【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别是涉及一种沟槽型mosfet器件及其制造方法。
技术介绍
1、沟槽型mosfet器件是将栅极埋入半导体基体中，以形成垂直导电沟道，沟槽型mosfet器件的沟槽结构可以增加沟道密度，减小导通电阻，寄生电容更小，开关速度快，开关损耗非常低。
2、传统的沟槽型mosfet器件中，通常会在半导体基体内形成半包围于沟槽的屏蔽结构，该屏蔽结构包括延伸至沟槽下方的部分，能够使沟槽角落的栅极氧化层免受漏极偏压引起的过高电场，然而，传统的沟槽型mosfet器件中的屏蔽结构会导致传统的沟槽型mosfet器件的制造成本较高，且元胞尺寸较大，增加了器件的导通电阻。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对传统的沟槽型mosfet器件中的屏蔽结构会导致传统的沟槽型mosfet器件的制造成本较高和元胞尺寸较大的问题，提供一种沟槽型mosfet器件及其制造方法。
2、根据本申请的一个方面，提供了一种沟槽型mosfet器件的制造方法，包括：
3、提供具有第一导电类型的
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1.一种沟槽型MOSFET器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的沟槽型MOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述屏蔽区包括邻接于所述底壁的第一屏蔽区；
3.根据权利要求2所述的沟槽型MOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述沟槽的深度为H；
4.根据权利要求1-3任一项所述的沟槽型MOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述源区包括所述第一区域以及具有所述第二导电类型的第二区域，所述在所述阱区的上表层内形成源区，具体包括：
5.根据权利要求4所述的沟槽型MOSFET器件的制造方法，其特征在于，所...
【技术特征摘要】
1.一种沟槽型mosfet器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的沟槽型mosfet器件的制造方法，其特征在于，所述屏蔽区包括邻接于所述底壁的第一屏蔽区；
3.根据权利要求2所述的沟槽型mosfet器件的制造方法，其特征在于，所述沟槽的深度为h；
4.根据权利要求1-3任一项所述的沟槽型mosfet器件的制造方法，其特征在于，所述源区包括所述第一区域以及具有所述第二导电类型的第二区域，所述在所述阱区的上表层内形成源区，具体包括：
5.根据权利要求4所述的沟槽型mosfet器件的制造方法，其特征在于，所述向所述第二区域的上表层的部分区域注入第一导电类型离子，以形成贯穿所述第二区域且延伸至所述阱区内的所述第一区域，具体包括：
6.根据权利要求1-3任一项所述的沟槽型mosfe...
【专利技术属性】
技术研发人员：王宝柱，任娜，盛况，徐弘毅，吴九鹏，王珩宇，
申请(专利权)人：浙江大学杭州国际科创中心，
类型：发明
国别省市：
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