【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及探测器加工工艺领域，具体是一种碲锌镉晶体的腐蚀工艺。
技术介绍
1、半导体探测器是以半导体材料为探测介质的辐射探测器，最通用的半导体材料是锗和硅。半导体探测器的基本原理是带电粒子在半导体探测器的灵敏体积内产生电子－空穴对，电子－空穴对在外电场的作用下漂移而输出信号。人们日益注意探索可在常温下探测γ射线的半导体材料。一些原子序数较大的化合物半导体，如碲化镉、砷化镓、碘化汞、硒化镉、碲锌镉等，均已用于制备x、γ射线探测器，并已取得不同程度的进展。
2、碲锌镉(cdznte，czt)探测器是目前常温γ射线探测器中最主要的探测器之一,碲锌镉探测器的较多优点,使得它得到了越来越广泛的应用，但是碲锌镉晶体表面往往存在划痕和缺陷等损伤，进而影响其制成碲锌镉探测器后的性能。目前暂未找到相关加工的工艺能够降低碲锌镉晶体表面存在的划痕和缺陷等损伤。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种碲锌镉晶体的腐蚀工艺，本专利技术提供的腐蚀工艺可以定量腐蚀碲锌镉晶体，精度微米级别，可去除表面划痕，缺陷等损伤，并通过后续一系列的清洁手段，提升探测器性能。
2、本专利技术提供了一种碲锌镉晶体的腐蚀工艺，包括：采用溴的甲醇溶液对碲锌镉晶体进行腐蚀；所述溴的甲醇溶液中溴的质量浓度为1wt％～3wt％。
3、本申请专利技术人创造性地发现，使用特定比例的溴的甲醇溶液，对碲锌镉晶体进行腐蚀，可以定量腐蚀碲锌镉晶体，精度达到微米级别，可去除表面划痕和
4、本专利技术所述溴的甲醇溶液中溴的质量浓度为1wt％～3wt％；腐蚀速率对表面处理稳定性有重要作用，溴的甲醇溶液中溴的比例关系到蚀刻速率稳定性，质量浓度为1wt％～3wt％的溴的甲醇溶液腐蚀czt晶体的腐蚀速率较为稳定。本专利技术所述腐蚀的时间为1min～10min；所述腐蚀的时间与晶体表层去除量有关。
5、在一个实施例中，所述溴的甲醇溶液中溴的质量浓度为1wt％，所述腐蚀的时间为2min。1wt％的溴甲醇对czt晶体进行腐蚀的腐蚀速率约为1000nm/min～1500nm/min，腐蚀2min后的腐蚀量在2000nm～3000nm。
6、在一个实施例中，所述溴的甲醇溶液中溴的质量浓度为2wt％，所述腐蚀的时间为2min。2wt％的溴甲醇对czt晶体进行腐蚀的腐蚀速率约为3000nm/min～3500nm/min，腐蚀2min后的腐蚀量在6000nm～7000nm。
7、在一个实施例中，所述溴的甲醇溶液中溴的质量浓度为3wt％，所述腐蚀的时间为2min。3wt％的溴甲醇对czt晶体进行腐蚀的腐蚀速率约为4500nm/min～5000nm/min，腐蚀2min后的腐蚀量在9000nm～10000nm。
8、本专利技术采用溴的甲醇溶液对碲锌镉晶体进行腐蚀时，所述腐蚀的温度为21℃～23℃。温度过高或过低均会影响腐蚀速率，温度过低会降低腐蚀速率，温度过高会增加腐蚀速率。
9、本专利技术针对碲锌镉晶体进行腐蚀，具体而言所述碲锌镉晶体为碲锌镉单晶晶体。
10、本专利技术在采用溴的甲醇溶液对碲锌镉晶体进行腐蚀之后，还包括采用甲醇对进行腐蚀后的碲锌镉晶体进行清洗。本专利技术用溴的甲醇溶液腐蚀czt晶体后还需要对腐蚀后的czt晶体经过多次清洗，否则会有会有腐蚀物残留，影响最终制成czt探测器后的性能。在本专利技术的某些实施例中，所述清洗的次数为4次，每次清洗20s～40s，间隔时间小于10s。
11、本专利技术提供的碲锌镉晶体的腐蚀工艺，包括：采用溴的甲醇溶液对碲锌镉晶体进行腐蚀；所述溴的甲醇溶液中溴的质量浓度为1wt％～3wt％。本专利技术提供的碲锌镉晶体的腐蚀工艺创新性地选用了特定比例的溴的甲醇溶液，可以对碲锌镉晶体进行定量微米级精度的腐蚀，实现对碲锌镉晶体表面的稳定处理，还可以去除碲锌镉晶体一些细微划伤和表面缺陷，从而提高最终碲锌镉探测器的性能。实验表明，本专利技术提供的腐蚀工艺以1wt％～3wt％的溴的甲醇溶液对czt晶体进行腐蚀的腐蚀速率在1.27μm/min～4.91μm/min之间，腐蚀速率较为稳定。
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1.一种碲锌镉晶体的腐蚀工艺，其特征在于，包括：采用溴的甲醇溶液对碲锌镉晶体进行腐蚀；
2.根据权利要求1所述的腐蚀工艺，其特征在于，所述腐蚀的时间为1min～10min。
3.根据权利要求2所述的腐蚀工艺，其特征在于，所述溴的甲醇溶液中溴的质量浓度为1wt％，所述腐蚀的时间为2min。
4.根据权利要求2所述的腐蚀工艺，其特征在于，所述溴的甲醇溶液中溴的质量浓度为2wt％，所述腐蚀的时间为2min。
5.根据权利要求2所述的腐蚀工艺，其特征在于，所述溴的甲醇溶液中溴的质量浓度为3wt％，所述腐蚀的时间为2min。
6.根据权利要求1～5中任一所述的腐蚀工艺，其特征在于，所述腐蚀的温度为21℃～23℃。
7.根据权利要求1～5中任一所述的腐蚀工艺，其特征在于，所述碲锌镉晶体为碲锌镉单晶晶体。
8.根据权利要求1～5中任一所述的腐蚀工艺，其特征在于，还包括采用甲醇对进行腐蚀后的碲锌镉晶体进行清洗。
9.根据权利要求8所述的腐蚀工艺，其特征在于，所述清洗的次数为4次，每次清洗20s～40s
...【技术特征摘要】
1.一种碲锌镉晶体的腐蚀工艺，其特征在于，包括：采用溴的甲醇溶液对碲锌镉晶体进行腐蚀；
2.根据权利要求1所述的腐蚀工艺，其特征在于，所述腐蚀的时间为1min～10min。
3.根据权利要求2所述的腐蚀工艺，其特征在于，所述溴的甲醇溶液中溴的质量浓度为1wt％，所述腐蚀的时间为2min。
4.根据权利要求2所述的腐蚀工艺，其特征在于，所述溴的甲醇溶液中溴的质量浓度为2wt％，所述腐蚀的时间为2min。
5.根据权利要求2所述的腐蚀工艺，其特征在于，所述溴的...
【专利技术属性】
技术研发人员：张伟，史新鹏，郭雅莉，
申请(专利权)人：安徽光智科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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