【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体元件及其制作方法，尤其是涉及一种磁阻式随机存取存储器(magnetoresistive random access memory,mram)及其制作方法。
技术介绍
1、已知，磁阻(magnetoresistance,mr)效应是材料的电阻随着外加磁场的变化而改变的效应，其物理量的定义，是在有无磁场下的电阻差除上原先电阻，用以代表电阻变化率。目前，磁阻效应已被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。此外，利用巨磁电阻物质在不同的磁化状态下具有不同电阻值的特点，还可以制成磁性随机存储器(mram)，其优点是在不通电的情况下可以继续保留存储的数据。
2、上述磁阻效应还被应用在磁场感测(magnetic field sensor)领域，例如，移动电话中搭配全球定位系统(global positioning system,gps)的电子罗盘(electroniccompass)零组件，用来提供使用者移动方位等资讯。目前，市场上已有各式的磁场感测技术，例如，各向异性磁阻(anisotropic magnetoresistance,amr)感测元件、巨磁阻(gmr)感测元件、磁隧道结(magnetic tunneling junction,mtj)感测元件等等。然而，上述现有技术的缺点通常包括：较占芯片面积、制作工艺较昂贵、较耗电、灵敏度不足，以及易受温度变化影响等等，而有必要进一步改进。
技术实现思路
1、本专利技术一实施例公开一种制作半导体元件的
2、本专利技术另一实施例公开一种半导体元件，其中包含一第一磁性隧道结(magnetictunneling junction,mtj)设于一基底上，一第一间隙壁设于该mtj一侧，一第二间隙壁设于该mtj另一侧以及一第一金属内连线设于该mtj上，其中该第一金属内连线包含多个突出部设于该mtj两侧，该等突出部底部包含一平坦表面，且该第一间隙壁以及该第二间隙壁接触该等突出部。
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1.一种半导体元件，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体元件，另包含：
3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该磁性隧道结的上表面包含平坦表面。
4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一金属内连线的下表面包含平坦表面。
5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一金属内连线的第一侧壁与该磁性隧道结的第一侧壁对齐。
6.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一金属内连线的第二侧壁与该磁性隧道结的第二侧壁对齐。
7.一种半导体元件，其特征在于，包含：
8.如权利要求7所述的半导体元件，另包含：
9.如权利要求8所述的半导体元件，其中设于该磁性隧道结侧壁的该第一衬垫层厚度小于设于该第二金属间介电层上表面的该第一衬垫层厚度。
10.如权利要求7所述的半导体元件，其中该磁性隧道结的上表面包含平坦表面。
11.如权利要求7所述的半导体元件，其中该第一金属内连线的第一侧壁与该磁性隧道结的第一侧壁对齐。
12.如权利要求7所述的半导体元件，其中该第一
13.如权利要求7所述的半导体元件，其中该第一衬垫层和该第二衬垫层包含不同材料。
14.一种半导体元件，其特征在于，包含：
15.如权利要求14所述的半导体元件，另包含：
16.如权利要求15所述的半导体元件，其中设于该磁性隧道结侧壁的该第一衬垫层厚度小于设于该第二金属间介电层上表面的该第一衬垫层厚度。
17.如权利要求14所述的半导体元件，其中该第一衬垫层和该第二衬垫层包含不同材料。
18.如权利要求14所述的半导体元件，其中该多个突出部的下表面直接接触该第一衬垫层和该第二衬垫层。
19.如权利要求14所述的半导体元件，其中该第一金属内连线的侧壁与该第二衬垫层的侧壁对齐。
20.如权利要求14所述的半导体元件，其中该多个突出部的下表面包含平坦表面。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体元件，另包含：
3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该磁性隧道结的上表面包含平坦表面。
4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一金属内连线的下表面包含平坦表面。
5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一金属内连线的第一侧壁与该磁性隧道结的第一侧壁对齐。
6.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一金属内连线的第二侧壁与该磁性隧道结的第二侧壁对齐。
7.一种半导体元件，其特征在于，包含：
8.如权利要求7所述的半导体元件，另包含：
9.如权利要求8所述的半导体元件，其中设于该磁性隧道结侧壁的该第一衬垫层厚度小于设于该第二金属间介电层上表面的该第一衬垫层厚度。
10.如权利要求7所述的半导体元件，其中该磁性隧道结的上表面包含平坦表面。
11.如权利要求7所述的半导体元件，其中该第一金属内连线的第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：王慧琳，翁宸毅，曾译苇，谢晋阳，张境尹，李怡慧，刘盈成，施易安，曾奕铭，王裕平，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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