【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种改善化镀表面色差的方法。
技术介绍
1、化镀工艺主要通过前处理以及ni/pd/au药液槽在晶圆铝焊垫上进行镀层处理，增加晶圆的导电性；
2、化镀作业方式为全接触浸入式湿法工艺槽，一般晶圆表面铝焊垫与药液接触方式为疏水性，药液与焊垫表面进行反应时会受到一定影响导致化镀后存在一定色差。
3、为解决上述问题，需要提出一种新型的改善化镀表面色差的方法。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种改善化镀表面色差的方法，用于解决现有技术中化镀作业方式为全接触浸入式湿法工艺槽，一般晶圆表面铝焊垫与药液接触方式为疏水性，药液与焊垫表面进行反应时会受到一定影响导致化镀后存在一定色差的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种改善化镀表面色差的方法，包括：
3、步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有铝焊垫，利用等离子体轰击所述铝焊垫的表面，以提高所述铝焊垫表面的亲水性；
4、步骤二、在所述铝焊垫表面形成锌层；
5、步骤三、利用化学镀工艺在所述锌层表面镀上预定层数的目标金属。
6、优选地，步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(soi)衬底。
7、优选地，步骤一中的所述等离子体以o2和ar作为离子源。
8、优选地，步骤一中的所述o2的气体比例为20至80％。
9、优选地，步骤一中的所述亲水性为
10、优选地，步骤二中利用两次沉积的方法形成所述锌层。
11、优选地，步骤三中的所述目标金属的层数为3层，所述目标金属依次为镍、钯、金。
12、优选地，步骤三中的所述目标金属层中，所述镍的厚度为1.5至3um。
13、优选地，步骤三中的所述目标金属层中，所述钯的厚度为0.05-0.25um。
14、优选地，步骤三中的所述目标金属层中，所述金的厚度为0.03-0.07um。
15、如上所述，本专利技术的改善化镀表面色差的方法，具有以下有益效果：
16、本专利技术在进入化镀工艺前增加等离子气体处理工艺，将铝焊垫表面由疏水性改为亲水性，能够提高化镀过程药液反应的交互能力，减少化镀后色差异常的形成。
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1.一种改善化镀表面色差的方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的改善化镀表面色差的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(SOI)衬底。
3.根据权利要求1所述的改善化镀表面色差的方法，其特征在于：步骤一中的所述等离子体以O2和Ar作为离子源。
4.根据权利要求3所述的改善化镀表面色差的方法，其特征在于：步骤一中的所述O2的气体比例为20至80％。
5.根据权利要求1所述的改善化镀表面色差的方法，其特征在于：步骤一中的所述亲水性为测试水滴角小于40°。
6.根据权利要求1所述的改善化镀表面色差的方法，其特征在于：步骤二中利用两次沉积的方法形成所述锌层。
7.根据权利要求1所述的改善化镀表面色差的方法，其特征在于：步骤三中的所述目标金属的层数为3层，所述目标金属依次为镍、钯、金。
8.根据权利要求7所述的改善化镀表面色差的方法，其特征在于：步骤三中的所述目标金属层中，所述镍的厚度为1.5至3um。
9.根据权利要求8所述的改善化镀表面色差的方法
10.根据权利要求9所述的改善化镀表面色差的方法，其特征在于：步骤三中的所述目标金属层中，所述金的厚度为0.03-0.07um。
...【技术特征摘要】
1.一种改善化镀表面色差的方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的改善化镀表面色差的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(soi)衬底。
3.根据权利要求1所述的改善化镀表面色差的方法，其特征在于：步骤一中的所述等离子体以o2和ar作为离子源。
4.根据权利要求3所述的改善化镀表面色差的方法，其特征在于：步骤一中的所述o2的气体比例为20至80％。
5.根据权利要求1所述的改善化镀表面色差的方法，其特征在于：步骤一中的所述亲水性为测试水滴角小于40°。
6.根据权利要求1所述的改善化镀表面色差的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱田，谭秀文，惠科石，包茜莲，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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