一种极片及电池制造技术

技术编号:40199363 阅读:45 留言:0更新日期:2024-01-27 00:03
本发明专利技术提供了一种极片,所述极片包括集流体和在所述集流体至少一侧表面的第一涂层,所述第一涂层包括第一区和第二区,所述第一区位于所述集流体的中间区域,所述第二区位于所述集流体的边缘区域,所述第一区与所述第二区邻接,所述第一区的含硅量大于所述第二区的含硅量。本发明专利技术改善了含硅极片在进行补锂后边缘析锂和掉粉的问题,并且可以有效提高电池的首效和能量密度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电池,具体涉及一种极片以及包括该极片的电池。


技术介绍

1、锂离子电池商业化应用之后,以其较高的能量密度和功率密度,在便携式消费类电子产品及电动车上获得了普遍应用。随着对电子产品及电动车续航能力日益提高的需求,锂离子电池对能量密度以及寿命的要求也越来越高。

2、硅材料理论比容量高,是替代石墨负极,提高锂离子电池能量密度的理想材料。但是硅材料在实际应用中也存在一个明显的短板,即首次充放电循环的库伦效率比石墨负极低(一般硅负极首效在69%-85%之间,石墨负极首效在90%-94%)。一个有效的方法是对极片进行预先补锂,以补充在首次循环中消耗的不可逆容量,提高掺硅电池首效,进而提高电池的能量密度。

3、但是,由于边缘效应,极片边缘硅很容易发生过补,导致嵌入过多的li而引发极片边缘掉粉,从而导致电池性能的下降。那么如果考虑到极片边缘的特殊性,不在边缘补锂,边缘补锂量不足还是会导致组成电池后边缘位置的硅会消耗活性锂,从而造成电池的首效降低,影响电池的能量密度。

4、因此,本专利技术提供一种极片,用于解决锂离子电池循环本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种极片,其特征在于,所述极片包括集流体和在所述集流体至少一侧表面的第一涂层,所述第一涂层包括第一区和第二区,所述第一区位于所述集流体的中间区域,所述第二区位于所述集流体的边缘区域,所述第一区与所述第二区邻接,所述第一区的含硅量大于所述第二区的含硅量。

2.根据权利要求1所述的极片,其中,所述第一区的含硅量大于等于5%并且小于等于100%,优选为5%-50%。

3.根据权利要求1或2所述的极片,其中,所述第二区的含硅量为大于等于0%并且小于5%,优选为0%-2%。

4.根据权利要求1-3任一项所述的极片,其中,所述第一涂层包括明区和暗区,所述明区位...

【技术特征摘要】

1.一种极片,其特征在于,所述极片包括集流体和在所述集流体至少一侧表面的第一涂层,所述第一涂层包括第一区和第二区,所述第一区位于所述集流体的中间区域,所述第二区位于所述集流体的边缘区域,所述第一区与所述第二区邻接,所述第一区的含硅量大于所述第二区的含硅量。

2.根据权利要求1所述的极片,其中,所述第一区的含硅量大于等于5%并且小于等于100%,优选为5%-50%。

3.根据权利要求1或2所述的极片,其中,所述第二区的含硅量为大于等于0%并且小于5%,优选为0%-2%。

4.根据权利要求1-3任一项所述的极片,其中,所述第一涂层包括明区和暗区,所述明区位于所述集流体的中间区域,所述暗区位于所述集流体的边缘区域,所述明区与所述暗区邻接。

5.根据权利要求4所述的极片,其中,所述第一区距所述集流体沿宽度方向边缘两侧的长度为a1和a2,所述明区距所述集流体沿宽度方向边缘两侧的长度为c1和c2,a1与c1同侧,a2与c2同侧,满足0≤c1≤a1;和/或,满足0≤c2≤a2。

6.根据权利要求5所述的极片,其中,...

【专利技术属性】
技术研发人员:王云昊徐腾飞李国梁陈志炜谢继春
申请(专利权)人:珠海冠宇电池股份有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1