【技术实现步骤摘要】
本申请涉及一种制备反光层式挡墙显示基板的方法，属于显示器件领域。
技术介绍
1、micro-led显示是指以自发光的微米量级的led为发光像素单元，发光像素单元可做到微米尺寸，因此在亮度、分辨率、对比度等方面都存在优势。目前蓝光和绿光led芯片的发光效率较高，而红光led芯片的发光效率很低，并且micro-led制作成功率低，因此实现全彩的micro-led显示仍有一定的困难。量子点具有工艺成熟、量子产率高、色纯度高等优异特点，可大幅提升显示器件的显示色域，因而受到了广泛关注。
2、使用蓝光led激发的红、绿量子点，通过量子点色转换实现全彩显示。在量子点像素层基板上分布多个量子点像素单元，与蓝色led一一对应，在蓝光led的激发下，量子点像素单元可分别发出红光、绿光以及空白像素单元的透过蓝光。但是，各个像素单元之间会发生光串扰，造成显示的分辨率降低，且出射蓝光损失也会降低光效。
技术实现思路
1、根据本申请的一个方面，针对以上亟需解决的关键问题，本专利技术提出一种图案化基板的反光挡墙制作方法。
2、本方法采用如下技术方案实现：
3、一种制备反光层式挡墙显示基板的方法，包括如下步骤：
4、步骤1)在具有发光芯片的基板上涂覆光刻胶，形成光刻胶层；
5、步骤2)对光刻胶层进行显影曝光处理，去除挡墙位置的光刻胶，形成挡墙孔洞，保留发光芯片上方的光刻胶；
6、步骤3)通过银镜反应，在显影曝光处理后的光刻胶层上及挡墙孔洞四
7、步骤4)在挡墙孔洞中填入挡墙材料胶水，挡墙材料胶水固化形成挡墙结构；
8、步骤5)打磨去除保留的正性光刻胶上方的银金属层，然后清洗去除保留的正性光刻胶，即得到反光层式挡墙显示基板。
9、可选地，所述步骤3)具体包括如下步骤：
10、步骤a)将基板表面使用活化剂溶液处理；
11、步骤b)使用银镜反应溶液在基板表面镀银反光层；
12、步骤c)将镀银反光层的基板与镀铜钝化溶液反应，形成金属反光层。
13、所述步骤a)中活化剂采用0.05～0.5wt％的sncl2、0.1～2wt％盐酸的水溶液。
14、可选地，所述步骤b)中的银镜反应溶液包含银离子0.1～2mol/l，还原剂0.1～10mol/l，氨0.2～4mol/l；
15、可选地，所述还原剂包括葡萄糖、乙醛、甲醛中的至少一种；
16、可选地，所述步骤c)中镀铜钝化溶液采用1～10重量份的硫酸铜、1～10重量份的浓硫酸、1～3重量份的铁粉、10～1000重量份的水配制得到。
17、可选地，发光芯片为蓝光led芯片，其尺寸为2～200μm，优选尺寸为2～100μm。
18、可选地，所述挡墙为热固胶水或光固化胶水固化后形成。
19、可选地，所述热固化胶水包括环氧树脂、酚醛树脂、聚氨酯、硅胶中的至少一种；
20、可选地，所述光固化胶水包含预聚物光固化胶水和单体光固化胶水中的至少一种；
21、可选地，所述预聚物光固化胶水包含环氧丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、丙烯酸树脂中的至少一种；
22、可选地，所述单体光固化胶水包含iboa、iboma、hema、tpgda、hdda、degda、npgda、tmpta、peta中的至少一种。
23、可选地，所述光刻胶层的厚度为5～30μm；
24、可选地，所述光刻胶层厚度为5～15μm；
25、可选地，所述光刻胶选自s1813、spr220i、azp4620中的一种；
26、可选地，所述显影液选自zx238、mf-24a、zx238中的一种；
27、可选地，采用丙酮去除光刻胶。
28、可选地，所述金属反光层的厚度为0.1～3μm。
29、本申请还提出了一种全彩量子点显示基板的显示器件，所述显示器件中包含权利要求1～6中任一所述的方法制备的反光层式挡墙显示基板。
30、可选地，在反光层式挡墙显示基板的像素孔内填入可固化的像素点胶液，所述可固化的像素点胶液固化后得到所述显示器件。
31、可选地，所述可固化的像素点胶液具有红像素点胶液、绿像素点胶液、蓝像素点胶液；所述红像素点胶液中含有红色量子点材料，所述绿像素点胶液中含有绿色量子点材料。
32、可选地，所述量子点材料为iv、ii-vi，iv-vi、iii-v族量子点和多元素量子点；
33、可选地，所述量子点材料包括碳量子点材料、硅量子点材料、锗量子点材料、硫化镉量子点材料、硒化镉量子点材料、碲化镉量子点材料、硒化锌量子点材料、硫化铅量子点材料、硒化铅量子点材料、磷化铟量子点材料、砷化铟量子点材料中的至少一种；
34、可选地，所述量子点材料包括钙钛矿量子点材料中的至少一种；
35、可选地，所述钙钛矿量子点材料选自无机钙钛矿量子点材料和有机-无机杂化钙钛矿量子点材料中的任一种。
36、可选地，量子点材料可以是直接用于制备像素单元，也可以进行表面处理包覆如聚合物包覆、无机氧化物包覆等处理后再用于制作像素单元。
37、可选地，所述量子点像素单元层的厚度为5～50μm；
38、可选地，所述量子点像素单元层的厚度为10～20μm。
39、可选地，所述可固化的像素点胶液采用点胶、喷墨打印或微流控的方法填入像素孔内；
40、可选地，所述可固化的像素点胶液中包含扩散粒子；
41、可选地，所述的扩散粒子包括据碳酸脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、二氧化硅、碳酸钙以及二氧化钛中的一种或多种；
42、可选地，扩散粒子的直径大小在10～100nm之间。
43、本申请的方法可获得如下的有益效果：
44、1、本专利技术提供了一种量子点图案化显示基板的反光挡墙的制作方法，该反光挡墙在量子点图案化显示基板起到防串光和提高发光效率的作用。
45、2、本专利技术中的反光挡墙是由银金属层与固化的胶水组成，其中银金属层通过银镜反应制备，金属层制备速度快且金属层致密，金属层对可见光的反射率大于90％。
46、3、过程中使用正性光刻胶光刻的方式制备像素单元，精度高，因此可制作微米尺寸的量子点像素单元。
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1.一种制备反光层式挡墙显示基板的方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备反光层式挡墙显示基板的方法，其特征在于，所述步骤3)具体包括如下步骤：
3.根据权利要求1所述的制备反光层式挡墙显示基板的方法，其特征在于，所述步骤a)中活化剂采用0.05～0.5％的SnCl2、0.1～2wt％盐酸的水溶液。
4.根据权利要求1所述的制备反光层式挡墙显示基板的方法，其特征在于，所述挡墙为热固胶水或光固化胶水固化后形成。
5.根据权利要求1所述的制备反光层式挡墙显示基板的方法，其特征在于，所述光刻胶层的厚度为5～30μm；
6.根据权利要求1所述的制备反光层式挡墙显示基板的方法，其特征在于，所述金属反光层的厚度为0.1～3μm。
7.一种全彩量子点显示基板的显示器件，所述显示器件中包含权利要求1～6中任一所述的方法制备的反光层式挡墙显示基板。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在反光层式挡墙显示基板的像素孔内填入可固化的像素点胶液，所述可固化的像素点胶液固化后得到所述显示器件
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述可固化的像素点胶液具有红像素点胶液、绿像素点胶液、蓝像素点胶液；所述红像素点胶液中含有红色量子点材料，所述绿像素点胶液中含有绿色量子点材料。
10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述可固化的像素点胶液采用点胶、喷墨打印或微流控的方法填入像素孔内；
...【技术特征摘要】
1.一种制备反光层式挡墙显示基板的方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备反光层式挡墙显示基板的方法，其特征在于，所述步骤3)具体包括如下步骤：
3.根据权利要求1所述的制备反光层式挡墙显示基板的方法，其特征在于，所述步骤a)中活化剂采用0.05～0.5％的sncl2、0.1～2wt％盐酸的水溶液。
4.根据权利要求1所述的制备反光层式挡墙显示基板的方法，其特征在于，所述挡墙为热固胶水或光固化胶水固化后形成。
5.根据权利要求1所述的制备反光层式挡墙显示基板的方法，其特征在于，所述光刻胶层的厚度为5～30μm；
6.根据权利要求1所述的制备反光层式挡墙显示基板的方法，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：李飞，景宇宇，韩登宝，钟海政，
申请(专利权)人：北京航空航天大学合肥创新研究院北京航空航天大学合肥研究生院，
类型：发明
国别省市：
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