【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体元件及其制作方法，尤其是涉及一种磁阻式随机存取存储器(magnetoresistive random access memory,mram)及其制作方法。
技术介绍
1、已知，磁阻(magnetoresistance,mr)效应是材料的电阻随着外加磁场的变化而改变的效应，其物理量的定义，是在有无磁场下的电阻差除上原先电阻，用以代表电阻变化率。目前，磁阻效应已被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。此外，利用巨磁电阻物质在不同的磁化状态下具有不同电阻值的特点，还可以制成磁性随机存储器(mram)，其优点是在不通电的情况下可以继续保留存储的数据。
2、上述磁阻效应还被应用在磁场感测(magnetic field sensor)领域，例如，移动电话中搭配全球定位系统(global positioning system,gps)的电子罗盘(electroniccompass)零组件，用来提供使用者移动方位等信息。目前，市场上已有各式的磁场感测技术，例如，异向性磁阻(anisotropic magnetoresistance,amr)感测元件、巨磁阻(gmr)感测元件、磁性隧道结(magnetic tunneling junction,mtj)感测元件等等。然而，上述现有技术的缺点通常包括：较占芯片面积、制作工艺较昂贵、较耗电、灵敏度不足，以及易受温度变化影响等等，而有必要进一步改进。
技术实现思路
1、本专利技术一实施例揭露一种制作半导体元件的
2、本专利技术另一实施例揭露一种半导体元件，其主要包含一第一金属内连线设于基底上、一电迁移增进层设于第一金属内连线上、一停止层环绕电迁移增进层以及一第二金属内连线设于电迁移增进层上，其中电迁移增进层顶部切齐停止层顶部。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体元件，还包含：
3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该电迁移增进层的下表面切齐该第二金属间介电层的下表面。
4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该电迁移增进层的侧壁包含平坦侧壁。
5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该电迁移增进层的侧壁与该第一金属间介电层的上表面正交。
6.如权利要求1所述的半导体元件，其中该电迁移增进层的侧壁与该第一金属内连线的上表面正交。
7.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一金属内连线以及该第二金属内连线包含不同材料。
8.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一金属内连线以及该电迁移增进层包含不同材料。
9.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第二金属内连线以及该电迁移增进层包含不同材料。
【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体元件，还包含：
3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该电迁移增进层的下表面切齐该第二金属间介电层的下表面。
4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该电迁移增进层的侧壁包含平坦侧壁。
5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该电迁移增进层的侧壁与该第一金属间介电层的上表面正交。
...【专利技术属性】
技术研发人员：王慧琳，许博凯，陈宏岳，王裕平，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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