本申请提供了一种透明导电接触钝化的异质结太阳电池及电池组件，异质结太阳电池包括硅基底、隧穿层、第一透明导电膜层和减反射层，其中：所述硅基底具有相对的第一表面和第二表面，且所述第一表面相较于所述第二表面更靠近所述异质结太阳电池的向光面；所述隧穿层、所述第一透明导电膜层和所述减反射层依次紧邻地位于所述第一表面上。本申请的异质结太阳电池及电池组件能够增加异质结太阳电池的短路电流，提高太阳电池的效率，从整体上起到了更好的钝化效果。
【技术实现步骤摘要】
本申请主要涉及光伏电池，尤其涉及一种透明导电接触钝化的异质结太阳电池及电池组件。
技术介绍
1、根据行业预测，异质结太阳电池有望成为下一代的主流技术。当前异质结采用本征非晶硅/掺杂非晶硅(或微晶硅)形成发射极和表面场，具有优异的表面钝化性能。行业研究机构的企业都在纷纷开展异质结太阳电池的提效降本工作，产生了众多改善方案，如微晶硅技术，高载流子迁移率低掺杂的透明导电膜材料等。异质结太阳电池应用前景广阔，在户用屋顶、工商业屋顶和大型地面电站均有应用，如何不断优化异质结太阳电池的性能是本领域需要持续完善的课题。
技术实现思路
1、本申请要解决的技术问题是提供一种透明导电接触钝化的异质结太阳电池及电池组件，能够增加异质结太阳电池的短路电流，提高太阳电池的效率，从整体上起到了更好的钝化效果。
2、为解决上述技术问题，本申请提供了一种透明导电接触钝化的异质结太阳电池，包括硅基底、隧穿层、第一透明导电膜层和减反射层，其中：所述硅基底具有相对的第一表面和第二表面，且所述第一表面相较于所述第二表面更靠近所述异质结太阳电池的向光面；所述隧穿层、所述第一透明导电膜层和所述减反射层依次紧邻地位于所述第一表面上。
3、可选地，所述硅基底导电类型为n型。
4、可选地，所述隧穿层包括氧化硅。
5、可选地，所述隧穿层的厚度为0.5～3nm。
6、可选地，所述减反射层为氧化铝层，或包括由氧化铝、氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅构成的单层膜或叠层膜。
>7、可选地，所述减反射层的厚度为1～100nm。8、可选地，透明导电接触钝化的异质结太阳电池还包括位于所述向光面的第一电极，所述第一电极穿过所述减反射层并与所述第一透明导电膜层接触。
9、可选地，透明导电接触钝化的异质结太阳电池还包括本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和第二透明导电膜层，依次紧邻地位于所述第二表面上。
10、可选地，透明导电接触钝化的异质结太阳电池还包括第二电极，与所述第二透明导电膜层接触。
11、可选地，所述第一透明导电膜层包括掺铝氧化锌。
12、可选地，所述第一透明导电膜层的厚度为1～80nm。
13、为解决上述技术问题，本申请提供了一种电池组件，包括多个串联和/或并联的透明导电接触钝化的异质结太阳电池。
14、与现有技术相比，本申请在电池的第一表面使用隧穿层/透明导电膜层/减反射膜的结构代替了常规选择中的本征非晶硅层/掺杂非晶硅层/透明导电膜层，，能够增加异质结太阳电池的短路电流，提高太阳电池的效率，降低异质结太阳电池的单线投资额，从整体上起到了更好的钝化效果。
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【技术保护点】
1.一种透明导电接触钝化的异质结太阳电池，其特征在于，包括硅基底、隧穿层、第一透明导电膜层和减反射层，其中：
2.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述硅基底导电类型为N型。
3.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述隧穿层包括氧化硅。
4.如权利要求3所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述隧穿层的厚度为0.5～3nm。
5.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述减反射层为氧化铝层，或包括由氧化铝、氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅构成的单层膜或叠层膜。
6.如权利要求5所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述减反射层的厚度为1～100nm。
7.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，还包括位于所述向光面的第一电极，所述第一电极穿过所述减反射层并与所述第一透明导电膜层接触。
8.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，还包括本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和第二透明导电膜层，依次紧邻地位于所述第二表面上。
9.如权利要求8所述的异质结太阳电池，其特征在于，还包括第二电极，与所述第二透明导电膜层接触。
10.如权利要求1～9任一项所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述第一透明导电膜层包括掺铝氧化锌。
11.如权利要求10所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述第一透明导电膜层的厚度为1～80nm。
12.一种电池组件，包括多个串联和/或并联的如权利要求11任一项所述的异质结太阳电池。
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【技术特征摘要】
1.一种透明导电接触钝化的异质结太阳电池，其特征在于，包括硅基底、隧穿层、第一透明导电膜层和减反射层，其中：
2.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述硅基底导电类型为n型。
3.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述隧穿层包括氧化硅。
4.如权利要求3所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述隧穿层的厚度为0.5～3nm。
5.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述减反射层为氧化铝层，或包括由氧化铝、氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅构成的单层膜或叠层膜。
6.如权利要求5所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述减反射层的厚度为1～100nm。
7.如权利要求1所述的异质结太阳电...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈达明，王尧，杨广涛，陈奕峰，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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