【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及led，特别涉及一种高气密性的发光器件及制作方法。
技术介绍
1、气密性封装就是利用不透气及防水材料制成的腔体，将电子器件与周围的环境隔离开，通过消除密封过程中来自封装腔体的水汽，并阻止在工作寿命阶段内器件封装周围潮气的侵入，使器件封装体获得良好的长期可靠性，气密性封装是高可靠性封装的基础。
2、现有的气密性的封装方法，通过塑胶料围设基板形成碗杯，并填充基板间缝隙形成绝缘。但仍然会存在以下不足：塑胶料与金属基板结合性较差，会存在微小缝隙，水汽容易进入，从而降低led器件的可靠性和寿命；光转换层一般由荧光粉加上硅胶混合组成，混合物粘度较低，填充支架碗杯后，也容易从上述缝隙渗透至基板底部，从而造成不良品。
3、现有的解决方案，增加基板与塑胶料的结合面积，延长水汽进入路径的制作方法，改善效果有限，不能满足高气密性的封装要求。
4、因此，针对现有技术的不足提供一种高气密性的发光器件。
技术实现思路
1、为了克服现有技术的不足，本专利技术提供一种高气密性的发光器件，该装置具有解决无法满足高气密性封装要求的问题。
2、为了达到上述目的，本专利技术采用以下技术方案：
3、一种高气密性的发光器件，包括：基板、所述基板上固设有至少一个led芯片、连接所述led芯片与所述基板的导线、所述基板四周围设有支架，所述基板上方覆盖有光转换层，所述光转换层覆盖所述led芯片、所述导线；
4、所述基板设有若干半蚀刻区，所述半蚀刻
5、所述缓冲层设有第一粗糙面，所述保护层铺设于所述第一粗糙面，所述保护层与所述支架连接的一端面设有第二粗糙面。
6、作为本专利技术技术方案的进一步改进，所述第一粗糙面与所述第二粗糙面形状相似，所述第一粗糙面、所述第二粗糙面呈凹凸状。
7、作为本专利技术技术方案的进一步改进，所述保护层的厚度小于第一粗糙面的最高点和最低点的高度差，所述第一粗糙面、所述第二粗糙面的最高点和最低点的高度差为0.1-3um。
8、作为本专利技术技术方案的进一步改进，所述半蚀刻区呈台阶状或倒台阶状。
9、作为本专利技术技术方案的进一步改进，所述半蚀刻区通过冲压或蚀刻的方式形成。
10、作为本专利技术技术方案的进一步改进，所述第一粗糙面通过局部微腐蚀或局部电镀沉积的方式形成。
11、作为本专利技术技术方案的进一步改进，所述缓冲层为镍或镍、铜、镍叠层结构。
12、作为本专利技术技术方案的进一步改进，所述保护层为银、钯、金中的一种或几种金属的叠层结构。
13、一种高气密性的发光器件的制作方法，适用于上述的高气密性的发光器件，包括以下步骤：
14、s1：在基板上制作半蚀刻区，在半蚀刻区表面镀上缓冲层，对缓冲层表面进行处理形成第一粗糙面，在第一粗糙面表面镀上保护层；
15、s2：基板制作完后，在基板四周设置支架；
16、s3：将led芯片固定在所述基板上表面，并通过导线连接led芯片与基板；
17、s4：往支架内点胶，固化后形成光转换层。
18、作为本专利技术技术方案的进一步改进，在步骤s1中，保护层覆盖于第一粗糙面，保护层不填平第一粗糙面，保护层表面形成第二粗糙面。
19、与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：
20、本专利技术的高气密性的发光器件中，通过基板设有若干半蚀刻区，半蚀刻区包括缓冲层和保护层，基板、保护层分别设置在缓冲层两端面，保护层与支架连接；缓冲层设有第一粗糙面，保护层铺设于第一粗糙面，保护层与支架连接的一端面设有第二粗糙面；通过控制第一粗糙面表面的粗糙度和保护层的厚度，使得保护层表面也存在第二粗糙面，从而增强金属基座和塑料支架的结合力，粘接会更加牢固，同时由于粗糙面的存在，使得水汽或杂质进入的路程变长，进一步提升其气密性。本高气密性的发光器件，具有满足高气密性封装要求的特点。
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1.一种高气密性的发光器件，其特征在于，包括：基板、所述基板上固设有至少一个LED芯片、连接所述LED芯片与所述基板的导线、所述基板四周围设有支架，所述基板上方覆盖有光转换层，所述光转换层覆盖所述LED芯片、所述导线；
2.根据权利要求1所述的一种高气密性的发光器件，其特征在于，所述第一粗糙面与所述第二粗糙面形状相似，所述第一粗糙面、所述第二粗糙面呈凹凸状。
3.根据权利要求1所述的一种高气密性的发光器件，其特征在于，所述保护层的厚度小于第一粗糙面的最高点和最低点的高度差，所述第一粗糙面、所述第二粗糙面的最高点和最低点的高度差为0.1-3um。
4.根据权利要求1所述的一种高气密性的发光器件，其特征在于，所述半蚀刻区呈台阶状或倒台阶状。
5.根据权利要求1所述的一种高气密性的发光器件，其特征在于，所述半蚀刻区通过冲压或蚀刻的方式形成。
6.根据权利要求1所述的一种高气密性的发光器件，其特征在于，所述第一粗糙面通过局部微腐蚀或局部电镀沉积的方式形成。
7.根据权利要求1所述的一种高气密性的发光器件，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的一种高气密性的发光器件，其特征在于，所述保护层为银、钯、金中的一种或几种金属的叠层结构。
9.一种高气密性的发光器件的制作方法，适用于权利要求1-8中任一项所述的高气密性的发光器件，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的一种高气密性的发光器件的制作方法，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种高气密性的发光器件，其特征在于，包括：基板、所述基板上固设有至少一个led芯片、连接所述led芯片与所述基板的导线、所述基板四周围设有支架，所述基板上方覆盖有光转换层，所述光转换层覆盖所述led芯片、所述导线；
2.根据权利要求1所述的一种高气密性的发光器件，其特征在于，所述第一粗糙面与所述第二粗糙面形状相似，所述第一粗糙面、所述第二粗糙面呈凹凸状。
3.根据权利要求1所述的一种高气密性的发光器件，其特征在于，所述保护层的厚度小于第一粗糙面的最高点和最低点的高度差，所述第一粗糙面、所述第二粗糙面的最高点和最低点的高度差为0.1-3um。
4.根据权利要求1所述的一种高气密性的发光器件，其特征在于，所述半蚀刻区呈台阶状或倒台阶状。...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐波，万垂铭，曾照明，朱文敏，李晨骋，徐凯雄，刘杰淳，
申请(专利权)人：广东晶科电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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