【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别是涉及一种仿真预测方法、仿真系统、电子设备及可读存储介质。
技术介绍
1、半导体封装过程中，基板与芯片两者的热膨胀系数差异会引起不同程度的形变量，通常需在设计阶段对基板焊接区域坐标或整体尺寸进行预缩，申请人发现目前的基板缩率判定方法存在一定的误差和局限性。
技术实现思路
1、本申请主要解决的技术问题是提供一种仿真预测方法、仿真系统、电子设备及可读存储介质，能够提升焊接过程中产品良率。
2、为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种仿真预测方法，所述方法包括：预测基板在第一方向上的形变量、在第二方向上的形变量，以及预测芯片在所述第一方向上的形变量、在所述第二方向上的形变量；根据所述基板在所述第一方向上的形变量、所述芯片在所述第一方向上的形变量以及焊接区域在所述第一方向上的长度，得到所述基板在所述第一方向上的缩率；根据所述基板在所述第二方向上的形变量、所述芯片在所述第二方向上的形变量以及所述焊接区域在所述第二方向上的长度，得到所述基板在所述第二方向上的缩率；根据所述基板在所述第一方向上的缩率和在所述第二方向上的缩率，对所述基板进行收缩处理。
3、其中，所述预测基板在第一方向上的形变量、在第二方向上的形变量，以及预测芯片在所述第一方向上的形变量、在所述第二方向上的形变量的步骤，包括：利用预先构建的仿真预测模型，预测所述基板在所述第一方向上的形变量、在所述第二方向上的形变量以及所述芯片在所述第一方向上的形变量、在所述第二方向上的形
4、其中，所述利用预先构建的仿真预测模型，预测所述基板在所述第一方向上的形变量、在所述第二方向上的形变量以及所述芯片在所述第一方向上的形变量、在所述第二方向上的形变量的步骤，包括：将所述基板的信息、所述芯片的信息、焊接层的信息以及温度信息，输入预先构建的所述仿真预测模型，得到所述基板在所述第一方向上的形变量、在所述第二方向上的形变量以及所述芯片在所述第一方向上的形变量、在所述第二方向上的形变量；其中，所述芯片通过所述焊接层焊接在所述基板上。
5、其中，所述基板的信息包括所述基板的尺寸、材料中的至少一种；所述芯片的信息包括所述芯片的尺寸、材料中的至少一种；所述焊接层的信息包括所述焊接层的厚度、材料中的至少一种；所述温度信息包括焊接温度、环境温度中的至少一种。
6、其中，所述根据所述基板在所述第一方向上的形变量、所述芯片在所述第一方向上的形变量以及焊接区域在所述第一方向上的长度，得到所述基板在所述第一方向上的缩率的步骤，包括：计算所述基板在所述第一方向上的形变量与所述芯片在所述第一方向上的形变量之间的第一差值；计算所述第一差值与所述焊接区域在所述第一方向上的长度的比值，得到所述基板在所述第一方向上的缩率；以及，所述根据所述基板在所述第二方向上的形变量、所述芯片在所述第二方向上的形变量以及所述焊接区域在所述第二方向上的长度，得到所述基板在所述第二方向上的缩率的步骤，包括：计算所述基板在所述第二方向上的形变量与所述芯片在所述第二方向上的形变量之间的第二差值；计算所述第二差值与所述焊接区域在所述第二方向上的长度的比值，得到所述基板在所述第二方向上的缩率。
7、其中，所述方法还包括：将所述芯片在所述第一方向上的长度，确定为所述焊接区域在所述第一方向上的长度；将所述芯片在所述第二方向上的长度，确定为所述焊接区域在所述第二方向上的长度。
8、其中，所述根据所述基板在所述第一方向上的缩率和在所述第二方向上的缩率，对所述基板进行收缩处理的步骤，包括：计算所述基板在所述第一方向上的缩率和在所述第二方向上的缩率的平均缩率值；根据所述平均缩率值，对所述基板进行收缩处理。
9、为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种仿真系统，包括：预测模块，用于预测基板在第一方向上的形变量、在第二方向上的形变量，以及预测芯片在所述第一方向上的形变量、在所述第二方向上的形变量；确定模块，与所述预测模块连接，用于根据所述基板在所述第一方向上的形变量、所述芯片在所述第一方向上的形变量以及焊接区域在所述第一方向上的长度，得到所述基板在所述第一方向上的缩率，以及根据所述基板在所述第二方向上的形变量、所述芯片在所述第二方向上的形变量以及所述焊接区域在所述第二方向上的长度，得到所述基板在所述第二方向上的缩率；收缩模块，与所述确定模块连接，用于根据所述基板在所述第一方向上的缩率和在所述第二方向上的缩率，对所述基板进行收缩处理。
10、为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种电子设备，包括：相互耦接的存储器和处理器，所述存储器存储有程序数据，所述处理器调用所述程序数据以执行如上述所述的方法。
11、为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种可读存储介质，其上存储有程序数据，所述程序数据被处理器执行时实现如上述所述的方法。
12、本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请预测基板在第一方向上的形变量、在第二方向上的形变量，以及预测芯片在第一方向上的形变量、在第二方向上的形变量，并根据基板在第一方向上的形变量、芯片在第一方向上的形变量以及焊接区域在第一方向上的长度，得到基板在第一方向上的缩率，以及根据基板在第二方向上的形变量、芯片在第二方向上的形变量以及焊接区域在第二方向上的长度，得到基板在第二方向上的缩率。本申请得到基板缩率的过程不仅考虑到基板本身，还考虑到芯片对基板形变的影响，能够准确地确定基板的缩率。
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1.一种仿真预测方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预测基板在第一方向上的形变量、在第二方向上的形变量，以及预测芯片在所述第一方向上的形变量、在所述第二方向上的形变量的步骤，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述利用预先构建的仿真预测模型，预测所述基板在所述第一方向上的形变量、在所述第二方向上的形变量以及所述芯片在所述第一方向上的形变量、在所述第二方向上的形变量的步骤，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基板的信息包括所述基板的尺寸、材料中的至少一种；所述芯片的信息包括所述芯片的尺寸、材料中的至少一种；所述焊接层的信息包括所述焊接层的厚度、材料中的至少一种；所述温度信息包括焊接温度、环境温度中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述基板在所述第一方向上的形变量、所述芯片在所述第一方向上的形变量以及焊接区域在所述第一方向上的长度，得到所述基板在所述第一方向上的缩率的步骤，包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述基板在所述第一方向上的缩率和在所述第二方向上的缩率，对所述基板进行收缩处理的步骤，包括：
8.一种仿真系统，其特征在于，包括：
9.一种电子设备，其特征在于，包括：相互耦接的存储器和处理器，所述存储器存储有程序数据，所述处理器调用所述程序数据以执行如权利要求1-7中任一项所述的方法。
10.一种可读存储介质，其上存储有程序数据，其特征在于，所述程序数据被处理器执行时实现如权利要求1-7中任一项所述的方法。
...【技术特征摘要】
1.一种仿真预测方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预测基板在第一方向上的形变量、在第二方向上的形变量，以及预测芯片在所述第一方向上的形变量、在所述第二方向上的形变量的步骤，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述利用预先构建的仿真预测模型，预测所述基板在所述第一方向上的形变量、在所述第二方向上的形变量以及所述芯片在所述第一方向上的形变量、在所述第二方向上的形变量的步骤，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基板的信息包括所述基板的尺寸、材料中的至少一种；所述芯片的信息包括所述芯片的尺寸、材料中的至少一种；所述焊接层的信息包括所述焊接层的厚度、材料中的至少一种；所述温度信息包括焊接温度、环境温度中的至少一种。
5.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗姜姜，何志丹，焦洁，郭瑞亮，
申请(专利权)人：苏州通富超威半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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