一种具有高可靠性的LED芯片隔离沟槽结构制造技术

本技术公开了一种具有高可靠性的LED芯片隔离沟槽结构，包括衬板、多个分布于衬板上并依次串联的子芯粒，每相邻两个子芯粒之间设置有沟槽，其特征在于：所述沟槽内设有以降低沟槽与其两侧子芯粒的台面之间高度的填充体，所述填充体包括至少两层第一绝缘层，每相邻两层第一绝缘层之间设有中间层以形成布拉格反射结构。本技术通过在两个子芯粒之间的ISO沟槽中进行不同介电常数的多层覆盖获得绝缘的布拉格反射结构，该布拉格反射结构可以进行反光调控芯片的出射光角度和光强，另外该结构可以避免因沟槽过深造成后续工艺桥接材料在桥接初发生断裂的风险，从而提升芯片的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于led芯片，具体涉及一种具有高可靠性的led芯片隔离沟槽结构。

技术介绍

1、传统的高压mini led 结构会在子芯粒间有iso沟槽，将每相邻两个子芯粒隔离开，在子芯粒之间桥连电极过程中，需要跨越该iso沟槽。如附图1所示的一种现有倒装芯片结构，相邻两个子芯粒之间设置有沟槽1，每个子芯粒包括衬板2、n型层3、量子阱发光层4、p型层5、电流阻挡层6、透明导电层7、绝缘反射层8（dbr层）、p/n第一电极、p/n第二电极，该倒装芯片结构中dbr层8、双晶连接第一电极9横跨在iso沟槽上，因iso沟槽较深（约3～8μm），容易在沟槽边缘处出现断裂的情况，导致芯片在后续的使用过程中可靠性能会急剧降低，容易出现漏电死灯问题。由于mini led芯片对出光角度有着一定的要求，因此，现亟需针对现有的led芯片子芯粒间的iso沟槽结构进行优化，以保证高压芯片子芯粒间的良好桥接性能，同时能够不降低led的出光效率。

技术实现思路

1、本技术针对
技术介绍
中的不足，提供了一种具有高可靠性的led芯片隔离沟槽结构，既可保本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有高可靠性的LED芯片隔离沟槽结构，包括衬板、多个分布于衬板上并依次串联的子芯粒，每相邻两个子芯粒之间设置有沟槽，其特征在于：所述沟槽内设有以降低沟槽与其两侧子芯粒的台面之间高度的填充体，所述填充体包括至少两层第一绝缘层，每相邻两层第一绝缘层之间设有中间层以形成布拉格反射结构。

2.如权利要求1所述的一种具有高可靠性的LED芯片隔离沟槽结构，其特征在于：所述填充体的高度小于或等于沟槽的深度。

3.如权利要求1所述的一种具有高可靠性的LED芯片隔离沟槽结构，其特征在于：每层所述第一绝缘层、中间层的所在面均与衬板的所在面相平行或垂直。p>

4.如权利...

【技术特征摘要】

1.一种具有高可靠性的led芯片隔离沟槽结构，包括衬板、多个分布于衬板上并依次串联的子芯粒，每相邻两个子芯粒之间设置有沟槽，其特征在于：所述沟槽内设有以降低沟槽与其两侧子芯粒的台面之间高度的填充体，所述填充体包括至少两层第一绝缘层，每相邻两层第一绝缘层之间设有中间层以形成布拉格反射结构。

2.如权利要求1所述的一种具有高可靠性的led芯片隔离沟槽结构，其特征在于：所述填充体的高度小于或等于沟槽的深度。

3.如权利要求1所述的一种具有高可靠性的led芯片隔离沟槽结构，其特征在于：每层所述第一绝缘层、中间层的所在面均与衬板的所在面相平行或垂直。

4.如权利要求1所述的一种具有高可靠性的led芯片隔离沟槽结构，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹玉飞，褚志强，黄文光，赵方方，
申请(专利权)人：聚灿光电科技宿迁有限公司，
类型：新型
国别省市：