本申请提供了一种磷化铟晶片清洗方法及半导体晶片清洗装置。该方法包括：通入惰性气体，并以第一兆声波频率喷淋去离子水对晶片进行兆声波清洗；喷淋弱碱性清洗液清洗晶片；通入惰性气体，并以第二兆声波频率喷淋去离子水对晶片进行兆声波清洗；第二兆声波频率高于第一兆声波频率，且第一兆声波频率及第二兆声波频率均与去离子水的清洗温度呈负相关关系；喷淋冰醋酸溶液清洗晶片；冰醋酸溶液的清洗温度与去离子水的清洗温度呈正相关关系；通入惰性气体，并以第二兆声波频率喷淋去离子水对晶片进行兆声波清洗；持续通入惰性气体，并对晶片进行干燥处理。本申请能够优化磷化铟晶片的清洗质量。
【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，尤其涉及一种磷化铟晶片清洗方法及半导体晶片清洗装置。
技术介绍
1、磷化铟是重要的iii-v族化合物半导体材料之一，因其众多的优越性使之在激光器、发光二极管、探测器、光放大器、光通信、微波器件、毫米波器件、抗辐射太阳能电池等许多
都有广泛应用，具有不可替代性。随着半导体器件制作工艺的不断发展，器件尺寸越来越小，利用效率越来越高，半导体衬底的质量尤其是晶片表面的质量对器件的可靠性和稳定性的影响也越来越大。而清洗晶片时晶片加工过程中的一个重要工序，对获得高质量表面的晶片至关重要。清洗的目的是要去除前序工序的各种残留物质，已获得洁净的晶片表面，为后续生产提供基础。
2、目前针对于磷化铟晶片的清洗，主要是采用过氧化氢、浓硫酸、柠檬酸等腐蚀性较强的化学试剂进行清洗。这些化学试剂在一定比例作用下，可以有效清洗干净晶片表面经过切片、研磨和抛光等工序残留下来的有机物质和其他污染物。但这些强腐蚀性物质在对晶片进行清洗的过程中会发生化学反应，容易出现氧化层过厚、表面粗糙等问题，进而影响后续加工产品的性能质量。
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【技术保护点】
1.一种磷化铟晶片清洗方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的磷化铟晶片清洗方法，其特征在于，所述第一兆声波频率为500KHz-600KHz，所述第二兆声波频率为800KHz-1MHz。
3.根据权利要求1或2所述的磷化铟晶片清洗方法，其特征在于，采用去离子水喷淋清洗所述晶片的清洗温度为1-4℃。
4.根据权利要求3所述的磷化铟晶片清洗方法，其特征在于，采用冰醋酸溶液清洗所述晶片的清洗温度为18-20℃。
5.根据权利要求1或2所述的磷化铟晶片清洗方法，其特征在于，所述弱碱性清洗液为过氧化氢溶液与氢氧化铵溶液的混合物。...
【技术特征摘要】
1.一种磷化铟晶片清洗方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的磷化铟晶片清洗方法，其特征在于，所述第一兆声波频率为500khz-600khz，所述第二兆声波频率为800khz-1mhz。
3.根据权利要求1或2所述的磷化铟晶片清洗方法，其特征在于，采用去离子水喷淋清洗所述晶片的清洗温度为1-4℃。
4.根据权利要求3所述的磷化铟晶片清洗方法，其特征在于，采用冰醋酸溶液清洗所述晶片的清洗温度为18-20℃。
5.根据权利要求1或2所述的磷化铟晶片清洗方法，其特征在于，所述弱碱性清洗液为过氧化氢溶液与氢氧化铵溶液的混合物。
6.根据权利要求5所述的磷化铟晶片清洗方法，其特征在于，所述弱碱性...
【专利技术属性】
技术研发人员：王金灵，周铁军，田玉莲，毕宏岩，
申请(专利权)人：广东先导微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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