【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及高介电常数基板，尤其涉及一种聚四氟乙烯玻纤布陶瓷高介电常数基板。
技术介绍
1、随着集成电路技术的进步，具有高速度、高器件密度的芯片越来越成为超大规模的主要芯片；其中高介电常数低损耗高频基板介电性能稳定、优异的特性，在雷达、天线、卫星、导航、航天航空等电子装备上将会有大量应用。另外，可以满足多种频率下阻抗匹配的要求，从而适应于雷达、天线等电子设备的小型化、轻量化、高性能化和多功能化的发展方向。在高频电路、发射接收电路和通讯高可靠性安全电路等微波器件中的应用日益广泛，已成为军用雷达特别是固体有源相控阵雷达的关键材料，同时，也成为高频通讯通信、电子对抗等其他军事电子装备的关键材料之一。
2、在上述基板生产中，采用多个层压合制成，但多个层之间连接不稳定，影响后续的电子产品的使用寿命。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种聚四氟乙烯玻纤布陶瓷高介电常数基板，解决了多个层之间连接不稳定，影响后续的电子产品的使用寿命的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术采用的一种聚四氟乙烯玻纤布陶瓷高介电常数基板，包括基板、连接层、预制层、连接件、第一铜箔层和第二铜箔层，所述基板的上表面和下表面分别设置有所述连接层，所述预制层与所述连接层固定连接，所述连接件与所述预制层固定连接，所述第一铜箔层与所述预制层固定连接，所述第二铜箔层与所述第一铜箔层固定连接，且所述第一铜箔层贯穿所述连接件。
3、所述连接层分别连接所述基板和所述预制层，所述连接件连接所述
4、其中，所述连接件包括连接座和弧块，所述连接座与所述预制层固定连接，并位于所述预制层的外侧壁，所述连接座具有贯穿槽，所述第一铜箔层贯穿所述贯穿槽，所述弧块与所述连接座固定连接，并位于所述贯穿槽内。
5、所述连接层分别连接所述基板和所述预制层，所述连接座连接所述预制层和所述第二铜箔层，且所述第一铜箔层贯穿所述贯穿槽，所述弧块的弧面减小所述弧块与所述第一铜箔层之间的摩擦，获得提高基板连接的稳定性，增加电子产品的使用寿命的效果。
6、其中，所述预制层由多个浸有浆料的玻纤布重叠压合而成。
7、将多个浸有浆料的所述玻纤布采用重叠压合制得所述预制层。
8、其中，所述浆料包括ptef乳液、陶瓷粉体、亲氟改性剂和增稠剂。
9、在所述预制层制备过程中，准备好玻纤布；准备好所述陶瓷粉体；准备好所述浆料；所述浆料包括ptfe乳液、亲氟改性剂和增稠剂；将所述浆料加入到立式浸胶机，通过立式浸胶法，用玻纤布将所述浆料浸渍带出，再通过立式烘箱，将浸渍所述浆料中的水分、溶剂烤干收卷，形成预制片卷；将预制片卷进行裁切形成预制片；在两片裁切铜箔之间堆叠多片预制片，并进行叠合排版，然后另真空压机进行真空热压，形成压合件；对压合件进行裁边，形成最所述预制层。
10、其中，所述陶瓷粉体包括tio2和cao-li2o-sm2o3-tio2，所述陶瓷粉体的介电常数为65～100。
11、在所述预制层制备过程中，准备好106号玻纤布；准备好tio2和cao-li2o-sm2o3-tio2；准备好所述浆料；所述浆料包括ptfe乳液、亲氟改性剂和增稠剂；将所述浆料加入到立式浸胶机，通过立式浸胶法，用玻纤布将所述浆料浸渍带出，再通过立式烘箱，将浸渍所述浆料中的水分、溶剂烤干收卷，形成预制片卷；将预制片卷进行裁切形成预制片；在两片裁切铜箔之间堆叠多片预制片，并进行叠合排版，然后另真空压机进行真空热压，形成压合件；对压合件进行裁边，形成最所述预制层；其中tio2和cao-li2o-sm2o3-tio2形成的所述陶瓷粉体的介电常数为65～100，损耗小于0.002。
12、其中，tio2的粒径为d50：6～10um，d90＜18um，cao-li2o-sm2o3-tio2的粒径为d50：8～12um，d90＜20um。
13、引入高介电、低损耗、低温飘的陶瓷粉体，并创新设计出用于浸胶的浆料，再解决浆料中高比例陶瓷的沉降分散问题。
14、其中，所述聚四氟乙烯玻纤布陶瓷高介电常数基板还包括封装模块，所述封装模块与所述第二铜箔层连接。
15、所述封装模块用于减少所述基板在使用过程中的翘曲的形变量。
16、其中，所述封装模块包括第一介电部、第二介电部和线路层，所述第一介电部与所述第二铜箔层固定连接，所述第二介电部与所述第一介电部固定连接，所述第二介电部的外侧壁设置有所述线路层。
17、所述线路层用于连接电子产品，所述第一介电部的热膨胀系数不同于所述第二介电部的热膨胀系数，故于封装过程中，所述封装模块在温度循环中，所述第一介电部与所述第二介电部的伸缩量不同，平衡所述基板与电子产品之间的热膨胀系数差异，以减少所述基板在使用过程中的翘曲的形变量。
18、本专利技术的一种聚四氟乙烯玻纤布陶瓷高介电常数基板，通过所述连接层分别连接所述基板和所述预制层，所述连接件连接所述预制层和所述第二铜箔层，且所述第一铜箔层贯穿所述连接件，获得提高基板连接的稳定性，增加电子产品的使用寿命的效果。
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1.一种聚四氟乙烯玻纤布陶瓷高介电常数基板，其特征在于，
2.如权利要求1所述的聚四氟乙烯玻纤布陶瓷高介电常数基板，其特征在于，
3.如权利要求1所述的聚四氟乙烯玻纤布陶瓷高介电常数基板，其特征在于，
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【技术特征摘要】
1.一种聚四氟乙烯玻纤布陶瓷高介电常数基板，其特征在于，
2.如权利要求1所述的聚四氟乙烯玻纤布陶瓷高介电常数基板，其特征在于，
3.如权利要求1所述的聚四氟乙烯玻纤布陶瓷高介电常数基板，其特征在于，
4.如权利要求3所述的聚四氟乙烯玻纤布陶瓷高介电常数基板，其特征在于，
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【专利技术属性】
技术研发人员：蒋文，刘雷鹏，蒋志俊，张浩，
申请(专利权)人：泰州市旺灵绝缘材料厂，
类型：发明
国别省市：
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