等离子体处理设备、气体喷淋头及其制造方法技术

一种等离子体处理设备、气体喷淋头及其制造方法，设置在等离子体处理设备的真空反应腔顶部的气体喷淋头包含喷淋头基座以及设置在喷淋头基座上的大孔径通孔内的喷嘴组件，喷淋头基座仍然采用在铝材料表面喷涂氧化钇涂层的制造方式，通过增设喷嘴组件，将喷淋头基座上原本的微细孔改变为用于安装喷嘴组件的大孔径通孔，采用大孔径通孔之后，便于在大孔径通孔的内表面喷涂防腐蚀涂层，并且可以令防腐蚀涂层均匀分布在大孔径通孔的内表面上，使防腐蚀涂层与大孔径通孔的内表面紧密结合。本发明专利技术在不增加成本的前提下，既保证了优良的工艺性，又避免了通孔内的防腐蚀涂层脱落，减少了工艺污染。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种等离子体处理设备、气体喷淋头及其制造方法。

技术介绍

1、等离子体处理设备包含反应腔，反应腔顶部设置气体喷淋头作为上电极，反应腔内部设置基片座作为下电极，上电极和下电极接入射频源，在上电极和下电极之间产生射频场，通过气体喷淋头进入反应腔的反应气体被射频场电离为等离子体，等离子体对设置在基片座上的基片进行处理制程。为了获得均匀分布的气体，通常在气体喷淋头上设置许多细小的孔。并且由于作为上电极的气体喷淋头需要接入射频，所以气体喷淋头的材料多采用金属导电材料，或者半导体材料单晶硅，碳化硅等。但是单晶硅，碳化硅制作的气体喷淋头价格较为昂贵。为了降低成本，目前通常采用铝基体加工微小孔，然后在铝基体上喷涂氧化钇涂层的工艺来制作气体喷淋头。这种气体喷淋头可以大大的降低零部件的制造成本，但是氧化钇涂层很难完全覆盖到气体喷淋头的微小孔内，而且这些微小孔中的氧化钇涂层和铝基体的结合效果很差，在进行等离子刻蚀反应过程中，这些氧化钇涂层颗粒很容易从微小孔中脱落，造成工艺的污染。

2、这里的陈述仅提供与本专利技术有关的
技术介绍
，而并本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于等离子体处理设备的气体喷淋头，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的气体喷淋头，其特征在于，所述喷嘴的底面为弧面，所述出气孔设置在所述弧面上，所述塞子的底部形状与所述凹坑相互匹配。

3.如权利要求2所述的气体喷淋头，其特征在于，所述喷嘴和塞子的材料均为陶瓷材料。

4.如权利要求3所述的气体喷淋头，其特征在于，所述塞子的外表面具有至少一个凸出部，当所述塞子置于所述凹坑内，所述凸出部抵住所述凹坑的内侧壁，所述塞子的外侧壁与所述凹坑的内侧壁之间形成所述气体通道。

5.如权利要求3所述的气体喷淋头，其特征在于，所述喷嘴采用氧化钇陶瓷...

【技术特征摘要】

1.一种用于等离子体处理设备的气体喷淋头，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的气体喷淋头，其特征在于，所述喷嘴的底面为弧面，所述出气孔设置在所述弧面上，所述塞子的底部形状与所述凹坑相互匹配。

3.如权利要求2所述的气体喷淋头，其特征在于，所述喷嘴和塞子的材料均为陶瓷材料。

4.如权利要求3所述的气体喷淋头，其特征在于，所述塞子的外表面具有至少一个凸出部，当所述塞子置于所述凹坑内，所述凸出部抵住所述凹坑的内侧壁，所述塞子的外侧壁与所述凹坑的内侧壁之间形成所述气体通道。

5.如权利要求3所述的气体喷淋头，其特征在于，所述喷嘴采用氧化钇陶瓷。

6.如权利要求4所述的气体喷淋头，其特征在于，所述塞子为实心陶瓷材料；所述塞子的外侧壁和底部均设置所述凸出部，所述塞子的外侧壁与所述凹坑的内侧壁之间以及所述塞子的底部与所述凹坑的底部之间形成所述气体通道。

7.如权利要求6所述的气体喷淋头，其特征在于，所述凹坑的内侧壁上设置有连接凹槽，所述连接凹槽的数量与设置在所述塞子的外侧壁上的凸出部的数量相同，所述连接凹槽的设置位置与设置在所述塞子的外侧壁上的凸出部相对应，所述连接凹槽的深度小于所述塞子的外侧壁上的凸出部的凸出高度。

8.如权利要求7所述的气体喷淋头，其特征在于，所述连接凹槽包含相互连通的通槽和卡槽，所述通槽的一端封闭，另一端一直延伸至所述凹坑的顶部，所述卡槽的两端都为封闭端，所述卡槽的长度与设置在所述塞子的外侧壁上的所述凸出部的长度相匹配。

9.如权利要求4所述的气体喷淋头，其特征在于，所述塞子为多孔陶瓷材料；所述塞子的底部设置所述凸出部，所述塞子的底部与凹坑的底部形成所述气体通道，所述塞子的外侧壁与...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐朝阳，朱永成，叶如彬，孙逸靖，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：