本公开提供了一种耐压深沟槽隔离方法、装置、电子设备及存储介质，通过针对待隔离芯片进行深沟槽蚀刻、衬氧化层生成以及深沟槽填充处理，在所述待隔离芯片的半导体衬底中生成隔离沟槽；在所述隔离沟槽对应的槽口位置处进行浅沟槽隔离结构蚀刻，生成有源区并在所述有源区中填充衬氧化层；在所述待隔离芯片表面沉积硬掩膜层，并在所述隔离沟槽对应的槽口边缘位置处蚀刻所述硬掩膜层，生成局部氧化隔离窗口；根据所述局部氧化隔离窗口进行硅局部氧化隔离处理，在所述半导体衬底表面生长隔离氧化层。可以提升深沟槽隔离结构的耐压性能。
【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体设计及制造，具体而言，涉及一种耐压深沟槽隔离方法、装置、电子设备及存储介质。
技术介绍
1、目前，功率半导体集成度提高是大势所趋，在此过程中，器件与器件之间必然会产生互相干扰，且随着工作电压的增大，这种干扰会愈发严重，因此器件间隔离显得尤为重要。传统的隔离方式是浅沟槽隔离（shallow trench isolation，sti），但是这种隔离方式的深度通常不会超过1μm，且需要占用大量面积，已经不能适应高集成度和高工作电压的工艺要求，在这种情况下，深沟槽隔离技术应运而生。
2、深沟槽隔离（deep trench isolation，dti）结构通常在半导体衬底中形成沟槽，在相邻沟槽之间的衬底表面形成氧化层以作为介质层，然后将沟槽底部打开，并在沟槽中填充深沟槽隔离材料，形成深沟槽隔离结构，但是目前深沟槽氧化物间隙填充，在后续有源区浅沟槽隔离结构刻蚀过程中深沟槽的衬氧化层与有源区的交界处会存在尖刺状的硅残留，同时由于干法蚀刻的原因，深沟槽槽口位置处的衬氧化层会相比其他区域较薄，因此会在器件高压工作条件下形成薄弱点，降低深沟槽隔离的耐压性能。
技术实现思路
1、本公开实施例至少提供一种耐压深沟槽隔离方法、装置、电子设备及存储介质，可以提升深沟槽隔离结构的耐压性能。
2、本公开实施例提供了一种耐压深沟槽隔离方法，包括：
3、针对待隔离芯片进行深沟槽蚀刻、衬氧化层生成以及深沟槽填充处理，在所述待隔离芯片的半导体衬底中生成隔离沟槽；
4、在所述隔离沟槽对应的槽口位置处进行浅沟槽隔离结构蚀刻，生成有源区并在所述有源区中填充衬氧化层；
5、在所述待隔离芯片表面沉积硬掩膜层，并在所述隔离沟槽对应的槽口边缘位置处蚀刻所述硬掩膜层，生成局部氧化隔离窗口；
6、根据所述局部氧化隔离窗口进行硅局部氧化隔离处理，在所述半导体衬底表面生长隔离氧化层。
7、一种可选的实施方式中，所述根据所述局部氧化隔离窗口进行硅局部氧化隔离处理，在所述半导体衬底表面生长场氧化层，具体包括：
8、在湿氧条件下，氧化所述局部氧化隔离窗口下，在所述有源区与所述衬氧化层之间的硅残留，以减小所述硅残留。
9、一种可选的实施方式中，所述根据所述局部氧化隔离窗口进行硅局部氧化隔离处理，在所述半导体衬底表面生长场氧化层，具体还包括：
10、在湿氧条件下，氧化所述隔离沟槽对应的槽口位置处的隔离沟槽填充物料，以增加所述隔离沟槽边缘位置处，所述隔离氧化层的厚度。
11、一种可选的实施方式中，在所述隔离沟槽对应的槽口边缘位置处蚀刻所述硬掩膜层，生成局部氧化隔离窗口，具体包括：
12、在所述硬掩膜层表面确定所述隔离沟槽对应的槽口位置区域；
13、在所述槽口位置区域的边缘，根据预设窗口宽度采用干法蚀刻所述硬掩膜层至暴露所述有源区的衬氧化层，生成所述局部氧化隔离窗口。
14、一种可选的实施方式中，所述预设窗口宽度为0.5μm。
15、一种可选的实施方式中，在深沟槽填充处理过程中，采用高纵横比工艺针对所述隔离沟槽进行氧化物间隙填充。
16、一种可选的实施方式中，所述深沟槽填充处理对应的填充物为多晶硅。
17、本公开实施例还提供一种耐压深沟槽隔离装置，包括：
18、深沟槽蚀刻模块，用于针对待隔离芯片进行深沟槽蚀刻、衬氧化层生成以及深沟槽填充处理，在所述待隔离芯片的半导体衬底中生成隔离沟槽；
19、有源区蚀刻模块，用于在所述隔离沟槽对应的槽口位置处进行浅沟槽隔离结构蚀刻，生成有源区并在所述有源区中填充衬氧化层；
20、局部氧化隔离窗口生成模块，用于在所述待隔离芯片表面沉积硬掩膜层，并在所述隔离沟槽对应的槽口边缘位置处蚀刻所述硬掩膜层，生成局部氧化隔离窗口；
21、隔离氧化层生长模块，用于根据所述局部氧化隔离窗口进行硅局部氧化隔离处理，在所述半导体衬底表面生长隔离氧化层。
22、本公开实施例还提供一种电子设备，包括：处理器、存储器和总线，所述存储器存储有所述处理器可执行的机器可读指令，当电子设备运行时，所述处理器与所述存储器之间通过总线通信，所述机器可读指令被所述处理器执行时执行上述耐压深沟槽隔离方法，或上述耐压深沟槽隔离方法中任一种可能的实施方式中的步骤。
23、本公开实施例还提供一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器运行时执行上述耐压深沟槽隔离方法，或上述耐压深沟槽隔离方法中任一种可能的实施方式中的步骤。
24、本公开实施例还提供一种计算机程序产品，包括计算机程序/指令，该计算机程序、指令被处理器执行时实现上述耐压深沟槽隔离方法，或上述耐压深沟槽隔离方法中任一种可能的实施方式中的步骤。
25、本公开实施例提供的一种耐压深沟槽隔离方法、装置、电子设备及存储介质，通过针对待隔离芯片进行深沟槽蚀刻、衬氧化层生成以及深沟槽填充处理，在所述待隔离芯片的半导体衬底中生成隔离沟槽；在所述隔离沟槽对应的槽口位置处进行浅沟槽隔离结构蚀刻，生成有源区并在所述有源区中填充衬氧化层；在所述待隔离芯片表面沉积硬掩膜层，并在所述隔离沟槽对应的槽口边缘位置处蚀刻所述硬掩膜层，生成局部氧化隔离窗口；根据所述局部氧化隔离窗口进行硅局部氧化隔离处理，在所述半导体衬底表面生长隔离氧化层。可以提升深沟槽隔离结构的耐压性能。
26、为使本公开的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
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【技术保护点】
1.一种耐压深沟槽隔离方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述局部氧化隔离窗口进行硅局部氧化隔离处理，在所述半导体衬底表面生长场氧化层，具体包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述局部氧化隔离窗口进行硅局部氧化隔离处理，在所述半导体衬底表面生长场氧化层，具体还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述隔离沟槽对应的槽口边缘位置处蚀刻所述硬掩膜层，生成局部氧化隔离窗口，具体包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
8.一种耐压深沟槽隔离装置，其特征在于，包括：
9.一种电子设备，其特征在于，包括：处理器、存储器和总线，所述存储器存储有所述处理器可执行的机器可读指令，当电子设备运行时，所述处理器与所述存储器之间通过总线通信，所述机器可读指令被所述处理器执行时执行如权利要求1至7中任一项所述的耐压深沟槽隔离方法的步骤。</p>10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，该计算机可读存储介质上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器运行时执行如权利要求1至7中任一项所述的耐压深沟槽隔离方法的步骤。
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【技术特征摘要】
1.一种耐压深沟槽隔离方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述局部氧化隔离窗口进行硅局部氧化隔离处理，在所述半导体衬底表面生长场氧化层，具体包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述局部氧化隔离窗口进行硅局部氧化隔离处理，在所述半导体衬底表面生长场氧化层，具体还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述隔离沟槽对应的槽口边缘位置处蚀刻所述硬掩膜层，生成局部氧化隔离窗口，具体包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的方...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜宁乐，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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