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一种用于制造非对称SOT‑MRAM存储元单元的方法(50)，所述存储元单元包括导体轨道和焊盘，所述焊盘布置在所述导体轨道上并且包括具有自由磁化的至少一个第一磁性区域，其特征在于，所述方法包括以下步骤：制造(100)多个延伸层的堆叠，所述多个...
该专利属于法国国家科学研究中心所有，仅供学习研究参考，未经过法国国家科学研究中心授权不得商用。

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