System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种薄膜型柔性涡流探伤传感器及研制方法技术_技高网
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一种薄膜型柔性涡流探伤传感器及研制方法技术

技术编号:40148361 阅读:7 留言:0更新日期:2024-01-24 00:49
本发明专利技术涉及一种薄膜型柔性涡流探伤传感器及研制方法,属于测量技术领域。薄膜型柔性涡流探伤传感器包括底封装层、敏感层、隔离层、激励层和顶封装层。底封装层、隔离层和顶封装层都由绝缘型高分子材料本征柔性薄膜构成,敏感层由复合式导电高分子材料螺线化的本征柔性线圈构成,激励层由速干型导电墨水螺线化的线圈构成,隔离层、顶封装层分别嵌有敏感层、激励层引出导线。利用本发明专利技术提出的方法研制的薄膜型柔性涡流探伤传感器,可大幅减少金属材料的使用,有效提高探伤传感器的柔性,适合应用于金属复杂曲面无损检测等领域中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于测量,特别涉及到柔性涡流探伤传感器研制。


技术介绍

1、涡流探伤技术作为无损检测技术的重要组成部分,在结构健康监测中发挥着关键作用,基于涡流探伤技术研制的传感器广泛应用于轨道交通、航空航天、核能电力、能源矿产等领域,但随着科技的发展,许多应用场合中金属材料具备复杂曲面特性,而传统涡流探伤传感器由金属元件构成,传感探头刚性强而柔性不足,难以适应复杂曲面检测,故而迫切需要柔性化探伤传感器。


技术实现思路

1、本专利技术的目的是为克服现有技术的不足之处,提出一种薄膜型柔性涡流探伤传感器及研制方法。所述的薄膜型柔性涡流探伤传感器包括底封装层、敏感层、隔离层、激励层和顶封装层。底封装层、隔离层和顶封装层都由绝缘型高分子材料本征柔性薄膜构成,敏感层由复合式导电高分子材料螺线化的本征柔性线圈构成,激励层由速干型导电墨水螺线化的线圈构成,隔离层、顶封装层分别嵌有敏感层、激励层引出导线。

2、所述的薄膜型柔性涡流探伤传感器研制方法包括以下步骤:将聚二甲基硅氧烷、正硅酸乙酯和二月硅酸二丁基锡按一定比例混合,待混合物硫化后形成绝缘型高分子材料本征柔性薄膜,在所述绝缘型高分子材料本征柔性薄膜边沿处裁剪出两条具有一定宽度的长条型绝缘膜备用,将剩余的所述绝缘型高分子材料本征柔性薄膜作为薄膜型柔性涡流探伤传感器的底封装层;将碳纳米管、聚二甲基硅氧烷和正己烷按一定比例混合,利用机械搅拌和超声震荡使碳纳米管在聚二甲基硅氧烷和正己烷的混合溶液中充分分散,等有机溶剂正己烷挥发待尽后,形成碳纳米管填充聚二甲基硅氧烷的复合式导电高分子材料,将开有螺线式通槽的刚性模具置于底封装层上,所述刚性模具螺线式通槽之间间距相等,在通槽中灌入所述复合式导电高分子材料,待复合式导电高分子材料硫化后形成螺线化的本征柔性线圈,移除所述开有螺线式通槽的刚性模具,将所述螺线化的本征柔性线圈作为薄膜型柔性涡流探伤传感器的敏感层;将剩余复合式导电高分子材料旋涂于所述一条长条型绝缘膜上表面制备成敏感层引出导线,从所述敏感层的本征柔性线圈中心位置连接所述敏感层引出导线,使长条型绝缘膜处于所述敏感层引出导线与本征柔性线圈之间而形成绝缘,将一定比例混合的聚二甲基硅氧烷、正硅酸乙酯和二月硅酸二丁基锡混合物覆盖在所述敏感层及引出导线,将混合物硫化后形成的绝缘型本征柔性薄膜作为薄膜型柔性涡流探伤传感器的隔离层;将另一个开有螺线式通槽的刚性模具置于隔离层上,所述刚性模具螺线式通槽之间间距相等,在所述通槽中灌入速干型导电墨水,待所述导电墨水凝固后形成螺线化线圈,移除所述刚性模具,将所述螺线化的线圈作为薄膜型柔性涡流探伤传感器的激励层;将剩余导电墨水旋涂于所述另外一条长条型绝缘膜上表面制备成激励层引出导线,从所述激励层的螺线化线圈中心位置连接所述激励层引出导线,使长条型绝缘膜处于所述激励层引出导线与螺线化线圈之间而形成绝缘,将一定比例混合的聚二甲基硅氧烷、正硅酸乙酯和二月硅酸二丁基锡混合物覆盖在所述激励层及引出导线,将混合物硫化后形成的绝缘型本征柔性薄膜作为薄膜型柔性涡流探伤传感器的顶封装层;围绕敏感层和激励层的螺线化线圈外围将底封装层、隔离层和顶封装层裁剪为所需尺寸,进而完成薄膜型柔性涡流探伤传感器的制备。

3、本专利技术的特点及有益效果在于:

4、本专利技术提出的研制方法,以绝缘型高分子材料本征柔性薄膜为底封装层、隔离层和顶封装层,以复合式导电高分子材料螺线化的本征柔性线圈为敏感层,以速干型导电墨水螺线化的线圈为激励层。大幅减少了金属材料的使用,故而能有效提高探伤传感器的柔性,并经过实验验证复合式导电高分子材料螺线化的本征柔性线圈可以检测到由金属表面裂纹引起的涡流磁场畸变信号,因此利用本专利技术提出的研制方法制备的薄膜型柔性涡流探伤传感器,适用于金属复杂曲面无损检测等领域中。

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【技术保护点】

1.一种薄膜型柔性涡流探伤传感器,其特征在于,所述的薄膜型柔性涡流探伤传感器包括底封装层、敏感层、隔离层、激励层和顶封装层,底封装层、隔离层和顶封装层都由绝缘型高分子材料本征柔性薄膜构成,敏感层由复合式导电高分子材料螺线化的本征柔性线圈构成,激励层由速干型导电墨水螺线化的线圈构成,隔离层、顶封装层分别嵌有敏感层、激励层引出导线。

2.如权利要求1所述的一种薄膜型柔性涡流探伤传感器的研制方法,其特征在于,该研制方法包括以下步骤:将聚二甲基硅氧烷、正硅酸乙酯和二月硅酸二丁基锡按一定比例混合,待混合物硫化后形成绝缘型高分子材料本征柔性薄膜,在所述绝缘型高分子材料本征柔性薄膜边沿处裁剪出两条具有一定宽度的长条型绝缘膜备用,将剩余的所述绝缘型高分子材料本征柔性薄膜作为薄膜型柔性涡流探伤传感器的底封装层;将碳纳米管、聚二甲基硅氧烷和正己烷按一定比例混合,利用机械搅拌和超声震荡使碳纳米管在聚二甲基硅氧烷和正己烷的混合溶液中充分分散,等有机溶剂正己烷挥发待尽后,形成碳纳米管填充聚二甲基硅氧烷的复合式导电高分子材料,将开有螺线式通槽的刚性模具置于底封装层上,所述刚性模具螺线式通槽之间间距相等,在所述通槽中灌入所述复合式导电高分子材料,待复合式导电高分子材料硫化后形成螺线化的本征柔性线圈,移除所述开有螺线式通槽的刚性模具,将所述螺线化的本征柔性线圈作为薄膜型柔性涡流探伤传感器的敏感层;将剩余复合式导电高分子材料旋涂于所述一条长条型绝缘膜上表面制备成敏感层引出导线,从所述敏感层的本征柔性线圈中心位置连接所述敏感层引出导线,使长条型绝缘膜处于所述敏感层引出导线与本征柔性线圈之间而形成绝缘,将一定比例混合的聚二甲基硅氧烷、正硅酸乙酯和二月硅酸二丁基锡混合物覆盖在所述敏感层及引出导线,混合物硫化后形成的绝缘型本征柔性薄膜作为薄膜型柔性涡流探伤传感器的隔离层;将另一个开有螺线式通槽的刚性模具置于隔离层上,所述刚性模具螺线式通槽之间间距相等,在所述通槽中灌入速干型导电墨水,待所述导电墨水凝固后形成螺线化线圈,移除所述刚性模具,将所述螺线化的线圈作为薄膜型柔性涡流探伤传感器的激励层;将剩余导电墨水旋涂于所述另外一条长条型绝缘膜上表面制备成激励层引出导线,从所述激励层的螺线化线圈中心位置连接所述激励层引出导线,使长条型绝缘膜处于所述激励层引出导线与螺线化线圈之间而形成绝缘,将一定比例混合的聚二甲基硅氧烷、正硅酸乙酯和二月硅酸二丁基锡混合物覆盖在所述激励层及引出导线,混合物硫化后形成的绝缘型本征柔性薄膜作为薄膜型柔性涡流探伤传感器的顶封装层;围绕敏感层和激励层的螺线化线圈外围将底封装层、隔离层和顶封装层裁剪为所需尺寸,进而完成薄膜型柔性涡流探伤传感器的制备。

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【技术特征摘要】

1.一种薄膜型柔性涡流探伤传感器,其特征在于,所述的薄膜型柔性涡流探伤传感器包括底封装层、敏感层、隔离层、激励层和顶封装层,底封装层、隔离层和顶封装层都由绝缘型高分子材料本征柔性薄膜构成,敏感层由复合式导电高分子材料螺线化的本征柔性线圈构成,激励层由速干型导电墨水螺线化的线圈构成,隔离层、顶封装层分别嵌有敏感层、激励层引出导线。

2.如权利要求1所述的一种薄膜型柔性涡流探伤传感器的研制方法,其特征在于,该研制方法包括以下步骤:将聚二甲基硅氧烷、正硅酸乙酯和二月硅酸二丁基锡按一定比例混合,待混合物硫化后形成绝缘型高分子材料本征柔性薄膜,在所述绝缘型高分子材料本征柔性薄膜边沿处裁剪出两条具有一定宽度的长条型绝缘膜备用,将剩余的所述绝缘型高分子材料本征柔性薄膜作为薄膜型柔性涡流探伤传感器的底封装层;将碳纳米管、聚二甲基硅氧烷和正己烷按一定比例混合,利用机械搅拌和超声震荡使碳纳米管在聚二甲基硅氧烷和正己烷的混合溶液中充分分散,等有机溶剂正己烷挥发待尽后,形成碳纳米管填充聚二甲基硅氧烷的复合式导电高分子材料,将开有螺线式通槽的刚性模具置于底封装层上,所述刚性模具螺线式通槽之间间距相等,在所述通槽中灌入所述复合式导电高分子材料,待复合式导电高分子材料硫化后形成螺线化的本征柔性线圈,移除所述开有螺线式通槽的刚性模具,将所...

【专利技术属性】
技术研发人员:王璐珩何改革
申请(专利权)人:中南大学
类型:发明
国别省市:

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