【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体芯片领域，具体涉及一种芯片化学腐蚀背减薄装置及其方法。
技术介绍
1、目前，在半导体芯片加工工艺领域内，减薄工艺一直是至关重要的一步，从原始的芯片经多道工序加工后，芯片的厚度同样要满足其应用环境，因此减薄工艺就是将芯片加工到一种合适的应用尺寸。
2、现有的芯片减薄技术均是通过研磨减薄机或者是自动化砂轮减薄机进行减薄工艺的加工，而这两种减薄方式均是物理施加力进行减薄的方式。由于芯片减薄工艺前段是对芯片的切割，而无论经过何种方式的切割均会使芯片边缘形成非常微小的毛边，无论是砂轮机减薄还是研磨机减薄，均是在一定的物理作用力下进行的，当边缘的毛边受力后，极易造成一定的缺陷导致最终芯片的裂片，尤其是当应用环境需要非常薄的芯片时，对于芯片的减薄所造成芯片损伤的情况更加严重。
技术实现思路
1、专利技术目的：本专利技术的目的在于针对现有技术的不足，提供一种芯片化学腐蚀背减薄方法，相较于现有技术，本专利技术将传统的物理减薄方式转变成化学减薄方式，通过腐蚀的方式对芯片表面进行减薄处理，同时设计了一种新型的芯片腐蚀背减薄装置，确保采用芯片腐蚀背减薄方法时，能有效对芯片腐蚀的时长进行控制，确保腐蚀芯片减薄方法的精确有效及稳定性。
2、本专利技术公开的一种芯片化学腐蚀背减薄方法，包括以下步骤：
3、步骤1：对芯片与电路进行保护，将与芯片连接的电路露出的正面通过白蜡均匀覆盖保护，电路的背面采用光刻胶进行保护，保护后对芯片进行称重；
4、步骤
5、步骤3：将装有混合均匀的腐蚀液的烧杯取出冰水浴后静置30min，静置后的腐蚀液温度与室温基本一致；
6、步骤4：将芯片固定于芯片放置台，芯片浸没入腐蚀液中进行腐蚀，腐蚀后提拉芯放置台取出，再将芯片放入装满水的烧杯中，不断用流水对芯片进行冲洗，冲洗时长5min，经气枪吹干后重新称重，计算在腐蚀时间内芯片腐蚀的厚度，并重新进行腐蚀，直至腐蚀到目标厚度，计算公式为：，
7、其中，d为芯片腐蚀的厚度，为初始芯片质量，为经腐蚀后的芯片质量，s为芯片背面面积，，ρ为芯片的密度，为初始芯片厚度；
8、步骤5：腐蚀至目标厚度后，采用tmah溶液将芯片的保护层去除并清洗干净，再对芯片背面进行抛光处理。
9、所述白蜡覆盖厚度为3-15μm，所述的光刻胶的厚度为3-10μm。
10、所述室温为净化间的环境温度，维持在22℃±1℃。
11、所述冰水浴为冰水混合物，理想状态为0℃，即采用室温（22±1℃）水中加入冰块袋，静置5-15min即可达到冰水浴的效果。
12、所述抛光工艺采用传统的cmp抛光或纯化学抛光工艺，其中cmp抛光工艺采用tmah配制的抛光液进行抛光。
13、本专利技术公开的一种芯片化学腐蚀背减薄装置，包括手提杆、弹簧绳拉环、支撑联动杆、延长柱和芯片放置台，所述的弹簧绳拉环设置在手提杆上，所述的延长柱呈同心圆形状分布，同心圆中心的延长柱连接所述的手提杆，中心外围的延长柱连接所述的支撑联动杆，所述的支撑联动杆的内部设有弹簧绳，弹簧绳终端由弹簧绳拉环控制，所述的延长柱四个侧面的底部处均设有芯片放置台，芯片放置台还包括支撑带、支撑台阶以及芯片放置卡槽，所述的芯片放置卡槽槽口位于延长柱侧面，所述的支撑带沿芯片放置卡槽的下表面向外延伸，所述的支撑台阶位于芯片放置卡槽槽口处的边缘位置，由芯片放置卡槽底部水平向外延伸，所述的弹簧绳将支撑联动杆由弯曲状态变成直线状态，使延长柱底部芯片放置台向外展开，将芯片固定于芯片放置台上。
14、所述弹簧绳拉环对称设置两个，分别控制中心外围的延长柱。
15、所述支撑联动杆弯曲的角度大于等于90度且小于180度。
16、所述延长柱同一侧面的支撑台阶的水平面与支撑带的上表面以及芯片放置卡槽的下表面均处于同一水平面。
17、所述支撑带的长度大于支撑台阶。
18、本专利技术技术方案带来的有益效果有：
19、1、本专利技术通过腐蚀液各试剂间的相互作用，有效防止芯片裂片以及边缘损坏的问题，利用化学腐蚀方式，芯片减薄速率远高于传统的物理研磨工艺，提高成品率，很大程度上节约了人力和物力。
20、2、本专利技术通过称量芯片质量，利用公式计算转换得出芯片减薄厚度，能够精准有效的控制芯片的厚度，也能控制芯片背面的平整度。
21、3、本专利技术采用tmah溶液的化学性质，能够对芯片进行清洗，保证芯片背面的干净和平滑，且作为cmp抛光所用抛光料对芯片后续的抛光工艺没有任何不良影响。
22、4、本专利技术公开的芯片化学腐蚀背减薄方法基于芯片化学腐蚀背减薄固定装置，利用固定装置放置芯片，能够保证大数量芯片腐蚀的有效性和精确度，还保证芯片腐蚀后取出时的安全性。
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1.一种芯片化学腐蚀背减薄方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种芯片化学腐蚀背减薄方法，其特征在于，所述的白蜡覆盖厚度为3-15μm，所述的光刻胶的厚度为3-10μm。
3.根据权利要求1所述的一种芯片化学腐蚀背减薄方法，其特征在于，所述的室温为净化间的环境温度，维持在22℃±1℃。
4.根据权利要求1所述的一种芯片化学腐蚀背减薄方法，其特征在于，所述的冰水浴为冰水混合物。
5.根据权利要求1所述的一种芯片化学腐蚀背减薄方法，其特征在于，所述的抛光工艺采用传统的CMP抛光或纯化学抛光工艺，其中CMP抛光工艺采用TMAH配制的抛光液进行抛光。
6.一种芯片化学腐蚀背减薄装置，其特征在于，包括手提杆、弹簧绳拉环、支撑联动杆、延长柱和芯片放置台，所述的弹簧绳拉环设置在手提杆上，所述的延长柱呈同心圆形状分布，同心圆中心的延长柱连接所述的手提杆，中心外围的延长柱连接所述的支撑联动杆，所述的支撑联动杆的内部设有弹簧绳，弹簧绳终端由弹簧绳拉环控制，所述的延长柱四个侧面的底部处均设有芯片放置台，芯片放置台还包括支
7.根据权利要求6所述的一种芯片化学腐蚀背减薄装置，其特征在于，所述的弹簧绳拉环对称设置两个，分别控制中心外围的延长柱。
8.根据权利要求6所述的一种芯片化学腐蚀背减薄装置，其特征在于，所述的支撑联动杆弯曲的角度范围为大于等于90度且小于180度。
9.根据权利要求6所述的一种芯片化学腐蚀背减薄装置，其特征在于，所述的延长柱的同一侧的支撑台阶的水平面与支撑带的上表面以及芯片放置卡槽的下表面均处于同一水平面。
10.根据权利要求6所述的一种芯片化学腐蚀背减薄装置，其特征在于，所述的支撑带的长度大于支撑台阶。
...【技术特征摘要】
1.一种芯片化学腐蚀背减薄方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种芯片化学腐蚀背减薄方法，其特征在于，所述的白蜡覆盖厚度为3-15μm，所述的光刻胶的厚度为3-10μm。
3.根据权利要求1所述的一种芯片化学腐蚀背减薄方法，其特征在于，所述的室温为净化间的环境温度，维持在22℃±1℃。
4.根据权利要求1所述的一种芯片化学腐蚀背减薄方法，其特征在于，所述的冰水浴为冰水混合物。
5.根据权利要求1所述的一种芯片化学腐蚀背减薄方法，其特征在于，所述的抛光工艺采用传统的cmp抛光或纯化学抛光工艺，其中cmp抛光工艺采用tmah配制的抛光液进行抛光。
6.一种芯片化学腐蚀背减薄装置，其特征在于，包括手提杆、弹簧绳拉环、支撑联动杆、延长柱和芯片放置台，所述的弹簧绳拉环设置在手提杆上，所述的延长柱呈同心圆形状分布，同心圆中心的延长柱连接所述的手提杆，中心外围的延长柱连接所述的支撑联动杆，所述的支撑联动杆的内部设有弹簧绳，弹簧绳终端由弹簧绳拉环控制...
【专利技术属性】
技术研发人员：张堂，
申请(专利权)人：无锡兴华衡辉科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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