【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体的，具体涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件。
技术介绍
1、目前，绝缘栅双极晶体管(insulate-gate bipolar transistor—igbt)综合了电力晶体管(giant transistor—gtr)和电力场效应晶体管(power mosfet)的优点，具有良好的特性，应用领域较为广泛；igbt也是三端器件，包括：栅极，集电极和发射极。在igbt的制备过程中，通常是完成正面制程后进行背面制程，通过杂质激活，背面金属化等多种工艺，进而形成igbt的集电极。igbt器件在背面注入掺杂和激光退火工艺中，其正面会和相应制程设备的夹具(或者顶针)相接触。
2、相关技术中，igbt器件的正面与设备的接触过程中，因为缺少保护，可能会导致igbt器件的划伤和沾污，从而造成缺陷并降低良品率。
技术实现思路
1、为了解决上述问题而提出了本申请，根据本申请的一方面，提供了一种半导体器件的制备方法，所述方法包括：
2、提供衬底，其中所述衬底的第一表面上形成有栅极；
3、在所述衬底的第一表面上形成覆盖所述栅极的钝化层和图案化的第一保护层；
4、在所述衬底的第二表面内形成集电极；
5、以所述图案化的第一保护层为掩膜蚀刻去除露出的部分所述钝化层以露出部分所述栅极。
6、示例性地，所述以所述图案化的第一保护层为掩膜蚀刻去除露出的部分所述钝化层之后，所述方法还包括：对所述衬底的第二表面进行金属化以形成背
7、示例性地，所述在所述衬底的第二表面形成集电极之前，所述方法还包括：形成第二保护层以覆盖图形化的所述第一保护层，所述第二保护层还覆盖露出的部分所述钝化层；对所述衬底的第二表面进行减薄处理；去除所述第二保护层。
8、示例性地，所述方法还包括：在去除所述第二保护层之后，对所述衬底进行清洗以去除有机残留并去除部分机械损伤。
9、示例性地，所述在所述衬底的第二表面内形成集电极，包括：从所述衬底的第二表面对所述衬底进行离子注入并进行退火处理。
10、示例性地，在所述衬底的第二表面形成集电极之前还形成有缓冲层。
11、示例性地，所述第一保护层为聚酰亚胺。
12、示例性地，所述钝化层包括氮化硅和/或氧化硅层。
13、示例性地，所述半导体器件包括igbt。
14、根据本申请的另一方面，提供了一种半导体器件，所述半导体器件通过上述的半导体器件的制备方法制备得到。
15、本申请中的半导体器件制备方法，会在衬底的第一表面形成钝化层，并且在形成集电极之前不对钝化层进行蚀刻，通过钝化层对衬底进行保护，在通过设备对衬底的第二表面进行加工时，会通过钝化层而不是衬底表面和设备接触，在加工的过程中避免设备对器件的划伤或者沾污，从而减少缺陷以提升器件生成的良品率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述以所述图案化的第一保护层为掩膜蚀刻去除露出的部分所述钝化层之后，所述方法还包括：对所述衬底的第二表面进行金属化以形成背板金属电极。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底的第二表面形成集电极之前，所述方法还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在去除所述第二保护层之后，对所述衬底进行清洗。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底的第二表面形成集电极，包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述衬底的第二表面形成集电极之前还形成有缓冲层。
7.根据权利要求1-6中的任一项所述的方法，其特征在于，所述第一保护层为聚酰亚胺。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述钝化层包括氮化硅层和/或氧化硅层。
9.根据权利要求1-6中的任一项所述的方法，其特征在于，所述半导体器件包括IGBT。
10.一种半
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述以所述图案化的第一保护层为掩膜蚀刻去除露出的部分所述钝化层之后，所述方法还包括：对所述衬底的第二表面进行金属化以形成背板金属电极。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底的第二表面形成集电极之前，所述方法还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在去除所述第二保护层之后，对所述衬底进行清洗。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底的...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴荣成，邓方圆，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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