半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

半导体装置在层叠半导体基板SB上具备功率晶体管UMOS、n型晶体管NMOS及p型晶体管PMOS，层叠半导体基板SB在n型半导体基板SUB上层叠有n型的漂移层DL、p型的埋入基底层BBL及p型的基底层BL，功率晶体管UMOS具有贯通基底层BL的沟槽栅极电极EGU，p型晶体管PMOS形成于基底层BL内形成的n型阱区NW内，n型晶体管NMOS形成于在基底层BL内或n型阱区内进一步形成的p型阱区内，p型晶体管PMOS的埋入沟道区域EBC的p型杂质浓度与基底层BL的p型杂质浓度相等。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及半导体装置及其制造方法，例如，涉及有效地应用于使用sic基板的半导体装置及其制造方法的技术。

技术介绍

1、在控制高电压、大电流的功率半导体装置的领域中，与硅半导体相比，低导通电阻、高速动作、高温特性优良的碳化硅(sic)半导体受到关注。

2、专利文献1的图6及图7公开了在sic基板上搭载有具有平面型栅极结构的纵型功率mosfet以及驱动该纵型功率mosfet的cmos栅极驱动器的半导体装置。cmos栅极驱动器为将n型mosfet和p型mosfet串联连接的构成。

3、专利文献2的图1公开了沟槽型mosfet，该沟槽型mosfet具有使用外延生长和离子注入法形成的n层15b、n-层15a及p型沟道区域16，通过使n层15b与n-层15a的杂质浓度比在期望的范围内，抑制了短沟道效果。

4、专利文献3记载了一种主要在硅系半导体中将cmos栅极驱动器和沟槽栅极结构的纵型的p型功率mos单片集成的半导体装置。

5、非专利文献1的图2公开了sic的p型mosfet结构，记载了可以通过设置于p型外延生长层的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其中，

10.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其中，>

11.根据权...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其中，

9.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈本光央，八尾惇，佐藤弘，原田信介，
申请(专利权)人：国立研究开发法人产业技术综合研究所，
类型：发明
国别省市：