【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及但不限于半导体器件技术，尤指一种半导体器件及其制备方法、电子设备。
技术介绍
1、或非门(nor gate)作为逻辑处理器的重要组成部分，广泛应用在消费电子、物联网、通讯、汽车和工业领域，在半导体产业中占有重要的比例。现在各大公司均为平面结构的实现，通过缩减栅极长度来实现或非门密度的增加，对制备工艺要求较高。
技术实现思路
1、以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
2、本公开实施例提供了一种半导体器件及其制备方法、电子设备，可以简化工艺，降低成本。
3、本公开实施例提供了一种半导体器件，包括：
4、设置在衬底上的第三半导体层，设置在所述第三半导体层远离所述衬底一侧的第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层包括第一源接触区域和第一漏接触区域，所述第二半导体层包括第二源接触区域和第二漏接触区域，所述第三半导体层包括第三源接触区域和第三漏接触区域；
5、贯穿所述第一半导体层和所述第三半导体层的第一栅极，环绕所述第一栅极的第一栅绝缘层；
6、贯穿所述第二半导体层和所述第三半导体层的第二栅极，环绕所述第二栅极的第二栅绝缘层；
7、与所述第一半导体层的第一源接触区域接触的第一电极，与所述第一半导体层的第一漏接触区域接触的第二电极；与所述第二半导体层的第二源接触区域接触的第三电极和与所述第二半导体层的第二漏接触区域接触的第四电极，所述第三电极电连接所述第二电极；>
8、与所述第三半导体层的第三漏接触区域接触的第五电极，所述第五电极电连接所述第四电极。
9、在一示例性实施例中，所述第三半导体层、第一半导体层、第二半导体层的材料包括多晶硅半导体材料，或者，单晶硅半导体材料。
10、在一示例性实施例中，所述第一漏接触区域设置在所述第一栅极靠近所述第二栅极一侧，所述第二源接触区域设置在所述第二栅极靠近所述第一栅极一侧。
11、在一示例性实施例中，所述第一半导体层和所述第二半导体层同层设置。
12、在一示例性实施例中，所述第一电极和所述第二电极设置在所述第一半导体层远离所述第三半导体层一侧。
13、在一示例性实施例中，所述第三电极和第四电极设置在所述第二半导体层远离所述第三半导体层一侧。
14、在一示例性实施例中，所述第五电极设置在所述第三半导体层远离所述衬底一侧。
15、在一示例性实施例中，在垂直于所述衬底且垂直于所述第三半导体层延伸方向的平面上，所述第一栅极的正投影与所述第二栅极的正投影存在交叠。
16、在一示例性实施例中，所述第三半导体层为npn型叠层结构，所述第一半导体层为pnp型叠层结构，所述第二半导体层为pnp型叠层结构。
17、本公开实施例提供一种半导体器件的制备方法，包括：
18、提供衬底；
19、在所述衬底上形成第三半导体层，以及，在所述第三半导体层远离所述衬底一侧形成第一半导体层和第二半导体层；以及，形成贯穿所述第一半导体层和所述第三半导体层的第一栅极，环绕所述第一栅极的第一栅绝缘层，贯穿所述第二半导体层和所述第三半导体层的第二栅极，环绕所述第二栅极的第二栅绝缘层；其中，所述第一半导体层包括第一源接触区域和第一漏接触区域，所述第二半导体层包括第二源接触区域和第二漏接触区域，所述第三半导体层包括第三源接触区域和第三漏接触区域；
20、在所述第一半导体层远离所述第三半导体层一侧形成与所述第一半导体层的第一源接触区域接触的第一电极和与所述第一半导体层的第一漏接触区域接触的第二电极；以及，在所述第二半导体层远离所述第三半导体层一侧形成与所述第二半导体层的第二源接触区域接触的第三电极和与所述第二半导体层的第二漏接触区域接触的第四电极，所述第三电极电连接所述第二电极；以及，在所述第三半导体层远离所述衬底一侧形成与所述第三半导体层的第三漏接触区域接触的第五电极，所述第五电极电连接所述第四电极。
21、在一示例性实施例中，所述在所述衬底上形成第三半导体层，以及，在所述第三半导体层远离所述衬底一侧形成第一半导体层和第二半导体层，形成贯穿所述第一半导体层和所述第三半导体层的第一栅极，环绕所述第一栅极的第一栅绝缘层，贯穿所述第二半导体层和所述第三半导体层的第二栅极，环绕所述第二栅极的第二栅绝缘层包括：
22、在所述衬底上形成第三半导体层，
23、在所述第三半导体层远离所述衬底一侧形成第一绝缘层薄膜；
24、在所述第一绝缘层薄膜远离所述第三半导体层一侧形成第一沟道薄膜；
25、形成贯穿所述第三半导体层、第一绝缘层薄膜、第一沟道薄膜的第一过孔和第二过孔；在所述第一过孔的侧壁依次沉积第一栅绝缘薄膜和第一金属薄膜以形成所述第一栅绝缘层和所述第一栅极，在所述第二过孔的侧壁依次沉积第二栅绝缘薄膜和第二金属薄膜以形成所述第二栅绝缘层和所述第二栅极；
26、对所述第一沟道薄膜进行构图形成所述第一半导体层和第二半导体层。
27、在一示例性实施例中，所述在所述衬底上形成第三半导体层，以及，在所述第三半导体层远离所述衬底一侧形成第一半导体层和第二半导体层，形成贯穿所述第一半导体层和所述第三半导体层的第一栅极，环绕所述第一栅极的第一栅绝缘层，贯穿所述第二半导体层和所述第三半导体层的第二栅极，环绕所述第二栅极的第二栅绝缘层包括：
28、在所述衬底上形成第三半导体层；
29、在所述第三半导体层远离所述衬底一侧形成牺牲层薄膜；
30、在所述牺牲层薄膜远离所述第三半导体层一侧形成第一沟道薄膜；
31、对所述第一沟道薄膜构图形成暴露所述第三半导体层的支撑层；
32、在所述支撑层通过孔内沉积第三绝缘薄膜形成支撑层；
33、刻蚀所述牺牲层薄膜，在被刻蚀掉的牺牲层薄膜位置沉积第四绝缘薄膜形成设置在所述第三半导体层和所述第一沟道薄膜之间的第三绝缘层；
34、形成贯穿所述第三半导体层、第三绝缘层、第一沟道薄膜的第一过孔和第二过孔；在所述第一过孔的侧壁依次沉积第一栅绝缘薄膜和第一金属薄膜以形成所述第一栅绝缘层和所述第一栅极，在所述第二过孔的侧壁依次沉积第二栅绝缘薄膜和第二金属薄膜以形成所述第二栅绝缘层和所述第二栅极；
35、对所述第一沟道薄膜进行构图形成所述第一半导体层和第二半导体层。
36、本公开实施例提供一种电子设备，包括上述任一实施例所述的半导体器件。
37、在一示例性实施例中，所述电子设备包括智能电话、计算机、平板电脑、人工智能、可穿戴设备或智能移动终端。
38、本公开实施例包括一种半导体器件及其制备方法、电子设备，所述半导体器件包括：设置在衬底上的第三半导体层，设置在所述第三半导体层远离所述衬底一侧的第一半导体层和第二半导体层；贯穿所述第一半导体层和所述第三半导体层的第一栅极，环本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第三半导体层、第一半导体层、第二半导体层的材料包括多晶硅半导体材料，或者，单晶硅半导体材料。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一漏接触区域设置在所述第一栅极靠近所述第二栅极一侧，所述第二源接触区域设置在所述第二栅极靠近所述第一栅极一侧。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层同层设置。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极设置在所述第一半导体层远离所述第三半导体层一侧。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第三电极和第四电极设置在所述第二半导体层远离所述第三半导体层一侧。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第五电极设置在所述第三半导体层远离所述衬底一侧。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在垂直于所述衬底且垂直于所述第三半导体层延伸方向的平面上，所述第一栅极
9.根据权利要求1至8任一所述的半导体器件，其特征在于，所述第三半导体层为NPN型叠层结构，所述第一半导体层为PNP型叠层结构，所述第二半导体层为PNP型叠层结构。
10.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成第三半导体层，以及，在所述第三半导体层远离所述衬底一侧形成第一半导体层和第二半导体层，形成贯穿所述第一半导体层和所述第三半导体层的第一栅极，环绕所述第一栅极的第一栅绝缘层，贯穿所述第二半导体层和所述第三半导体层的第二栅极，环绕所述第二栅极的第二栅绝缘层包括：
12.根据权利要求10所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成第三半导体层，以及，在所述第三半导体层远离所述衬底一侧形成第一半导体层和第二半导体层，形成贯穿所述第一半导体层和所述第三半导体层的第一栅极，环绕所述第一栅极的第一栅绝缘层，贯穿所述第二半导体层和所述第三半导体层的第二栅极，环绕所述第二栅极的第二栅绝缘层包括：
13.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至9任一所述的半导体器件。
14.根据权利要求13所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备包括智能电话、计算机、平板电脑、人工智能、可穿戴设备或智能移动终端。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第三半导体层、第一半导体层、第二半导体层的材料包括多晶硅半导体材料，或者，单晶硅半导体材料。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一漏接触区域设置在所述第一栅极靠近所述第二栅极一侧，所述第二源接触区域设置在所述第二栅极靠近所述第一栅极一侧。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层同层设置。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极设置在所述第一半导体层远离所述第三半导体层一侧。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第三电极和第四电极设置在所述第二半导体层远离所述第三半导体层一侧。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第五电极设置在所述第三半导体层远离所述衬底一侧。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在垂直于所述衬底且垂直于所述第三半导体层延伸方向的平面上，所述第一栅极的正投影与所述第二栅极的正投影存在交叠。
9.根据权利要求1至8任一所述的半导体器件，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：于伟，戴瑾，宋艳鹏，王祥升，王桂磊，桂文华，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：
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