用于制造非对称SOT-MRAM存储元单元的方法，以及通过实施该方法获得的存储元单元技术

一种用于制造非对称SOT‑MRAM存储元单元的方法(50)，所述存储元单元包括导体轨道和焊盘，所述焊盘布置在所述导体轨道上并且包括具有自由磁化的至少一个第一磁性区域，其特征在于，所述方法包括以下步骤：制造(100)多个延伸层的堆叠，所述多个延伸层包括至少一个第一延伸磁性层；在所述堆叠的上表面上沉积(200)掩模；以及通过对承载掩模的堆叠的上表面进行离子辐照，在第一延伸磁性层中限定(400、500)第一磁性区域，离子辐照的参数适于修改形成第一磁性层的材料的磁特性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

技术实现思路

【技术保护点】

1.一种用于制造(50)非对称SOT-MRAM存储点的方法，所述存储点(1)包括导电轨道(4)和焊盘(5)，所述焊盘设置在所述导电轨道上并且包括自由磁化的至少一个第一磁性区域(11)，所述方法的特征在于，其包括由以下组成的步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述离子辐照允许修改在所述离子辐照期间暴露的所述第一磁性层(111)的区的磁特性，同时保持由于所述掩模的存在而在所述离子辐照期间未暴露的所述第一磁性层(111)的区中的磁特性。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，离子辐照界定步骤包括：离子源在辐照持续时间期间相对于承载所述掩模的堆叠的上表面的相对位...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种用于制造(50)非对称sot-mram存储点的方法，所述存储点(1)包括导电轨道(4)和焊盘(5)，所述焊盘设置在所述导电轨道上并且包括自由磁化的至少一个第一磁性区域(11)，所述方法的特征在于，其包括由以下组成的步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述离子辐照允许修改在所述离子辐照期间暴露的所述第一磁性层(111)的区的磁特性，同时保持由于所述掩模的存在而在所述离子辐照期间未暴露的所述第一磁性层(111)的区中的磁特性。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，离子辐照界定步骤包括：离子源在辐照持续时间期间相对于承载所述掩模的堆叠的上表面的相对位移，所述辐照参数适于去除在整个辐照持续时间期间暴露的区的磁特性，但不足以去除仅在所述辐照持续时间的一部分期间暴露的区的磁特性。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，离子辐照界定步骤包括：沿第一辐照方向(d1)的第一辐照(400)，随后沿第二辐照方向(d2)的第二辐照(500)，所述第一辐照的参数和所述第二辐照的参数被选择为足以去除在所述第一辐照和所述第二辐照两者期间暴露的区的磁特性，但不足以去除仅在所述第一辐照期间或仅在所述第二辐照中暴露的区的磁特性。

5.根据权利要求4所述的方法，包括在所述第一离子辐照和所述第二离子辐照之间修改所述掩模的步骤。

6.根据前述权利要求中任...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉勒斯·戈丹，伊万·米哈伊·米龙，奥利维尔·布勒，达菲内·拉沃洛索纳，
申请(专利权)人：法国国家科学研究中心，
类型：发明
国别省市：