温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开提供了一种耐压深沟槽隔离方法、装置、电子设备及存储介质，通过针对待隔离芯片进行深沟槽蚀刻、衬氧化层生成以及深沟槽填充处理，在所述待隔离芯片的半导体衬底中生成隔离沟槽；在所述隔离沟槽对应的槽口位置处进行浅沟槽隔离结构蚀刻，生成有源区并在...
该专利属于粤芯半导体技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过粤芯半导体技术股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。