一种化学机械研磨设备及晶圆研磨方法技术

技术编号:40165101 阅读:24 留言:0更新日期:2024-01-26 23:37
本发明专利技术公开了一种化学机械研磨设备及晶圆研磨方法,设备包括:服务器、研磨台、研磨头、晶圆暂存台以及设置于晶圆暂存台上的量测装置;服务器分别与所述研磨台、所述研磨头、所述晶圆暂存台和所述量测装置连接;服务器,用于控制所述研磨台的研磨转速、所述研磨头的执行和所述量测装置的晶圆研磨厚度测量;所述研磨头,用于抓取晶圆,并将晶圆放置于所述研磨台或所述晶圆暂存台之中;所述量测装置,用于测量所述晶圆暂存台上的晶圆厚度,并反馈至所述服务器中,以使所述服务器根据所述晶圆厚度计算出晶圆研磨量。本发明专利技术解决现有技术中当出现研磨残存厚度过大情况时,需要重新对同一个晶圆进行研磨和清洗,导致工艺时间和工艺成本增加的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶圆研磨,尤其涉及一种化学机械研磨设备及晶圆研磨方法


技术介绍

1、目前,在进行半导体化学机械研磨机台的研磨单元主要结构为研磨台和晶圆存放台。而研磨台是晶圆进行研磨的位置,晶圆通过研磨头固定在研磨垫上进行研磨;存放台是用来放置晶圆的装置,研磨头将晶圆从存放台抓取转移至研磨台研磨。

2、目前,晶圆研磨的流程是首先经过研磨机台进行研磨,研磨后的晶圆经过清洗单元进行残留研磨剂的清洗,进而经过量测机台进行研磨厚度的量测,若量测结果显示研磨层剩余厚度偏厚则需要重复以上流程进行返工,结果厚度正常则完成本段工艺制程。但在量测后如果发生研磨残存厚度过大情况时,需要重新进行研磨和清洗流程,造成了工艺时间和工艺成本的增加。

3、因此,目前亟需一种能够减少工艺时间和工艺成本的设备及方法。


技术实现思路

1、本专利技术提供了一种化学机械研磨设备及晶圆研磨方法,以解决现有技术中当出现研磨残存厚度过大情况时,需要重新对同一个晶圆进行研磨和清洗,导致工艺时间和工艺成本增加的技术问题。

2本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种化学机械研磨设备,其特征在于,包括:服务器、研磨台、研磨头、晶圆暂存台以及设置于所述晶圆暂存台上的量测装置;所述服务器分别与所述研磨台、所述研磨头、所述晶圆暂存台和所述量测装置连接;

2.如权利要求1所述的一种化学机械研磨设备,其特征在于,所述抓取晶圆,并将晶圆放置于所述研磨台或所述晶圆暂存台之中,具体包括:

3.如权利要求1所述的一种化学机械研磨设备,其特征在于,所述服务器,用于控制所述研磨台的研磨转速、所述研磨头的执行和所述量测装置的晶圆研磨厚度测量,具体包括:

4.如权利要求3所述的一种化学机械研磨设备,其特征在于,所述量测装置包括光发射...

【技术特征摘要】

1.一种化学机械研磨设备,其特征在于,包括:服务器、研磨台、研磨头、晶圆暂存台以及设置于所述晶圆暂存台上的量测装置;所述服务器分别与所述研磨台、所述研磨头、所述晶圆暂存台和所述量测装置连接;

2.如权利要求1所述的一种化学机械研磨设备,其特征在于,所述抓取晶圆,并将晶圆放置于所述研磨台或所述晶圆暂存台之中,具体包括:

3.如权利要求1所述的一种化学机械研磨设备,其特征在于,所述服务器,用于控制所述研磨台的研磨转速、所述研磨头的执行和所述量测装置的晶圆研磨厚度测量,具体包括:

4.如权利要求3所述的一种化学机械研磨设备,其特征在于,所述量测装置包括光发射器和光接收器;

5.如权利要求1所述的一种化学机械研磨设备,...

【专利技术属性】
技术研发人员:请求不公布姓名
申请(专利权)人:星钥珠海半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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