一种快速检测多环芳烃类污染物的光学传感器及其制备和应用制造技术

一种快速检测多环芳烃类污染物的光学传感器，将表面和内部修饰有ＣｄＴｅ量子点的ＴｉＯ２纳米管阵列用于作为检测多环芳烃类污染物的光学传感器；ＣｄＴｅ量子点尺寸为５～２５ｎｍ。应用该复合材料作为敏感元件，实现了对多环芳烃类持久性有机污染物的检测，通过本发明专利技术的方法，发明专利技术人第一次成功的将ＣｄＴｅ量子点的荧光性能的应用扩展到低于４５０ｎｍ的范围。该敏感元件制作步骤简单、成本低廉、物化性能稳定，携带方便，因而可作为快速、高效、定量检测环境中的多环芳烃类污染物的光学传感器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种快速检测环境中多环芳烃类持久性有机污染物的光学传感器及 其制备和应用。
技术介绍
传感器是一种可以获取并处理信息的特殊装置，能感受到被测量的信息，并能将 感受到的信息，按一定规律变换成为电信号或其他所需形式的信息输出，以满足信息的传 输、处理、存储、显示、记录和控制等要求。传感器种类众多，按敏感元件的不同，可以分为物 理类、化学类和生物类传感器。在基础学科研究中，传感器具有突出的地位，很多基础科学 的研究遇到的障碍，首先就在于对象信息的获取存在困难，而一些新机理和高灵敏度的检 测传感器的出现，往往会导致该领域内的突破。一些传感器的发展，往往是一些边缘学科开 发的先驱。量子点(quantum dot,QD)又可称为半导体纳米微晶体(semiconductornanocrystal)， 是一种由II-VI族或III-V族元素组成的尺寸在IOOnm以下的纳米晶粒。目前研究较多的是 CdS、CdSe、CdTe、ZnS等。近年来，由于其独特的荧光特性，半导体量子点作为荧光标记物被广 泛地应用于生物体内各种蛋白质或者细胞间相互作用的监控。目前量子点的合成主要有两种 方法一种是在水相中合成，另一种是采用胶体化学的方法在有机相中合成。以上合成方法 操作繁琐复杂，且只能合成在液相中稳定的量子点。近来也有报道利用气相沉积或电化学方法将量子点/贵金属修到TiO2纳米阵列 中，但其目的在于提高TiO2纳米阵列的光催化/降解活性。多环芳烃(Polycyclic Aromatic Hydrocarbons，PAHs)是煤，石油，木材，烟草，有 机高分子化合物等有机物不完全燃烧时产生的挥发性碳氢化合物，是重要的环境和食品污 染物.常见的多环芳烃有萘，蒽，芘，苯并芘，荧蒽等，其中苯并芘是毒性最强的多环芳烃之 一，有强致癌性。至今已有不少经典的分析方法被用于检测多环芳烃类污染物，例如液质联用法， 气质联用法，荧光光谱法，压电传感法，表面拉曼增强光谱法，以及与各种仪器联用的免疫 检测法等。但是，从不同的角度评价，各种传统方法又都有所局限，例如高效液相色谱法， 液质联用和气质联用的前处理繁琐，耗时长并且仪器设备昂贵，不利于现场检测；表面拉曼 增强光谱法和液相荧光光谱法因为有较高的检测限和大的背景干扰，其应用受到限制；而 压电传感法受传感器本身稳定性和重复性的影响，检测限不能达到十分理想的值。因此，开 发简便，快速，灵敏的检测多环芳烃污染物的方法是十分必要的。目前国内外还没有将修饰了 CdTe量子点的TiO2纳米管阵列应用于多环芳烃污染 物光学传感检测的相关报道。
技术实现思路
本专利技术的目的旨在提供一种可以定量检测多环芳烃类污染物的光学传感器，及所 需光学传感器的制备方法和应用。本专利技术以TiO2纳米管阵列为基底，应用脉冲电沉积技术直接将CdTe量子点修饰 到了 TiO2纳米管阵列上，所合成的量子点均勻分散在TiO2纳米阵列中，其荧光发射光谱分 布在在370 390nm范围。应用该复合材料作为敏感元件，实现了对多环芳烃类持久性有 机污染物的检测，通过本专利技术的方法，专利技术人第一次成功的将CdTe量子点的荧光性能的应 用扩展到低于450nm的范围。该敏感元件制作步骤简单、成本低廉、物化性能稳定，携带方 便，因而可作为快速、高效、定量检测环境中的多环芳烃类污染物的光学传感器。本专利技术的光学传感器是由TiO2纳米管阵列及其表面和内部修饰的CdTe量子点构 成；CdTe量子点尺寸为5 25nm。本专利技术的应用在于，将表面和内部修饰的CdTe量子点的TiO2纳米管阵列用于作 为检测多环芳烃类污染物的光学传感器。本专利技术传感器上的CdTe量子点稳定，其荧光光谱几乎不受周围环境(如溶剂、pH 值、温度等)的影响，它可以经受反复多次激发；且本专利技术不再是液相中的量子点，是附着 于固体纳米材料不定型TiO2纳米管阵列上所修饰的量子点。专利技术人选用的(无定型)TiO2 纳米管阵列在电场中容易极化，电子在Ti3+-O-Ti4+ — Ti4+-O-Ti3+上传递，增加了纳米管阵 列的导电性能，所以采用脉冲电化学方法在TiO2纳米管阵列内修饰活性物质对其改性具有 操作简单方便，得到的产品稳定的特点。所得到的TiO2纳米管阵列高度定向的生长特性， 均勻的表面形貌，极大的比表面积和界面间快速的电子传输能力。另外，专利技术的CdTe量子点尺寸限定在5 25nm内，具有精确调谐的发射波长，所 得到的量子点的不再是现有技术中荧光发射光谱分布在550nm左右或以上(若用作荧光共 振能量转移中的能量供体，只能检测吸收光谱在500nm以上的物质)，而是可以检测吸收峰 在360 380nm范围的多环芳烃类有机污染物。本专利技术不但创造性将表面和内部修饰CdTe量子点TiO2纳米管阵列作为光学传感 器用于检测多环芳烃类有机污染物，并且通过将CdTe量子点尺寸限定在5 25nm内，从而 可以充分的保证检测吸收峰在360 380nm范围的多环芳烃类有机污染物。所述的光学传感器的制备方法，包括以下制备步骤(a)配制含 0. 02 0. 06M CdSO4 和 0. 01 0. 03M NaTeO3 的电镀液,用 H2SO4 调节 pH至2 3 ；(b)以TiO2纳米管阵列作为工作电极，钼片为对电极，饱和甘汞电极为参比电极， 控制脉冲电压为-1 -4V，通断比为0.02 0.2s 1 3s，沉积时间为600 1200个循 环，沉积CdTe量子点。本专利技术通过以上原料浓度、脉冲工艺参数条件的互相配合(如脉冲电压，通断比 等)，从而使得通过本专利技术的工艺方法制备出可稳定，高效检测多环芳烃的光学传感器。本专利技术的光学传感器具体的制备过程如下(1)阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列； (a)将基底材料(钛片)表面打磨，清洗干净备用； (b)配制无机电解液电解液由含量为0. 1 0. 5M的NaF与0. 2 1. 5M的NaHSO4的水溶液组成；(c)在10 25V直流电压下，以纯钛或钛合金为阳极，钼片为阴极，在电解液中电 解制备纳米管；(2)脉冲电镀法制备CdTe量子点掺杂的TiO2纳米管阵列；(a)配制含 0. 02 0. 06M CdSO4 和 0. 01 0. 03M NaTeO3 的电镀液，用H2SO4 调节 pH至2 3 ；(b)用以上制备的TiO2纳米管阵列作为工作电极，钼片为对电极，饱和甘汞电极为 参比电极，控制脉冲电压为-1 -4V，通断比为0.02 0.2s 1 3s，沉积时间为600 1200个循环s，沉积CdTe量子点。应用本专利技术的CdTe/Ti02纳米阵列光学传感器对多环芳烃的快速检测过程如下(a)固定激发波长为270 300nm，扫描获取CdTe/Ti02纳米管阵列的固体荧光， 材料在370 390nm处有一个显著的发射峰(图2，a)；(b)选取苯并芘作为代表分析物。取固定体积的苯并芘的溶液，滴加到CdTe/Ti02 纳米管阵列表面，待溶剂挥发完全后，设定激发波长为270 300·，再次检测固体荧光信 号。可以发现，CdTe/Ti02纳米管阵列在370 390nm处的荧光峰有显著的降低，同时，在 410 440nm处出现了苯并芘的荧光峰(图2，b)。即在CdTe量子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种快速检测多环芳烃类污染物的光学传感器，其特征在于，所述的光学传感器是由ＴｉＯ↓［２］纳米管阵列及其表面和内部修饰的ＣｄＴｅ量子点构成；ＣｄＴｅ量子点尺寸为５～２５ｎｍ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡青云，陈贝贝，杨丽霞，
申请(专利权)人：湖南大学，
类型：发明
国别省市：43[中国|湖南]