【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于集成电路，尤其涉及一种与温度近似无关的电流基准电路。
技术介绍
1、基准源是模拟系统的核心模块，其广泛作用于adc(模数转换)或ldo(低压差线性稳压器)的参考源，其温度系数、功耗、工作电压范围等指标设计十分关键，对整个芯片系统有着重要的作用。
2、理想情况下，基准电流或电压不随温度、电压、工艺的变化而变化。但带隙基准电压由一个正温度系数的电压和一个负温度系数的电压相加得到，正温度系数电压为线性，负温度系数电压存在高阶温度系数。因此一般的基准电压为抛物线形式。
3、鉴于此，如何解决高阶温度系数对基准电压、电流带来的影响，是本领域急需解决的一大技术问题。若选择具有与电压温度系数相类似的温度系数的电阻，可产生与温度近似无关的基准电流。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的问题，本专利技术提供了一种与温度近似无关的电流基准电路。
2、本专利技术是这样实现的，一种与温度近似无关的电流基准电路，该电路包括启动电路模块、基准电流产生模块、输出电流产生模块；
3、所述启动电路模块用于电路启动上电，使得电流基准电路进入正常工作状态；
4、所述基准电流产生模块，与所述启动电路模块相连接，用于产生与温度近似无关的基准电流；
5、所述输出电流产生模块，与基准电流产生模块相连接，产生一组或几组所需求的输出电流。
6、进一步，所述启动电路模块包括：
7、第一pmos管，其栅极连接第一nmos管的栅极
8、第一nmos管，其源极连接地；
9、第二pmos管，其源极连接所述供电电源，其漏极连接第二nmos管的漏极与第三pmos管的栅极；
10、第二nmos管，其源极连接地；
11、第三pmos管，其源极连接所述供电电源，其漏极连接第四pmos管的源极；
12、第四pmos管，其栅极与漏极连接第五pmos管的源极；
13、第五pmos管，其栅极与漏极连接第三nmos管的漏极、第四nmos管的漏极、第五nmos管的栅极与第六nmos管的栅极；
14、第三nmos管，其源极连接地，其栅极连接第三pmos管的栅极、第二nmos管的漏极、第二pmos管的漏极、第十nmos管的栅极、第十一nmos管的栅极、第十六nmos管的栅极与第十九nmos管的栅极；
15、第四nmos管，其源极连接地，其栅极连接第十五pmos管的漏极、第十四nmos管的漏极和栅极、第十五nmos管的栅极、第十六nmos管的漏极、第十七nmos管的栅极、第二十nmos管的栅极、第二二nmos管的栅极、第二四nmos管的栅极与第二六nmos管的栅极；
16、第六pmos管，其源极连接所述供电电源，其漏极连接第七pmos管的源极，其栅极连接第七pmos管的栅极与漏极、第五nmos管的漏极、第八nmos管的漏极、第九pmos管的栅极、第十pmos管的漏极、第十五pmos管的栅极、第十六pmos管的栅极与第十七pmos管的栅极；
17、第八pmos管，其源极连接所述供电电源，其漏极连接第九pmos管的源极，其栅极连接第九pmos管的漏极、第十二pmos管的栅极、第十三pmos管的栅极、第十四pmos管的栅极、第十一pmos管的漏极、第六nmos管的漏极与第七nmos管的漏极；
18、第五nmos管，其源极连接地；
19、第六nmos管，其源极连接地；
20、第二八nmos管，其源极连接其栅极、漏极与第一电阻的另一端。
21、进一步，所述基准电流产生模块包括：
22、第七nmos管，其栅极连接第十二nmos管的栅极、第十nmos管的漏极、第十五pmos管的漏极，并通过第三电阻与第十二nmos管的漏极连接，其源极连接第九nmos管的漏极；
23、第八nmos管，其栅极连接第九nmos管的栅极、第十三nmos管的栅极、第十二nmos管的漏极与第十一nmos管的漏极，其源极连接第一三极管的发射极；
24、第九nmos管，其源极通过第二电阻与第二三极管的发射极连接；
25、第十nmos管，其源极连接地；
26、第十一nmos管，其源极连接地；
27、第十pmos管，其源极连接所述供电电源；
28、第十一pmos管，其源极连接所述供电电源；
29、第十二pmos管，其源极连接所述供电电源，其漏极连接第十五pmos管的源极；
30、第十三pmos管，其源极连接所述供电电源，其漏极连接第十六pmos管的源极；
31、第十四pmos管，其源极连接所述供电电源，其漏极连接第十七pmos管的源极；
32、第十三nmos管，其漏极连接第十二nmos管的源极，其源极连接第三三极管的发射极；
33、第十五nmos管，其漏极连接第十四nmos管的漏极，其源极连接地；
34、第十六nmos管，其源极连接地；
35、第十七nmos管，其漏极连接第第十七pmos管的漏极、第十八nmos管的栅极、第二一nmos管的栅极、第二三nmos管的栅极、第二五nmos管的栅极、第二七nmos管的栅极、第十九nmos管的漏极，其源极连接第十八nmos管的漏极；
36、第十八nmos管，其源极连接地；
37、第十九nmos管，其源极连接地；
38、第一三极管，其基极与集电极均连接地；
39、第二三极管，其基极与集电极均连接地；
40、第三三极管，其基极与集电极均连接地。
41、进一步，所述启动电路模块包括：
42、所述输出电流产生模块包括：
43、第二一nmos管，其源极连接地，其漏极连接第二十nmos管的源极；
44、第二三nmos管，其源极连接地，其漏极连接第二二nmos管的源极；
45、第二五nmos管，其源极连接地，其漏极连接第二四nmos管的源极；
46、第二七nmos管，其源极连接地，其漏极连接第二六nmos管的源极；
47、第二十nmos管、第二二nmos管、第二四nmos管、第二六nmos管的漏极为四组输出电压，其源漏电流为四组输出电流；
48、进一步，所述启动电路模块采用倒比管的设计形式，充电速度慢以保证电路能够正常启动。在使得电流基准脱离简并点，进入正常工作状态之后，电流镜提供反馈信号，将启动电路关断，不再从基准电流模块中抽取电流。
49、进一步，所述基准电流产生模块通过电流镜钳位作用对第二三极管和第三三极管进行钳位，使得第九nmos管的源极电压和第十三nmos管的源本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种与温度近似无关的电流基准电路，其特征在于，该电路包括启动电路模块、基准电流产生模块、输出电流产生模块；
2.如权利要求1所述的与温度近似无关的电流基准电路，其特征在于，所述启动电路模块包括：
3.如权利要求1所述的与温度近似无关的电流基准电路，其特征在于，所述基准电流产生模块包括：
4.如权利要求1所述的与温度近似无关的电流基准电路，其特征在于，所述启动电路模块包括：
5.如权利要求1所述的与温度近似无关的电流基准电路，其特征在于，所述启动电路模块采用倒比管的设计形式，充电速度慢以保证电路能够正常启动。在使得电流基准脱离简并点，进入正常工作状态之后，电流镜提供反馈信号，将启动电路关断，不再从基准电流模块中抽取电流。
6.如权利要求1所述的与温度近似无关的电流基准电路，其特征在于，所述基准电流产生模块通过电流镜钳位作用对第二三极管和第三三极管进行钳位，使得第九NMOS管的源极电压和第十三NMOS管的源极电压相等。
7.如权利要求1所述的与温度近似无关的电流基准电路，其特征在于，该电路第二三极管和第三三极
8.如权利要求1所述的与温度近似无关的电流基准电路，其特征在于，该电路采用两种不同温度系数的电阻对R2特性进行补偿，作为第二电阻，使其温度特性与ΔVbe的温度特性保持一致。
9.如权利要求1所述的与温度近似无关的电流基准电路，其特征在于，所述补偿的基准电流表达式为：
10.如权利要求1所述的与温度近似无关的电流基准电路，其特征在于，该电路设计时ΔVbe通常在50-60mV，补偿电阻为9.57kΩ，基准电流约为6uA。
...【技术特征摘要】
1.一种与温度近似无关的电流基准电路，其特征在于，该电路包括启动电路模块、基准电流产生模块、输出电流产生模块；
2.如权利要求1所述的与温度近似无关的电流基准电路，其特征在于，所述启动电路模块包括：
3.如权利要求1所述的与温度近似无关的电流基准电路，其特征在于，所述基准电流产生模块包括：
4.如权利要求1所述的与温度近似无关的电流基准电路，其特征在于，所述启动电路模块包括：
5.如权利要求1所述的与温度近似无关的电流基准电路，其特征在于，所述启动电路模块采用倒比管的设计形式，充电速度慢以保证电路能够正常启动。在使得电流基准脱离简并点，进入正常工作状态之后，电流镜提供反馈信号，将启动电路关断，不再从基准电流模块中抽取电流。
6.如权利要求1所述的与温度近似无关的电流基准电路，其特征在于，所述基准电流产生...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨成韬，雷奕，张浩，
申请(专利权)人：电子科技大学长三角研究院湖州，
类型：发明
国别省市：
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