【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种热电元件，并且更具体地，涉及一种热电元件的粘合结构。
技术介绍
1、热电现象是由材料中电子和空穴的运动而发生的现象，并且指的是热与电之间的直接能量转换。
2、热电元件是使用热电现象的器件的通用名称，并且具有在金属电极之间结合p型热电材料和n型热电材料而形成pn结对的结构。
3、热电元件可以分类为利用电阻的温度变化的器件、利用塞贝克(seebeck)效应(塞贝克效应是由于温度差产生电动势的现象)的器件、利用珀尔帖效应(珀尔帖效应是通过电流发生吸热或热生成的现象)的器件等。
4、热电元件被广泛应用于家用电器、电子部件、通信部件等。例如，热电元件可以应用于冷却装置、加热装置、发电装置等。因此，对热电元件的热电性能的需求越来越多地增加。
5、热电元件包括基板、电极和热电臂。多个热电臂以阵列形状设置在上基板与下基板之间，多个上电极设置在多个热电臂与上基板之间，多个下电极设置在多个热电臂与下基板之间。
6、通常，热电元件可以设置在金属支撑件上。当热电元件中所包括的上基板和下基板是陶瓷基板时，由于陶瓷基板与金属支撑件之间的界面处的热电阻，可能发生热损耗。
技术实现思路
1、技术问题
2、本专利技术旨在提供一种热电元件的粘合结构。
3、技术方案
4、本专利技术的一个方面提供了一种热电元件，其包括：第一金属基板；第一树脂层，其设置在第一金属基板上并与第一金属基板直接接触；多个第一电极，设
5、嵌入第一树脂层中的侧表面的高度可以是多个第一电极中的每一个的厚度的0.1至1倍。
6、两个相邻的第一电极之间的第一树脂层的厚度可以从第一电极的侧表面到两个相邻的第一电极之间的中心区域减小。
7、在多个第一电极下方的第一树脂层的厚度可以小于在两个相邻的第一电极之间的中心区域处的第一树脂层的厚度。
8、在多个第一电极下方的第一树脂层中的无机填料的分布可以不同于在两个相邻的第一电极之间的第一树脂层中的无机填料的分布。
9、在多个第一电极下方的第一树脂层中的无机填料的颗粒尺寸(d50)可以小于在两个相邻的第一电极之间的第一树脂层中的无机填料的颗粒尺寸(d50)。
10、第一金属基板的面向第一树脂层的表面可包括第一区域和设置在第一区域中的第二区域，第二区域的表面粗糙度可以大于第一区域的表面粗糙度，并且第一树脂层可以设置在第二区域上。
11、热电元件还可包括设置在第一金属基板与第二金属基板之间的密封部，其中，密封部可以设置在第一区域上。
12、密封部可包括密封壳体和密封材料，该密封壳体被设置为与第一树脂层的侧表面和第二树脂层的侧表面间隔预定距离，该密封材料设置在密封壳体与第一区域之间。
13、第一树脂层可包含重量百分比为20至40％的聚合物树脂和重量百分比为60至80％的无机填料。
14、聚合物树脂可包含环氧树脂、丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、聚酰胺树脂、聚乙烯树脂、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(eva)树脂、聚酯树脂和聚氯乙烯(pvc)树脂中的至少一种，无机填料可包含氧化铝、氮化硼和氮化铝中的至少一种。
15、第二树脂层和第一树脂层可包含相同的材料。
16、提供一种热电元件，包括：基板；绝缘层，设置在所述基板上；电极，设置在所述绝缘层上；以及半导体结构，设置在所述电极上；所述绝缘层包括设置有所述电极的第一凹部和设置在所述第一凹部的外周的第二凹部；所述第一凹部的宽度大于所述第二凹部的宽度。
17、所述电极的厚度大于所述第一凹部的深度。
18、所述电极包括面向所述基板的底表面、面向所述底表面的上表面以及设置在所述上表面和所述底表面之间的侧表面；所述第一凹部包括与所述电极的侧表面接触的接触面；所述第一凹部的接触面的厚度为所述电极的厚度的0.3倍以上。
19、所述第一凹部的接触面的厚度为所述电极的厚度的0.8倍以下。
20、所述绝缘层的厚度为20μm至200μm。
21、所述热电元件还包括：顶部电极，设置在所述半导体结构上；顶部绝缘层，设置在所述顶部电极上；以及顶部基板，设置在所述顶部绝缘层上。
22、所述电极包括彼此间隔开的多个第一电极；所述第二凹部设置在所述多个第一电极之间。
23、所述第二凹部与所述顶部电极垂直地重叠。
24、所述第一凹部的深度大于所述第二凹部的深度。
25、提供一种热电元件，包括：基板；绝缘层，设置在所述基板上；电极，设置在所述绝缘层上；以及半导体结构，设置在所述电极上；所述绝缘层包括设置有所述电极的第一凹部和设置在所述第一凹部的外周的第二凹部；所述电极的宽度大于所述第二凹部的宽度。
26、所述电极的厚度大于所述第一凹部的深度。
27、所述电极包括面向所述基板的底表面、面向所述底表面的上表面以及设置在所述上表面和所述底表面之间的侧表面；所述绝缘层包括与所述电极的侧表面接触的接触面；所述接触面的高度等于所述第一凹部的深度且大于所述第二凹部的深度。
28、所述接触面的高度为所述电极的厚度的0.3倍以上且0.8倍以下。
29、所述绝缘层的厚度为20μm至200μm。
30、所述热电元件还包括：顶部电极，设置在所述半导体结构上；顶部绝缘层，设置在所述顶部电极上；以及顶部基板，设置在所述顶部绝缘层上；所述第二凹部与所述顶部电极垂直地重叠。
31、还包括设置在所述顶部基板和所述基板之间的密封部；所述密封部包括与所述基板接触的接触部。
32、所述基板和所述顶部基板包括金属；所述密封部与所述绝缘层间隔开。
33、提供一种热电元件，包括：基板；绝缘层，设置在所述基板上；电极，设置在所述绝缘层上；以及半导体结构，设置在所述电极上；所述绝缘层包括所述电极的一部分嵌入的第一区域和设置在所述第一区域的外周的第二区域；所述第二区域包括向所述基板凹陷的上表面；凹陷的所述上表面的水平方向的宽度小于所述第一区域的水平方向的宽度。
34、所述电极包括与所述绝缘层接触的底表面以及面向所述底表面的上表面；所述电极的底表面比所述绝缘层的第二区域的凹陷的上表面更靠近所述基板；所述绝缘层的第二区域的凹陷的上表面比所述电极的上表面更靠近所述基板。
35、所述电极包括面向所述基板的底表面、面向所述半导体结构的上表面以及设置在所述电极的底表面和所述电极的上表面之间的侧表面；所述侧表面包括与所述绝缘层的所述第一区域接触的接触面；所述接触面的垂直方向的长度为所述侧表面的垂直方向的长度的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种热电元件，包括：
2.根据权利要求1所述的热电元件，其中，
3.根据权利要求2所述的热电元件，其中，
4.根据权利要求3所述的热电元件，其中，
5.根据权利要求1所述的热电元件，其中，
6.根据权利要求1所述的热电元件，还包括：
7.根据权利要求6所述的热电元件，其中，
8.根据权利要求7所述的热电元件，其中，
9.根据权利要求1所述的热电元件，其中，
10.一种热电元件，包括：
11.根据权利要求10所述的热电元件，其中，
12.根据权利要求11所述的热电元件，其中，
13.根据权利要求12所述的热电元件，其中，
14.根据权利要求13所述的热电元件，其中，
15.根据权利要求10所述的热电元件，还包括：
16.根据权利要求15所述的热电元件，其中，
17.根据权利要求16所述的热电元件，其中，
18.一种热电元件，包括：
19.根据权利要求18所述的热电元
20.根据权利要求18所述的热电元件，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种热电元件，包括：
2.根据权利要求1所述的热电元件，其中，
3.根据权利要求2所述的热电元件，其中，
4.根据权利要求3所述的热电元件，其中，
5.根据权利要求1所述的热电元件，其中，
6.根据权利要求1所述的热电元件，还包括：
7.根据权利要求6所述的热电元件，其中，
8.根据权利要求7所述的热电元件，其中，
9.根据权利要求1所述的热电元件，其中，
10.一种热电元件，包括：
11.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢名来，李锺旼，赵容祥，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：
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