一种低损伤研磨SiC的研磨装置制造方法及图纸

本申请公开了一种低损伤研磨SiC的研磨装置，属于半导体研磨装置技术领域。该装置包括：上研磨盘、晶圆放置盘、导流管、下研磨盘、超声搅拌料筒和冷却机构，晶圆放置盘上开设有第二通孔和容纳孔，容纳孔用于放置晶圆，下研磨盘底面开设有回料孔；超声搅拌料筒用于混合并分散纳米流体研磨料，超声搅拌料筒通过回料管与回料孔连通；冷却机构一端通过入料管与超声搅拌筒连接，另一端通过出料管与导流管连接。该装置通过超声搅拌料筒对纳米流体研磨料进行超声分散，能够有效提高纳米流体研磨料的分散性，并通过冷却机构阻止研磨料发生团聚，从而实现对晶圆的均匀研磨，在保证去除切割损伤层的同时，进一步降低研磨工艺对晶圆造成的损伤。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及一种低损伤研磨sic的研磨装置，属于半导体研磨装置。

技术介绍

1、碳化硅晶体通过多线切割进行切割分离，以获得碳化硅晶圆衬底，但由于切割后表面存在大量线痕和切割损伤层，因此需要研磨去除切割损伤层得到研磨片。研磨过程中，研磨料与碳化硅衬底通过研磨盘加压硬接触摩擦，以达到去厚并去除切割损伤层的目的，但是该过程中难免会再次引入研磨损伤层，故一般研磨片还需再进行抛光工艺以进一步去除研磨片的研磨损伤层。

2、虽然通过抛光可将sic表面抛至光亮，但由于sic硬度较高，对于sic抛光去除量较少，若研磨过程在去除切割损伤层时再次引入大量研磨损伤，则通过抛光难以完全去除，从而导致衬底表面应力较大，表面面内应力分布不均，从而对下游使用产生影响。

技术实现思路

1、为了解决上述问题，本申请提出了一种低损伤研磨sic的研磨装置，该装置通过超声搅拌料筒对纳米流体研磨料进行超声分散，能够有效提高纳米流体研磨料的分散性，并通过冷却机构使从超声搅拌料筒中流出的研磨料保持冷却，减少由于研磨机械运动下研磨料受热导致浆料中水本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低损伤研磨SiC的研磨装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的低损伤研磨SiC的研磨装置，其特征在于，所述冷却机构包括冷却罐、冷却管路、冷却机和变频冷却控制器；

3.根据权利要求2所述的低损伤研磨SiC的研磨装置，其特征在于，所述冷却机内设置有温度传感器；和/或

4.根据权利要求1-3任一项所述的低损伤研磨SiC的研磨装置，其特征在于，所述下研磨盘底部还设置有超声波换能器。

5.根据权利要求4所述的低损伤研磨SiC的研磨装置，其特征在于，所述超声波换能器至少为两个，并沿所述下研磨盘的周向均匀设置。>

6.根据权利...

【技术特征摘要】

1.一种低损伤研磨sic的研磨装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的低损伤研磨sic的研磨装置，其特征在于，所述冷却机构包括冷却罐、冷却管路、冷却机和变频冷却控制器；

3.根据权利要求2所述的低损伤研磨sic的研磨装置，其特征在于，所述冷却机内设置有温度传感器；和/或

4.根据权利要求1-3任一项所述的低损伤研磨sic的研磨装置，其特征在于，所述下研磨盘底部还设置有超声波换能器。

5.根据权利要求4所述的低损伤研磨sic的研磨装置，其特征在于，所述超声波换能器至少为两个，并沿所述下研磨盘的周向均匀设置。

6.根据权利要求1-3任一项所述的低损伤研磨sic的研磨装置，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：张九阳，李昊，卢仁贵，潘亚妮，王瑞，王含冠，杨浩然，左康廷，聂帆，
申请(专利权)人：山东天岳先进科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：