【技术实现步骤摘要】
本技术涉及功率二极管，更具体地说，本技术涉及一种碳化硅功率二极管。
技术介绍
1、碳化硅结势垒肖特基二极管(sic jbs)是一种常见的碳化硅功率二极管，其兼具了肖特基二极管(sbd)和pin二极管的优点，具有低开启电压、低反向漏电、高开关频率等特性。
2、如公开了cn218677114u的一种碳化硅功率二极管，其技术方案要点是：包括碳化硅功率二极管本体与设置在所述碳化硅功率二极管本体下方用于对所述碳化硅功率二极管本体、引线脚进行密封保护的防护机构，所述碳化硅功率二极管本体包括设置在所述碳化硅功率二极管本体底部的引线脚与设置在所述碳化硅功率二极管本体内部的绝缘陶瓷垫片；所述引线脚的外侧壁上固定安装有连接板；其主要通过左右手分别拿起防护罩与碳化硅功率二极管本体，并将防护罩内壁两侧开设的卡槽对准碳化硅功率二极管本体两侧固定安装的卡块上，对准后，再向下按压，使卡槽卡入卡块内，此时联动引线脚滑动进连接孔内，并通过引线脚侧壁上的连接板进行阻挡，不让引线脚完全穿过防护罩，有效防止引线脚受到外界影响造成弯折，提高引线脚的使用寿命。
...【技术保护点】
1.一种碳化硅功率二极管，包括功率二极管本体(1)，其特征在于，所述功率二极管本体(1)的正面以矩形阵列开设有四个螺纹孔，所述功率二极管本体(1)的正面通过螺纹孔可拆卸安装有防脱落组件(2)，所述功率二极管本体(1)正面的底端等距并排一体形成有三个引脚本体(3)。
2.根据权利要求1所述的碳化硅功率二极管，其特征在于，所述功率二极管本体(1)包括第一壳体(11)、限位凹槽(12)和限位环(13)，所述第一壳体(11)的上表面以矩形阵列开设有四个限位凹槽(12)，所述限位凹槽(12)的内壁粘接有限位环(13)，所述限位环(13)的材质为橡胶质构件。
<...【技术特征摘要】
1.一种碳化硅功率二极管，包括功率二极管本体(1)，其特征在于，所述功率二极管本体(1)的正面以矩形阵列开设有四个螺纹孔，所述功率二极管本体(1)的正面通过螺纹孔可拆卸安装有防脱落组件(2)，所述功率二极管本体(1)正面的底端等距并排一体形成有三个引脚本体(3)。
2.根据权利要求1所述的碳化硅功率二极管，其特征在于，所述功率二极管本体(1)包括第一壳体(11)、限位凹槽(12)和限位环(13)，所述第一壳体(11)的上表面以矩形阵列开设有四个限位凹槽(12)，所述限位凹槽(12)的内壁粘接有限位环(13)，所述限位环(13)的材质为橡胶质构件。
3.根据权利要求2所述的碳化硅功率二极管，其特征在于，所述第一壳体(11)的上表面通过所述限位环(13)卡接有第二壳体(14)，所述第二壳体(14)的下表面以矩形阵列固定安装有四个限位杆(15)。
4.根据权利要求3所述的碳化硅功率二极管，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：张成刚，
申请(专利权)人：深圳市美丽微半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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