述弧形缓冲囊(42)内部保持预定量气压。
5.根据权利要求4所述的一种单晶炉连续拉晶多次加料装置，其特征在于，还包括设置于供料斗下料口内的入料斗(21...
【专利技术属性】
技术研发人员：严才根，廖加彬，李忠泽，程水宫，丁双富，
申请(专利权)人：杭州顶星电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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