System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 具有固有二次谐波抵消的谐振器制造技术_技高网

具有固有二次谐波抵消的谐振器制造技术

技术编号:40178436 阅读:7 留言:0更新日期:2024-01-26 23:45
本公开涉及一种具有固有二次谐波抵消的谐振器。所述谐振器可包含第一电极、第二电极及所述第一电极与所述第二电极之间的压电材料,其中所述压电材料通过制造具有沿第一方向定向的压缩轴向量(C轴向量)的所述压电材料及跨越所述压电材料施加电场以将所述C轴向量的方向修改为沿第二方向定向而形成。所述第二方向可反平行于所述第一方向。

【技术实现步骤摘要】

本公开大体上涉及谐振器,且更特定来说,本公开涉及具有修改的压缩轴向量的谐振器。


技术介绍

1、谐振器(例如,声学谐振器)用于许多应用,包含但不限于射频(rf)通信应用。举例来说,谐振器通常用于传输及/或接收路径上的rf通带滤波器内。一类谐振器包含由压电材料形成的体声波谐振器,其响应于时变电子信号而提供声学振荡。例如,压电材料可响应于施加的电压而沿压缩轴(c轴)扩展或收缩,其中c轴通常基于压电材料的晶体结构的定向。此外,此类谐振器可展现声学谐振模式(例如,谐振频率、谐振等),当在例如但不限于滤波器的电子电路内实施时,可利用此类模式提供所要性质。

2、越来越希望对谐振器内的一或多种压电材料的c轴方向(例如,c轴向量)提供更大控制。举例来说,控制压电材料的c轴方向可允许谐振器或例如但不限于包含谐振器的滤波器等电路的设计具有更大灵活性。


技术实现思路

1、根据本公开的一或多个说明性实施例,公开一种谐振器。在一个说明性实施例中,谐振器包含第一电极。在另一说明性实施例中,谐振器包含第二电极。在另一说明性实施例中,谐振器包含所述第一电极与所述第二电极之间的压电材料。在另一说明性实施例中,所述压电材料通过制造具有沿第一方向定向的c轴向量的所述压电材料及跨越所述压电材料施加电场以将所述c轴向量的方向修改为沿不同于所述第一方向的第二方向定向而形成。

2、根据本公开的一或多个说明性实施例,公开一种电路。在一个说明性实施例中,所述电路包含一或多个谐振器。在另一说明性实施例中,所述一或多个谐振器中的至少一者包含第一电极、第二电极及所述第一电极与所述第二电极之间的压电材料。在另一说明性实施例中,所述压电材料通过制造具有沿第一方向定向的c轴向量的所述压电材料及跨越所述压电材料施加电场以将所述c轴向量的方向修改为沿不同于所述第一方向的第二方向定向而形成。

3、根据本公开的一或多个说明性实施例,公开一种方法。在一个说明性实施例中,所述方法包含制造第一电极。在另一说明性实施例中,所述方法包含制造具有沿第一方向定向的压缩轴(c轴)向量的压电材料。在另一说明性实施例中,所述方法包含跨越所述压电材料施加电场以将所述c轴向量的方向从所述第一方向修改为第二方向,其中所述第二方向不同于所述第一方向。在另一说明性实施例中,所述方法包含制造第二电极,其中所述压电材料安置在所述第一电极与所述第二电极之间。

4、应理解,前述一般描述及以下详细描述两者均仅是示范性及解释性的且不一定限制所要求保护的本专利技术。并入在说明书中且构成说明书的部分的附图说明本专利技术的实施例,且与一般描述一起解释本专利技术的原理。

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【技术保护点】

1.一种谐振器,其包括:

2.根据权利要求1所述的谐振器,其进一步包括:

3.根据权利要求2所述的谐振器,其进一步包括:

4.根据权利要求1所述的谐振器,其中所述压电材料包括:

5.根据权利要求4所述的谐振器,其中所述基底材料包含氮化铝,其中所述一或多种掺杂剂材料包含稀土金属或硼中的至少一者。

6.根据权利要求4所述的谐振器,其中所述基底材料包含氮化铝,其中所述一或多种掺杂剂材料包含浓度低于约35%的钪。

7.根据权利要求1所述的谐振器,其中所述谐振器在等于或大于6GHz的频率下操作。

8.根据权利要求1所述的谐振器,其中跨越所述压电材料施加所述电场以将所述C轴向量的所述方向从所述第一方向修改为所述第二方向包括:

9.一种电路,其包括:

10.根据权利要求9所述的电路,其中所述电路包括:

11.根据权利要求10所述的电路,其中所述滤波器在等于或大于6GHz的频率下操作。

12.根据权利要求9所述的电路,其进一步包括:

13.根据权利要求12所述的电路,其进一步包括:

14.根据权利要求9所述的电路,其中所述压电材料包括:

15.根据权利要求14所述的电路,其中所述基底材料包含氮化铝,其中所述一或多种掺杂剂材料包含稀土金属或硼中的至少一者。

16.根据权利要求14所述的电路,其中所述基底材料包含氮化铝,其中所述一或多种掺杂剂材料包含浓度低于约35%的钪。

17.一种方法,其包括:

18.根据权利要求17所述的方法,其进一步包括:

19.根据权利要求18所述的方法,其进一步包括:

20.根据权利要求18所述的方法,其中所述压电材料及所述额外压电材料安置在所述第一电极与所述第二电极之间。

...

【技术特征摘要】

1.一种谐振器,其包括:

2.根据权利要求1所述的谐振器,其进一步包括:

3.根据权利要求2所述的谐振器,其进一步包括:

4.根据权利要求1所述的谐振器,其中所述压电材料包括:

5.根据权利要求4所述的谐振器,其中所述基底材料包含氮化铝,其中所述一或多种掺杂剂材料包含稀土金属或硼中的至少一者。

6.根据权利要求4所述的谐振器,其中所述基底材料包含氮化铝,其中所述一或多种掺杂剂材料包含浓度低于约35%的钪。

7.根据权利要求1所述的谐振器,其中所述谐振器在等于或大于6ghz的频率下操作。

8.根据权利要求1所述的谐振器,其中跨越所述压电材料施加所述电场以将所述c轴向量的所述方向从所述第一方向修改为所述第二方向包括:

9.一种电路,其包括:

10.根据权利要求9所述的电路,其中所述电路包括:

【专利技术属性】
技术研发人员:保罗·布拉德利理查德·鲁比雷德·帕克唐纳德·E·李
申请(专利权)人:安华高科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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