【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及石斛种植，特别涉及一种霍山石斛的种植方法。
技术介绍
1、石斛是一种药用植物，又名仙斛兰韵、吊兰、林兰、禁生、金钗花等，茎直立，肉质状肥厚，稍扁的圆柱形，性味甘淡微咸，寒，归胃、肾，肺经，益胃生津，滋阴清热，用于阴伤津亏，口干烦渴，食少干呕，病后虚热，目暗不明，石斛具有很大的药用价值。霍山石斛是一种多年生草本植物，具有直立的茎和长而细小的叶子，霍山石斛主要分布在中国的安徽省霍山县及周边地区，因此得名。目前的石斛种植多是人工栽培种植，将石斛切片在培养基中诱导发芽，传统的培养基为ms培养基，其种子萌发率较低，萌发时间较长；而且栽培种植中栽培基质的选择对于石斛的生长和发育也起着至关重要的作用，常用的栽培基质是松树皮为主要原料制备而成，具有来源广泛、成本低廉的优点，但是松树皮不易腐烂，养分无法转化，其肥效很低，导致石斛生长缓慢，产量低，枝条细小，品质较差。为此，本申请提出了一种霍山石斛的种植方法，以解决上述问题。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种霍山石斛的种植方法，可以有效解决
技术介绍
中的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：一种霍山石斛的种植方法，包括如下步骤：
3、1)制备萌芽培养基：其组成包括ms培养基、酒槽液和石斛内生真菌发酵液，其中，酒槽液占比为1％-5％，石斛内生真菌发酵液占比为0.1％-1％；
4、2)石斛植株预处理：选择生长旺盛、无病害的霍山石斛植株，消毒清洗后，切片，每片原球茎包含至少一
5、3)培养原球茎：将原球茎的切片放入到萌芽培养基中培养，确保原球茎切片与培养基接触良好，诱导出原球茎；
6、4)制备栽培基质：将蒸煮后的酒槽和菜籽饼按照13:1的比例混合均后，进行发酵，得到发酵基质；将粒径2-3cm的片麻岩清洗干净，将发酵基质与片麻岩按照15-20:1的比例搅拌混合均匀，得到栽培基质；
7、5)种植原球茎：在苗盘底部放置厚度为10-15cm、粒径6cm的片麻岩，在片麻岩上铺设栽培基质，将原球茎移植到栽培基质上，进入栽种环节。
8、优选的，所述步骤2)中石斛植株的消毒清洗方法为：将石斛植株浸泡在75％酒精中，消毒5-10分钟；然后将石斛植株转移到含有0.1％过氧化氢的消毒液中，浸泡15-20分钟；最后用无菌蒸馏水冲洗原球茎，确保彻底去除消毒液。
9、优选的，所述步骤3)中原球茎的切片的培养温度为20-25℃，光照强度为1800-2000lx。
10、优选的，所述步骤4)中发酵时间为一个月以上。
11、优选的，所述步骤4)中的发酵混合料中添加em菌液，发酵15-30天。
12、优选的，所述步骤5)中栽培基质在使用前浇透水并添加石斛分离的内生真菌培养液。
13、与传统技术相比，本专利技术产生的有益效果是：本专利技术中的萌芽培养基在ms培养基基础上，添加了酒槽液和石斛内生真菌发酵液，相同时间内与单独的ms培养基相比增加了生物量，降低了萌发时间，提高了种子萌发率；所采用的栽培基质营养充分，肥效高，霍山石斛茎粗壮，叶片颜色墨绿，抗病，生长快，品质好，相比于松树皮基质在相同时间内产量高。
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1.一种霍山石斛的种植方法，其特征在于：包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种霍山石斛的种植方法，其特征在于：所述步骤2)中石斛植株的消毒清洗方法为：将石斛植株浸泡在75％酒精中，消毒5-10分钟；然后将石斛植株转移到含有0.1％过氧化氢的消毒液中，浸泡15-20分钟；最后用无菌蒸馏水冲洗原球茎，确保彻底去除消毒液。
3.根据权利要求1所述的一种霍山石斛的种植方法，其特征在于：所述步骤3)中原球茎的切片的培养温度为20-25℃，光照强度为1800-2000Lx。
4.根据权利要求1所述的一种霍山石斛的种植方法，其特征在于：所述步骤4)中发酵时间为一个月以上。
5.根据权利要求1所述的一种霍山石斛的种植方法，其特征在于：所述步骤4)中的发酵混合料中添加em菌液，发酵15-30天。
6.根据权利要求1所述的一种霍山石斛的种植方法，其特征在于：所述步骤5)中栽培基质在使用前浇透水并添加石斛分离的内生真菌培养液。
【技术特征摘要】
1.一种霍山石斛的种植方法，其特征在于：包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种霍山石斛的种植方法，其特征在于：所述步骤2)中石斛植株的消毒清洗方法为：将石斛植株浸泡在75％酒精中，消毒5-10分钟；然后将石斛植株转移到含有0.1％过氧化氢的消毒液中，浸泡15-20分钟；最后用无菌蒸馏水冲洗原球茎，确保彻底去除消毒液。
3.根据权利要求1所述的一种霍山石斛的种植方法，其特征在于：所述步骤3)中原球茎的切片的培养...
【专利技术属性】
技术研发人员：张平，陈兆东，戴军，彭丽丽，戴超，张柏灿，
申请(专利权)人：安徽大别山霍斛科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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