【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光探测，具体涉及一种深紫外自驱动光电探测器及其制备方法。
技术介绍
1、光电探测器是指一种能将光信号转变为电信号的电子器件。光电探测器已被广泛地应用于生物成像、无损检测、通讯、环境监测等领域。但是目前报道的大部分光电探测器需要电源驱动，这严重阻碍了光电探测器在实际生活中的应用。[small,2017,13(45):1701687]因此，开发自驱动光电探测器具有重要的意义。
2、人们将波长400nm到10nm的光称为紫外光(uv)。紫外光的应用范围很广，如在汽车自动化，空间探测，军事，特别是在生物，环境，医疗等领域更是具有很大作用。由于紫外光的功能强大，促使研巧者们对uv波段的光电探测器进行了深入研究，目前，紫外光探测器主要分为下几个波段：
3、①uv-a，波段为400-320nm，在这个波段内工作的光电探测器主要是以zno和zns为材料，以银掺杂的zns纳米棒(zns:ag nrs)为例，通过掺杂ag元素，改变zns的导电类型，通过掺杂改变了本征zns导电性差的缺点。
4、②uv-b，波长范围是320-280nm，在该波段内的光电探测器所使用的材料主要是掺杂的半导体如zno、zns和一些三元化合物，如mgzno等。
5、③uv-c，波段范围从280到10nm，这是最大能量的波长范围，也是最有害的。所幸太阳光中这部分可以完全被平流臭氧层吸收掉。这个波段的使用的材料有β-ga2o3、sic等。
6、锑烯最为一种新型第五主族纳米结构，最令人感兴趣的性质莫过于其较
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种基于sb2o3纳米棒/si异质结的深紫外自驱动光电探测器及其制备方法，可以解决目前深紫外自驱动光电探测器的性能一般的问题。
2、本专利技术为实现上述目的所要解决的技术问题是，通过磁控溅射、化学气相沉积等方法，提高光电探测器的性能；即通过磁控溅射、化学气相沉积方法在硅基底表面制备pdte2修饰生长的sb2o3纳米棒薄膜层，以获得具有优异性能的深紫外自驱动光电探测器。
3、本专利技术为实现上述目的所采用的技术方案是，一种基于sb2o3纳米棒/si异质结的深紫外自驱动光电探测器，其特征在于，为层状结构，由上至下依次包括金属in点电极、金属pd前电极、pdte2修饰生长的sb2o3纳米棒薄膜层、si单晶基底和金属in背电极；其中：
4、优选的，所述si单晶基底是单面抛光，晶面取向为(100)面，导电类型为p型，电阻率为0.1～1欧姆·厘米；
5、一种基于sb2o3纳米棒/si异质结的深紫外自驱动光电探测器的制备方法，包括以下步骤：
6、(1)选取si基底，对其进行清洗；
7、(2)对清洗完成后的si基底进行干燥；
8、(3)将干燥完成的si基底放入真空腔，在氩气环境下，采用射频磁控溅射技术，利用电离出的氩离子轰击pd靶材，在si基底表面沉积pd薄膜层；靶材纯度为99.9％，所述氩气气压维持1.2帕斯卡不变，靶基距为50毫米，薄膜的沉积温度为20～25摄氏度，薄膜层厚度为10-20纳米；
9、(4)将覆盖有pd薄膜层的si基底放入cvd后端，前端加入te粉，蒸发温度430℃，后端反应温度480℃，通入气体，温度上升速率为5摄氏度每分钟，至480摄氏度时保持150分钟，然后自然冷却至室温；在si上获得pdte2基底。
10、(5)将获得pdte2基底的si基底放入cvd后端，前端加入sb粉，蒸发温度750℃，后端反应温度480℃，通入气体，温度上升速率为5摄氏度每分钟，至480摄氏度时保持10分钟，然后自然冷却至室温；pdte2基底上获得sb2o3纳米棒。
11、(6)将步骤(5)得到的样品取出，并在pdte2表面生长的sb2o3纳米棒薄膜层的表面覆盖掩膜片，然后将样品放入真空腔；采用直流磁控溅射技术，利用电离出的氩离子轰击金属pd靶材，在pdte2表面生长的sb2o3纳米棒薄膜层表面沉积金属pd前电极；所述pd靶材为pd金属靶，靶材纯度为99.9％；所述氩气气压维持5.0帕斯卡不变，靶基距为50毫米，金属pd薄膜的沉积温度为20～25摄氏度，金属pd前电极厚度为5～15纳米；
12、(7)分别在金属pd前电极和si基底上完成金属in电极的压制，并引出金属cu导线，完成器件的制备。
13、优选的，步骤(1)中，所述si基底为p型si单晶基底，尺寸为10毫米×10毫米，电阻率为0.1～1欧姆·厘米；清洗过程如下：将si基底依次在高纯酒精和丙酮溶液中多次超声清洗，每次清洗时间长度为180秒。
14、优选的，步骤(3)中，所述真空腔的背底真空度为5×10-5帕斯卡，真空条件是由机械泵和分子泵双级真空泵共同制得。
15、优选的，步骤(4)中，气体比例与流速为氩气：氢气45sccm：5sccm。
16、优选的，步骤(5)中，气体比例与流速为氩气：氧气45sccm：5sccm。
17、优选的，步骤(6)中，所述掩模片材料为不锈钢，厚度为0.1毫米，尺寸为12毫米×12毫米，孔径尺寸为5毫米×5毫米；所述真空腔的背底真空度为5×10-5帕斯卡，真空条件是由机械泵和分子泵双级真空泵共同制得。
18、优选的，步骤7)中，所述金属电极和导线材料分别是in和cu，其中in的纯度为99.5％，金属pd薄膜层上金属in电极大小和厚度分别为1毫米×1.5毫米和1毫米，si基底上金属in电极大小和厚度均分别为10毫米×10毫米和2毫米，cu导线直径为0.1毫米。
19、上述具有自驱动光探测能力的器件可在制备自驱动光电探测器方面进行应用。
20、本专利技术的有益技术效果是：
21、专利技术通过在si基底表面利用pdte2修饰制备sb2o3纳米棒薄膜层，研制出具有自驱动光探测能力的薄膜器件。测试结果显示：所制备的薄膜器件对深紫外光具有明显的敏感性能，即在工作电压为0伏特时，在光照条件下器件电流显著增加。所制备薄膜器件对光的响应随光照强度的增加而增大。同时，该器件具有周期重复性好等优点。与目前存在的自驱动光电探测器相比较，本专利技术所涉及器件的制备方法简单、无毒、成本低廉，并具有光响应性能显著等本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基于Sb2O3纳米棒/Si异质结的深紫外自驱动光电探测器，其特征在于：包括金属In点电极、金属Pd前电极、在PdTe2表面生长的Sb2O3纳米棒薄膜层、Si单晶基底和金属In背电极，PdTe2表面生长的Sb2O3纳米棒薄膜层设置在Si基底表面，金属Pd前电极在PdTe2表面生长的Sb2O3纳米棒薄膜层表面，金属In电极分别压制于金属Pd前电极和Si基底表面。
2.根据权利要求1所述的一种基于Sb2O3纳米棒/Si异质结的深紫外自驱动光电探测器，其特征在于：所述Si基底为p型Si单晶基底，电阻率为0.1～1欧姆·厘米，实现深紫外自驱动探测。
3.一种基于Sb2O3纳米棒/Si异质结的深紫外自驱动光电探测器的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的一种基于Sb2O3纳米棒/Si异质结的深紫外自驱动光电探测器的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，所述Si基底为p型Si单晶基底，尺寸为10毫米×10毫米，电阻率为0.1～1欧姆·厘米；清洗过程如下：将Si基底依次在高纯酒精和丙酮溶液中多次超声清洗，每次清洗的时间长度为180秒
5.根据权利要求3所述的一种基于Sb2O3纳米棒/Si异质结的深紫外自驱动光电探测器的制备方法，其特征在于：步骤(6)中，所述掩模片材料为不锈钢，厚度为0.1毫米，尺寸为12毫米×12毫米，孔径尺寸为5毫米×5毫米。
6.根据权利要求3所述的一种基于Sb2O3纳米棒/Si异质结的深紫外自驱动光电探测器的制备方法，其特征在于：步骤(4)中，气体比例与流速为氩气：氢气45sccm：5sccm。
7.根据权利要求3所述的一种基于Sb2O3纳米棒/Si异质结的深紫外自驱动光电探测器的制备方法，其特征在于：步骤(5)中，气体比例与流速为氩气：氧气45sccm：5sccm。
8.根据权利要求3所述的一种基于Sb2O3纳米棒/Si异质结的深紫外自驱动光电探测器的制备方法，其特征在于：步骤(7)中，所述金属In电极所用原料In的纯度为99.5％，金属Pd前电极上金属In电极大小和厚度分别为1毫米×1.5毫米和1毫米，Si基底上金属In电极大小和厚度均分别为10毫米×10毫米和2毫米，Cu导线直径为0.1毫米。
...【技术特征摘要】
1.一种基于sb2o3纳米棒/si异质结的深紫外自驱动光电探测器，其特征在于：包括金属in点电极、金属pd前电极、在pdte2表面生长的sb2o3纳米棒薄膜层、si单晶基底和金属in背电极，pdte2表面生长的sb2o3纳米棒薄膜层设置在si基底表面，金属pd前电极在pdte2表面生长的sb2o3纳米棒薄膜层表面，金属in电极分别压制于金属pd前电极和si基底表面。
2.根据权利要求1所述的一种基于sb2o3纳米棒/si异质结的深紫外自驱动光电探测器，其特征在于：所述si基底为p型si单晶基底，电阻率为0.1～1欧姆·厘米，实现深紫外自驱动探测。
3.一种基于sb2o3纳米棒/si异质结的深紫外自驱动光电探测器的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的一种基于sb2o3纳米棒/si异质结的深紫外自驱动光电探测器的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，所述si基底为p型si单晶基底，尺寸为10毫米×10毫米，电阻率为0.1～1欧姆·厘米；清洗过程如下：将si基底依次在高纯酒精和丙酮溶液中多次超声清洗，每次清洗的...
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