【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片封装，特别涉及一种芯片封装结构及芯片封装方法。
技术介绍
1、声表面波滤波器利用声波在芯片表面传输以实现其功能。故针对声表面波滤波器的封装，需要声表面波滤波器中的叉指换能器表面不接触其他物质，即需要芯片表面形成空腔，否则将影响信号传输。基于声表面波滤波器的芯片封装结构，其还可以包括天线开关、低噪放大器、电容、电感等常规的无需空腔即可工作的元件。
2、例如传统的分集接收(drx)模组常采用覆膜的方式隔绝外面的塑封料以保障滤波器的表面形成空腔，而模组内的其它器件由于覆膜的影响也无法得到很好的底部填充，容易导致器件连锡短路。同时，非滤波器器件因为没有塑封料填充可靠性也无法保障。如何提高此类芯片封装结构的可靠性成了本领域技术人员需要解决的一个问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种芯片封装结构及芯片封装方法，以解决现有技术中芯片封装结构的可靠性不高的问题。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种芯片封装结构，所述芯片封装结构包括：
3、基板，所述基板上形成有第一焊盘和第二焊盘；
4、形成于所述基板上的第一阻挡层，所述第一阻挡层具有在厚度方向上贯穿的第一开口、第二开口以及窗口，所述第一开口暴露出所述第一焊盘，所述第二开口暴露出所述第二焊盘；
5、设置于所述基板上的滤波器芯片，所述滤波器芯片包括第一衬底、形成于所述第一衬底上的叉指换能器以及形成于所述第一衬底上的第一凸点，所述叉指换能器朝向所述第一
6、设置于所述基板上的非滤波器芯片，所述非滤波器芯片包括第二衬底以及形成于所述第二衬底上的第二凸点，所述第二凸点和所述第二焊盘电连接，所述非滤波器芯片的下方形成有第二空腔，所述非滤波器芯片在所述基板上形成有非滤波器芯片投影，所述窗口具有至少一条穿越边界，所述穿越边界自所述非滤波器芯片投影外延伸至所述非滤波器芯片投影内，所述窗口和所述第二空腔连通；
7、覆盖所述滤波器芯片、所述非滤波器芯片以及所述第一阻挡层的覆膜，所述覆膜封闭所述第一空腔并且在所述窗口处断开而形成断口；以及，
8、覆盖所述覆膜表面的塑封层，所述塑封层还经过所述断口填充所述窗口和所述第二空腔。
9、可选的，在所述的芯片封装结构中，所述窗口涵盖所述第二开口。
10、可选的，在所述的芯片封装结构中，所述窗口具有至少一个穿越内凹口，所述穿越内凹口自所述非滤波器芯片投影外延伸至所述非滤波器芯片投影内，所述穿越内凹口的至少一条边界为所述穿越边界。
11、可选的，在所述的芯片封装结构中，所述穿越内凹口呈矩形、三角形、梯形、扇形或者不规则形。
12、可选的，在所述的芯片封装结构中，所述窗口具有多个所述穿越内凹口，并且所述非滤波器芯片投影的每一侧边均对应有至少一个所述穿越内凹口。
13、可选的，在所述的芯片封装结构中，所述穿越内凹口包括位于所述非滤波器芯片投影内的内穿越部，其中，所述内穿越部的最大深度大于或等于25μm，所述内穿越部的最大宽度大于或等于50μm。
14、可选的，在所述的芯片封装结构中，所述窗口包括位于所述非滤波器芯片投影外的外窗口，所述外窗口被所述穿越内凹口分割为多个外窗口段，所述外窗口段的最大深度大于或等于50μm，所述外窗口段的最小宽度大于或等于50μm。
15、可选的，在所述的芯片封装结构中，所述第一空腔的高度不超过20μm。
16、可选的，在所述的芯片封装结构中，所述芯片封装结构还包括：
17、形成于所述第一阻挡层上的第二阻挡层，相较于所述滤波器芯片在所述基板上形成的滤波器芯片投影，所述第二阻挡层靠近所述非滤波器芯片投影。
18、可选的，在所述的芯片封装结构中，所述第二阻挡层呈环形；所述第二阻挡层的内边界和所述窗口的边界齐平，或者，所述第二阻挡层的内边界较所述窗口的边界远离所述非滤波器芯片投影。
19、可选的，在所述的芯片封装结构中，所述非滤波器芯片的下表面高于所述第二阻挡层的上表面；或者，所述非滤波器芯片的下表面和所述第二阻挡层的上表面齐平；或者，所述非滤波器芯片的下表面低于所述第二阻挡层的上表面。
20、可选的，在所述的芯片封装结构中，所述窗口和所述第二开口相互独立。
21、可选的，在所述的芯片封装结构中，所述窗口的数量为多个，其中，至少有一个窗口为穿越窗口，所述穿越窗口自所述非滤波器芯片投影外延伸至所述非滤波器芯片投影内，所述穿越窗口的至少一条边界为所述穿越边界。
22、可选的，在所述的芯片封装结构中，所述非滤波器芯片投影的至少两侧边对应有至少一个所述窗口。
23、本专利技术还提供一种芯片封装结构，所述芯片封装结构包括：
24、基板，所述基板上形成有第一焊盘和第二焊盘；
25、形成于所述基板上的第一阻挡层，所述第一阻挡层具有在厚度方向上贯穿的第一开口、第二开口以及窗口，所述第一开口暴露出所述第一焊盘，所述第二开口暴露出所述第二焊盘，所述窗口具有内凹口；
26、设置于所述基板上的滤波器芯片，所述滤波器芯片包括第一衬底、形成于所述第一衬底上的叉指换能器以及形成于所述第一衬底上的第一凸点，所述叉指换能器朝向所述第一阻挡层，所述第一凸点和所述第一焊盘电连接，所述滤波器芯片的下方形成有第一空腔；
27、设置于所述基板上的非滤波器芯片，所述非滤波器芯片包括第二衬底以及形成于所述第二衬底上的第二凸点，所述第二凸点和所述第二焊盘电连接，所述非滤波器芯片的下方形成有第二空腔，所述窗口和所述第二空腔连通；
28、覆盖所述滤波器芯片、所述非滤波器芯片以及所述第一阻挡层的覆膜，所述覆膜封闭所述第一空腔并且在所述窗口处断开而形成断口；以及，
29、覆盖所述覆膜表面的塑封层，所述塑封层还经过所述断口填充所述窗口和所述第二空腔。
30、可选的，在所述的芯片封装结构中，所述非滤波器芯片在所述基板上形成有非滤波器芯片投影，所述窗口涵盖所述第二开口以及所述非滤波器芯片投影。
31、可选的，在所述的芯片封装结构中，所述芯片封装结构还包括：
32、形成于所述第一阻挡层上的第二阻挡层，相较于所述滤波器芯片在所述基板上形成的滤波器芯片投影，所述第二阻挡层靠近所述非滤波器芯片在所述基板上形成的非滤波器芯片投影。
33、可选的，在所述的芯片封装结构中，所述第二阻挡层呈环形；所述第二阻挡层的内边界和所述窗口的边界齐平，或者，所述第二阻挡层的内边界较所述窗口的边界远离所述非滤波器芯片投影。
34、本专利技术还提供一种芯片封装方法，所述芯片封装方法包括：
35、提供基板，所述基板上形成有第一焊盘和第二焊盘；
36、在所述基板上形成第一阻挡层，所述第一阻挡层具有在厚度方向上贯穿的第一开口本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括：
2.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述窗口涵盖所述第二开口。
3.如权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述窗口具有至少一个穿越内凹口，所述穿越内凹口自所述非滤波器芯片投影外延伸至所述非滤波器芯片投影内，所述穿越内凹口的至少一条边界为所述穿越边界。
4.如权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述穿越内凹口呈矩形、三角形、梯形、扇形或者不规则形。
5.如权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述窗口具有多个所述穿越内凹口，并且所述非滤波器芯片投影的每一侧边均对应有至少一个所述穿越内凹口。
6.如权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述穿越内凹口包括位于所述非滤波器芯片投影内的内穿越部，其中，所述内穿越部的最大深度大于或等于25μm，所述内穿越部的最大宽度大于或等于50μm。
7.如权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述窗口包括位于所述非滤波器芯片投影外的外窗口，所述外窗口被所述穿越内凹口分割为多个外窗口段，所述
8.如权利要求1～7中任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一空腔的高度不超过20μm。
9.如权利要求1～7中任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构还包括：
10.如权利要求9所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第二阻挡层呈环形；所述第二阻挡层的内边界和所述窗口的边界齐平，或者，所述第二阻挡层的内边界较所述窗口的边界远离所述非滤波器芯片投影。
11.如权利要求9所述的芯片封装结构，其特征在于，所述非滤波器芯片的下表面高于所述第二阻挡层的上表面；或者，所述非滤波器芯片的下表面和所述第二阻挡层的上表面齐平；或者，所述非滤波器芯片的下表面低于所述第二阻挡层的上表面。
12.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述窗口和所述第二开口相互独立。
13.如权利要求12所述的芯片封装结构，其特征在于，所述窗口的数量为多个，其中，至少有一个窗口为穿越窗口，所述穿越窗口自所述非滤波器芯片投影外延伸至所述非滤波器芯片投影内，所述穿越窗口的至少一条边界为所述穿越边界。
14.如权利要求13所述的芯片封装结构，其特征在于，所述非滤波器芯片投影的至少两侧边对应有至少一个所述窗口。
15.一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括：
16.如权利要求15所述的芯片封装结构，其特征在于，所述非滤波器芯片在所述基板上形成有非滤波器芯片投影，所述窗口涵盖所述第二开口以及所述非滤波器芯片投影。
17.如权利要求15或16所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构还包括：
18.如权利要求17所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第二阻挡层呈环形；所述第二阻挡层的内边界和所述窗口的边界齐平，或者，所述第二阻挡层的内边界较所述窗口的边界远离所述非滤波器芯片投影。
19.一种芯片封装方法，其特征在于，所述芯片封装方法包括：
20.一种芯片封装方法，其特征在于，所述芯片封装方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括：
2.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述窗口涵盖所述第二开口。
3.如权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述窗口具有至少一个穿越内凹口，所述穿越内凹口自所述非滤波器芯片投影外延伸至所述非滤波器芯片投影内，所述穿越内凹口的至少一条边界为所述穿越边界。
4.如权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述穿越内凹口呈矩形、三角形、梯形、扇形或者不规则形。
5.如权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述窗口具有多个所述穿越内凹口，并且所述非滤波器芯片投影的每一侧边均对应有至少一个所述穿越内凹口。
6.如权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述穿越内凹口包括位于所述非滤波器芯片投影内的内穿越部，其中，所述内穿越部的最大深度大于或等于25μm，所述内穿越部的最大宽度大于或等于50μm。
7.如权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述窗口包括位于所述非滤波器芯片投影外的外窗口，所述外窗口被所述穿越内凹口分割为多个外窗口段，所述外窗口段的最大深度大于或等于50μm，所述外窗口段的最小宽度大于或等于50μm。
8.如权利要求1～7中任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一空腔的高度不超过20μm。
9.如权利要求1～7中任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构还包括：
10.如权利要求9所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第二阻挡层呈环形；所述第二阻挡层的内边界和所述窗口的边界齐平，或者，所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：张磊，刘增涛，蒋品方，林红宽，刘二微，
申请(专利权)人：唯捷创芯天津电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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